一种新型电容器及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种新型电容器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板；本发明专利技术极板边缘增加的通孔和一个极板相连接，将电介质层包围在中间，电池的边缘被限制和控制，使得电容器的电磁场屏蔽更好，提高电容器件的某些性能，例如一致性、抗干扰性等，提高电容的Q值，减少插损，提高整体电路的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型电容器及装置
本专利技术涉及电路设计和器件
，尤其涉及一种新型电容器及装置。
技术介绍
电容作为基本的电子元器件，广泛应用于现代的电路系统中，包括集成电路/MEMS/PCB等领域。电容器的结构设计对电容的性能有着直接的关联，是决定电容性能参数的重要因素。如图1和图2所示，传统的电容器设计在极板边缘区域存在边缘效应，同时边缘区域的电场由于没有约束和屏蔽，直接和外界连接。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
的问题提供一种新型电容器及装置，通过在电容器极板的周围增加过孔，对电容介质区域的电场提供更好的束缚和屏蔽，提升电容的性能。为了实现上述目的，本专利技术提出一种新型电容器，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板。优选地，所述的通孔结构采用3/4包围式通孔结构。优选地，所述的通孔结构，包括分布于极板边缘的多个过孔。优选地，所述的过孔全部或部分与所连接极板导通。优选地，所述的极板可为集成电路中的层结构、封装或PCB中的层结构。本专利技术还提出一种电子装置，包括所述的新型电容器。本专利技术提出一种新型电容器及装置，极板边缘增加的通孔和一个极板相连接，将电介质层包围在中间，电池的边缘被限制和控制，使得电容器的电磁场屏蔽更好，提高电容器件的某些性能，例如一致性、抗干扰性等，提高电容的Q值，减少插损，提高整体电路的效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为传统电容器主视图；图2为传统电容器仰视图；图3为本专利技术第一优选实施例中新型电容器主视图；图4为本专利技术第一优选实施例中新型电容器仰视图；图5为本专利技术第二优选实施例中电子装置结构示意图；标号说明：M1为M1层极板；M2为M2层极板；D1为电介质层；K1为通孔结构；本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术提出一种新型电容器；本专利技术第一优选实施例中，如图3和图4所示，包括两层极板M1和M2、设置于两层极板之间的电介质层D1和连接其中一层极板的通孔结构K1，所述的通孔结构K1设置于极板M1的边缘部位包围屏蔽电介质层D1和极板M2；所述的通孔结构K1包括分布于极板边缘的多个过孔；本专利技术第一优选实施例中，所述的通孔结构K1采用3/4包围式通孔结构；过孔可以和M1层极板导通或部分与M1层极板导通，可以调节。此处想说明的是，本实施例中以极板M1为例进行展示，当然还可以将通孔结构K1设置于极板M2上包围屏蔽电介质层D1和极板M1；本专利技术所述的极板可为集成电路中的层结构、封装或PCB中的层结构，以及其它任意空间耦合结构；本专利技术还提出一种电子装置，如图5所示，包括所述的新型电容器，与传统电容器结构对边缘区域不做处理不同，放置连接M1或M2层的通孔，并通过M1或M2层与电容极板相连接。本专利技术通过两层之间的多个过孔将D1层的电容器板间电介质包围屏蔽，改变了传统电容设计在这些区域的边缘没有约束和屏蔽的缺点，可以实现更好的电容特性控制，包括提高电容的Q值，减少插损等。以上所述仅为本专利技术的优选实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是在本专利技术的专利技术构思下，利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
均包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型电容器，其特征在于，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板。

【技术特征摘要】
1.一种新型电容器，其特征在于，包括两层极板、设置于两层极板之间的电介质层和连接其中一层极板的通孔结构，所述的通孔结构设置于所连接极板的边缘部位包围屏蔽电介质层及另一层极板。2.根据权利要求1所述的新型电容器，其特征在于，所述的通孔结构采用3/4包围式通孔结构。3.根据权利要求1所述的新型电容器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海涛，赖之安，王克强，
申请(专利权)人：广西芯百特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45