一种新型的射频耦合器及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种新型的射频耦合器及装置，涉及电路设计和器件技术领域，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度；在传统射频耦合器的设计上，通过改变其中一根耦合线为斜线或者阶梯型走线，增加耦合长度，同时提高耦合器参数对工艺变化的抵抗力，改善耦合器的一致性和抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的射频耦合器及装置
本专利技术涉及电路设计和器件
，尤其涉及一种新型的射频耦合器及装置。
技术介绍
射频耦合器广泛应用于现代的射频系统，包括并不限于2/3/4/5G及WiFi/Zigbee/Bluetooth等无线通讯系统中。耦合器的性能参数对依赖其耦合效应的其它元器件影响很大，对其耦合性能的一致性要求越来越高，对整个无线系统的指标有着重要的作用。如图1和图2所示，传统的射频耦合器，耦合线C1和C2均采用直线设计，射频信号通过C1一端输入，通过C1和C2的电磁场耦合，将部分能量转移给C2，耦合器的一致性和抗干扰能力有待改善。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
的问题提供一种新型的射频耦合器及装置，改善耦合器的一致性和抗干扰能力。为了实现上述目的，本专利技术提出一种新型的射频耦合器，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度。优选地，所述的第一耦合线和第二耦合线之间形成一定夹角，所述的一定夹角需确保第一耦合线、第二耦合线和电介质相互覆盖。优选地，所述的第二耦合线可为斜线或阶梯型结构。优选地，所述的第一耦合线和第二耦合线可为集成电路中的层结构、封装或PCB中的层结构。本专利技术还提出一种电子装置，包括所述的新型的射频耦合器。本专利技术提出一种新型的射频耦合器及装置，提高了耦合器对工艺变化的容忍度。在传统射频耦合器的设计上，通过改变其中一根耦合线为斜线或者阶梯型走线，增加耦合长度，同时提高耦合器参数对工艺变化的抵抗力，改善耦合器的一致性和抗干扰能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为传统耦合器主视图；图2为传统耦合器测视图；图3为本专利技术第一优选实施例中斜线型耦合器主视图；图4为本专利技术第二优选实施例中阶梯型耦合器主视图；图5为本专利技术第三优选实施例中电子装置结构示意图；标号说明：C1-第一耦合线、C2-第二耦合线、D1-电介质；本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术提出一种新型的射频耦合器；本专利技术第一优选实施例中，如图3所示，包括第一耦合线C1、第二耦合线C2和电介质D1，所述的电介质D1设置于第一耦合线C1和第二耦合线C2之间，耦合电磁场主要连接第一耦合线C1和第二耦合线C2；所述的第一耦合线C1设置为直线结构，本专利技术与传统耦合器的直线对直线耦合不同，第二耦合线C2设置为斜线型，于传统耦合器设计相比，增加了耦合器抵抗工艺变化的能力，使得耦合效率的一致性提高；对于传统耦合器中第二耦合线C2采用直线设计，对于第一耦合线C1和第二耦合线C2的对准精度比较敏感；创新的耦合器设计，各处耦合的综合效应使得对第一耦合线C1和第二耦合线C2的对准精度不敏感。本专利技术第一优选实施例中，所述的第一耦合线C1和第二耦合线C2之间形成一定夹角，所述的一定夹角需确保第一耦合线C1、第二耦合线C2和电介质D1相互覆盖。本专利技术第一优选实施例中，第一耦合线C1和第二耦合线C2可以是集成电路中的层结构，也可变更为封装或PCB中的层结构，以及其它任意空间耦合结构。本专利技术第二优选实施例中，如图4所示，包括第一耦合线C1、第二耦合线C2和电介质D1，所述的电介质D1设置于第一耦合线C1和第二耦合线C2之间，耦合电磁场主要连接第一耦合线C1和第二耦合线C2；所述的第一耦合线C1设置为直线结构，本专利技术与传统耦合器的直线对直线耦合不同，第二耦合线C2设置为阶梯型，于传统耦合器设计相比，增加了耦合器抵抗工艺变化的能力，使得耦合效率的一致性提高；对于传统耦合器中第二耦合线C2采用直线设计，对于第一耦合线C1和第二耦合线C2的对准精度比较敏感；创新的耦合器设计，各处耦合的综合效应使得对第一耦合线C1和第二耦合线C2的对准精度不敏感。本专利技术第二优选实施例中，所述的第一耦合线C1和第二耦合线C2之间形成一定夹角，所述的一定夹角需确保第一耦合线C1、第二耦合线C2和电介质D1相互覆盖。本专利技术第二优选实施例中，第一耦合线C1和第二耦合线C2可以是集成电路中的层结构，也可变更为封装或PCB中的层结构，以及其它任意空间耦合结构。本专利技术还提出一种电子装置；本专利技术第三优选实施例中，如图5所示，包括所述的新型的射频耦合器；通过在传统耦合器设计实现的基础上，通过改变耦合器的形状(第二耦合线C2采用斜线/阶梯型线/其它曲线的方式耦合)，增加了耦合器抵御工艺偏差和分布的能力，从而提升耦合器性能参数的一致性。以上所述仅为本专利技术的优选实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是在本专利技术的专利技术构思下，利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
均包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的射频耦合器，其特征在于，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度。

【技术特征摘要】
1.一种新型的射频耦合器，其特征在于，包括第一耦合线、第二耦合线和电介质，所述的电介质设置于第一耦合线和第二耦合线之间，所述的第一耦合线设置为直线结构，第二耦合线设置为非直线结构，以增加耦合长度。2.根据权利要求1所述的新型的射频耦合器，其特征在于，所述的第一耦合线和第二耦合线之间形成一定夹角，所述的一定夹角需确保第一耦合线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海涛，赖之安，王克强，
申请(专利权)人：广西芯百特微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45