故障指示器全桥翻盘电路制造技术

本发明专利技术提供了一种故障指示器全桥翻盘电路，包括控制器，NMOS管G极经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1集电极经电阻R2连接至PMOS管G4的G极组成翻盘控制电路；NMOS管G2的极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，三极管T2集电极经电阻R1连接至PMOS管G3的G极，PMOS管D极与PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路。本发明专利技术所述的故障指示器全桥翻盘电路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的开关受控，充放电更快，MOS管导通电阻很小，压降几乎为0，因此可以充分利用电容电压，从而简化电路、节约板材空间，降低了经济成本。

【技术实现步骤摘要】
故障指示器全桥翻盘电路
本专利技术属于指示器电路领域，尤其是涉及一种故障指示器全桥翻盘电路。
技术介绍
现有的外施故障指示器翻盘电路原理为指示器检测到线路故障后CPU发出翻盘信号，MCR16-100可控硅导通对应电容进行放电，从而指示器翻盘，但是目前存在如下：1.可控硅的关断点苛刻，电容放电必须放到关断点电压一下才能够进行翻盘动作；2.翻盘、复归使用两个电容，浪费板材空间；3.可控硅的管压降较大，可利用电压小；4.高温时电容的漏电流变大，电容充不满；低温时电容容量降低，从而导致在高低温条件时会影响电容容量造成翻盘不可靠的现象。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种故障指示器全桥翻盘电路，以提供一种电路简单、充放电更快、开关受控、可靠性高的故障指示器全桥翻盘电路。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种故障指示器全桥翻盘电路，包括控制器、NMOS管、PMOS管、三极管、电容C1和电容C2，所述控制器是型号为MSP430F247T的单片机，NMOS管G1的S极接地，D极连接至PMOS管G3的D极，所述NMOS管G1的G极经分别经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1的发射极接地，集电极分别经电阻R5连接至电阻R7的第一端、经电阻R2连接至PMOS管G4的G极，所述PMOS管G4的S极连接至所述电阻R7的第一端，组成翻盘控制电路；所述PMOS管G4的D极连接至NMOS管G2的D极，所述NMOS管G2的S极接地，G极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，所述三极管T2的发射极接地，集电极分别经电阻R6连接至所述电阻R7的第一端、经电阻R1连接至所述PMOS管G3的G极，所述PMOS管G3的S极连接至所述电阻R7的第一端，D极与所述PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路；所述电容C1和所述电容C2并联后一端接地，另一端连接至所述电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端连接至短节点CH1的第二接口，所述短节点CH1的第一接口连接至+9V。进一步的，所述电容C1和所述电容C2均为电解电容。进一步的，所述NMOS管G1和G2的型号相同，均为Si2302。进一步的，所述PMOS管G3和G4的型号相同，均为Si2301。进一步的，所述三极管T1和三极管T2的型号相同，均为c9014。进一步的，所述驱动线圈L1的规格为1300T/0.16mm。相对于现有技术，本专利技术所述的故障指示器全桥翻盘电路具有以下优势：(1)本专利技术所述的故障指示器全桥翻盘电路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的开关受控，充放电更快，MOS管导通电阻很小，压降几乎为0，因此可以充分利用电容电压，从而简化电路、节约板材空间，降低了经济成本。(2)本专利技术所述的故障指示器全桥翻盘电路，翻盘、复归使用电容C1与电容C2并联，节省板材空间。(3)本专利技术所述的故障指示器全桥翻盘电路，解决了由于高低温条件而影响的电容容量问题所造成的翻盘不可靠的现象。附图说明构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例所述的故障指示器全桥翻盘电路图一；图2为本专利技术实施例所述的故障指示器全桥翻盘电路图二。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。故障指示器全桥翻盘电路，如图1和图2所示，包括控制器、NMOS管、PMOS管、三极管、电容C1和电容C2，所述控制器是型号为MSP430F247T的单片机，NMOS管G1的S极接地，D极连接至PMOS管G3的D极，所述NMOS管G1的G极经分别经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1的发射极接地，集电极分别经电阻R5连接至电阻R7的第一端、经电阻R2连接至PMOS管G4的G极，所述PMOS管G4的S极连接至所述电阻R7的第一端，组成翻盘控制电路；所述PMOS管G4的D极连接至NMOS管G2的D极，所述NMOS管G2的S极接地，G极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，所述三极管T2的发射极接地，集电极分别经电阻R6连接至所述电阻R7的第一端、经电阻R1连接至所述PMOS管G3的G极，所述PMOS管G3的S极连接至所述电阻R7的第一端，D极与所述PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路；所述电容C1和所述电容C2并联后一端接地，另一端连接至所述电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端连接至短节点CH1的第二接口，所述短节点CH1的第一接口连接至+9V。本故障指示器全桥翻盘电路利用NMOS管和PMOS管的关断控制电容C1和电容C2的充放电。具有以下优点：1.采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的开关受控，充放电更快；2.翻盘、复归使用电容C1与电容C2并联，节省板材空间；3.驱动线圈档板加高，易固定；4.MOS管导通电阻很小，压降几乎为0，因此可以充分利用电容电压；5.解决了由于高低温条件而影响的电容容量问题所造成的翻盘不可靠的现象(高温时电容的漏电流变大，电容充不满；低温时电容容量降低)。所述电容C1和所述电容C2均为电解电容。所述PMOS管G3和G4的型号相同，均为Si2301。所述NMOS管G1和G2的型号相同，均为Si2302。所述三极管T1和三极管T2的型号相同，均为c9014，使用范围广，通用性强。所述驱动线圈L1的规格为1300T/0.16mm。故障指示器全桥翻盘电路的工作原理为：当控制器检测到故障后，控制器的第27引脚会发出指示器翻盘信号命令，NMOS管G1导通，通过驱动线圈L1将信号传输给PMOS管G4，PMOS管G4导通，从而电容C1放电，指示器翻盘；指示器复归与翻盘指令相同，故障结束后或者达到设定的复归时间，控制器的第30引脚会发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.故障指示器全桥翻盘电路，其特征在于：包括控制器、NMOS管、PMOS管、三极管、电容C1和电容C2，所述控制器是型号为MSP430F247T的单片机，NMOS管G1的S极接地，D极连接至PMOS管G3的D极，所述NMOS管G1的G极经分别经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1的发射极接地，集电极分别经电阻R5连接至电阻R7的第一端、经电阻R2连接至PMOS管G4的G极，所述PMOS管G4的S极连接至所述电阻R7的第一端，组成翻盘控制电路；所述PMOS管G4的D极连接至NMOS管G2的D极，所述NMOS管G2的S极接地，G极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，所述三极管T2的发射极接地，集电极分别经电阻R6连接至所述电阻R7的第一端、经电阻R1连接至所述PMOS管G3的G极，所述PMOS管G3的S极连接至所述电阻R7的第一端，D极与所述PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路；所述电容C1和所述电容C2并联后一端接地，另一端连接至所述电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端连接至短节点CH1的第二接口，所述短节点CH1的第一接口连接至+9V。...

【技术特征摘要】
1.故障指示器全桥翻盘电路，其特征在于：包括控制器、NMOS管、PMOS管、三极管、电容C1和电容C2，所述控制器是型号为MSP430F247T的单片机，NMOS管G1的S极接地，D极连接至PMOS管G3的D极，所述NMOS管G1的G极经分别经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1的发射极接地，集电极分别经电阻R5连接至电阻R7的第一端、经电阻R2连接至PMOS管G4的G极，所述PMOS管G4的S极连接至所述电阻R7的第一端，组成翻盘控制电路；所述PMOS管G4的D极连接至NMOS管G2的D极，所述NMOS管G2的S极接地，G极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，所述三极管T2的发射极接地，集电极分别经电阻R6连接至所述电阻R7的第一端、经电阻R1连接至所述PMOS管G3的G极，所述PMOS管G3的S极连接至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆业森，刘秀全，
申请(专利权)人：天津浩源慧能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12