触控装置制造方法及图纸

一种触控装置，包含透光盖板、上部薄膜、第一光学透明胶、下部薄膜以及第二光学透明胶。上部薄膜包含上部基板、上部透明导电膜以及上部走线。上部透明导电膜位于上部基板上。上部走线位于上部透明导电膜的非可视区上。第一光学透明胶位于透光盖板与上部薄膜之间。下部薄膜包含下部基板、下部透明导电膜以及下部走线。下部透明导电膜位于下部基板上。下部透明导电膜的可视区与非可视区的位置分别对应上部透明导电膜的可视区与非可视区的位置。下部走线位于下部透明导电膜的非可视区上。第二光学透明胶位于上部薄膜与下部薄膜之间。此显示装置可降低通道阻抗，并避免互感电容提升。

【技术实现步骤摘要】
触控装置
本揭露是有关于一种触控装置。
技术介绍
在现今的触控装置中，触控面板依照原理不同，可以分成电阻式、电容式、波动(声波、红外线)式等。近年来最常被使用的为电容式触控荧幕，其优势在于反应速度较电阻式触控荧幕快，使用者可以用手指轻松滑手机，而非像电阻式荧幕需用足够的力道按压才可操作。然而，电容式触控荧幕的电极形状与位置都须通过设计，才能制造出均匀电场，对于大尺寸电容式触控面板来说有相当的困难度。
技术实现思路
有鉴于此，本揭露的一些实施例揭露一种具有经过改良的显示装置，通过增加通道宽度可降低通道阻抗，再通过增加上部薄膜与下部薄膜之间光学透明胶的厚度，避免互感电容提升。借由以上设计，将可以制作大尺寸的电容式触控显示装置。根据本揭露一实施方式，一种触控装置，包含透光盖板、上部薄膜、第一光学透明胶、下部薄膜以及第二光学透明胶。上部薄膜包含上部基板、上部透明导电膜以及上部走线。上部透明导电膜位于上部基板上，且具有可视区与围绕可视区的非可视区。上部走线位于上部透明导电膜的非可视区上。第一光学透明胶位于透光盖板与上部薄膜之间。下部薄膜包含下部基板、下部透明导电膜以及下部走线。下部透明导电膜位于下部基板上，且具有可视区与非可视区，其中下部透明导电膜的可视区与非可视区的位置分别对应上部透明导电膜的可视区与非可视区的位置。下部走线位于下部透明导电膜的非可视区上。第二光学透明胶位于上部薄膜与下部薄膜之间。在一实施方式中，上部透明导电膜包含发射通道，发射通道的宽度大于或等于11mm；下部透明导电膜包含接收通道，接收通道的宽度大于或等于11mm。在一实施方式中，上部透明导电膜包含接收通道，接收通道的宽度大于或等于11mm；下部透明导电膜包含发射通道，发射通道的宽度大于或等于11mm。在一实施方式中，上部透明导电膜与下部透明导电膜其中之一包含相邻的第一发射通道与第二发射通道，第一发射通道与第二发射通道的形状相同，第一发射通道与第二发射通道分别具有位置对应的第一位置与第二位置，且第一位置与第二位置之间的距离大于或等于11mm。在一实施方式中，上部透明导电膜与下部透明导电膜其中之一包含相邻的第一接收通道与第二接收通道，第一接收通道与第二接收通道的形状相同，第一接收通道与第二接收通道分别具有位置对应的第一位置与第二位置，且第一位置与第二位置之间的距离大于或等于11mm。在一实施方式中，第二光学透明胶的厚度介于250μm至500μm的范围。在一实施方式中，触控装置的对角线大于或等于65吋。在一实施方式中，上部透明导电膜具有开口，开口位于上部透明导电膜的可视区与非可视区之间，且第一光学透明胶位于开口中。在一实施方式中，下部透明导电膜具有开口，开口位于下部透明导电膜的可视区与非可视区之间，且第二光学透明胶位于开口中。借由上述技术方案，本技术至少具有下列优点：本申请的触控装置可降低通道阻抗，并避免互感电容提升。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图1为根据本揭露一实施方式的触控装置的立体图。图2为图1的触控装置沿线段2-2的剖面图。图3为图2的上部薄膜的仰视图。图4为图2的下部薄膜的仰视图。图5为图1的触控装置沿线段5-5的剖面图。图6为图3的上部透明导电膜与图4的下部透明导电膜叠合时的发射通道与接收通道的结构示意图。图7为根据本揭露另一实施方式的触控装置的剖面图，其剖面位置与图2相同。图8为图7的上部薄膜的仰视图。图9为图7的下部薄膜的仰视图。【主要元件符号说明】100、100a：触控装置102：壳体110：透光盖板120、120a：上部薄膜122：上部基板123e、123E：发射通道124、124a：上部透明导电膜125a：可视区125b：非可视区126、126a：上部走线130：第一光学透明胶140、140a：下部薄膜142：下部基板143r、143R：接收通道144、144a：下部透明导电膜145a：可视区145b：非可视区146、146a：下部走线150：第二光学透明胶160：开口170：开口d1、d2：宽度d3、d4：距离L1、L2：虚线P1、P2、P3、P4、P5、P6：点具体实施方式以下将以图式揭露本揭露的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说，在本揭露部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。图1为根据本揭露一实施方式的触控装置100的立体图。图2为图1的触控装置100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2，触控装置100包含透光盖板110、上部薄膜120、第一光学透明胶130、下部薄膜140以及第二光学透明胶150。在一实施方式中，触控装置100的对角线可大于或等于65吋，为大尺寸触控面板。上部薄膜120包含上部基板122、上部透明导电膜124以及上部走线126。上部透明导电膜124位于上部基板122上，且具有可视区125a与非可视区125b。非可视区125b围绕可视区125a。可视区125a位于虚线L1、L2之间的区域，其位置对应触控装置100的壳体102的开口位置。非可视区125b位于虚线L1、L2外侧的区域，由遮光油墨所覆盖。上部走线126位于上部透明导电膜124的非可视区125b上。第一光学透明胶130位于透光盖板110与上部薄膜120之间。下部薄膜140包含下部基板142以及下部透明导电膜144。下部透明导电膜144位于下部基板142上，且具有可视区145a与非可视区145b。非可视区145b围绕可视区145a。下部透明导电膜144的可视区145a与非可视区145b的位置分别对应上部透明导电膜124的可视区125a与非可视区125b的位置。第二光学透明胶150位于上部薄膜120与下部薄膜140之间。上部走线126的制作方式可先在上部透明导电膜124镀上的一层铜，接着通过曝光蚀刻或激光雕刻制造过程图案化，以确保上部走线126的品质。上部走线126可取代现有习知采用导电银浆印刷产生的边缘走线，对于大尺寸触控装置100来说可有效提高生产的效益与良率。此外，由于触控装置100包含位于上部薄膜120与下部薄膜140之间的第二光学透明胶150，因此可借由增加第二光学透明胶150的厚度，以降低互感电容。此外，上部透明导电膜124可具有开口160。开口160位于上部透明导电膜124的可视区125a与非可视区125b之间，且第一光学透明胶130位于开口160中。透光盖板110的材料可以为玻璃(Glass)，但并不以此为限。上部薄膜120和下部薄膜140为用于触控的两层相叠薄膜，以让触控装置100具有触控的功能。图3为图2的上部薄膜120的仰视图。同时参阅图2与图3，上部透明导电膜124包含发射通道123e，发射通道123e的点P1至点P2之间的距离为宽度d1。在一实施方式中，宽度d1可大于或等于11mm，以降低通道阻抗。上部透明导电膜124的非可视区1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控装置，其特征在于包含：透光盖板；上部薄膜，包含：上部基板；上部透明导电膜，位于该上部基板上，且具有可视区与围绕该可视区的非可视区；以及上部走线，位于该上部透明导电膜的该非可视区上；第一光学透明胶，位于该透光盖板与该上部薄膜之间；下部薄膜，包含：下部基板；下部透明导电膜，位于该下部基板上，且具有可视区与非可视区，其中该下部透明导电膜的该可视区与该非可视区的位置分别对应该上部透明导电膜的该可视区与该非可视区的位置；以及下部走线，位于该下部透明导电膜的该非可视区上；以及第二光学透明胶，位于该上部薄膜与该下部薄膜之间。

【技术特征摘要】
1.一种触控装置，其特征在于包含：透光盖板；上部薄膜，包含：上部基板；上部透明导电膜，位于该上部基板上，且具有可视区与围绕该可视区的非可视区；以及上部走线，位于该上部透明导电膜的该非可视区上；第一光学透明胶，位于该透光盖板与该上部薄膜之间；下部薄膜，包含：下部基板；下部透明导电膜，位于该下部基板上，且具有可视区与非可视区，其中该下部透明导电膜的该可视区与该非可视区的位置分别对应该上部透明导电膜的该可视区与该非可视区的位置；以及下部走线，位于该下部透明导电膜的该非可视区上；以及第二光学透明胶，位于该上部薄膜与该下部薄膜之间。2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：其中该上部透明导电膜包含发射通道，该发射通道的宽度大于或等于11mm；该下部透明导电膜包含接收通道，该接收通道的宽度大于或等于11mm。3.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：其中该上部透明导电膜包含接收通道，该接收通道的宽度大于或等于11mm；该下部透明导电膜包含发射通道，该发射通道的宽度大于或等于11mm。4.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：其中该上部透明导电膜与该下部透明导电膜其中之一包含相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽坤，
申请(专利权)人：嵩达光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71