一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃‑200℃‑300℃‑300℃‑300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm。本发明专利技术各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题，本发明专利技术设计合理，适合推广使用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺
本专利技术涉及电子元器件
，具体涉及一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。
技术介绍
随着电子产品智能化程度越来越高，在不增加电子产品体积的情况下，对电子元器件的需求越来越趋向小型化，SMD20162016及以下规格的晶体谐振器深受市场青睐，但目前行业水平SMD20162520以上规格的晶体谐振器国内有成熟的制造工艺，而SMD20162016晶体谐振器大多依靠日本进口；国内品牌虽然在陆续研发并量产，但由于制造工艺不成熟，产品的良品率、电气特性、年老化率方面的稳定性都与日本工厂有较大的差距，主要是采用日本出厂的固化炉设备的设计工艺，固化炉的温区常规设置：180℃-180℃-240℃-240℃-240℃，走速35mm/min，氧含量标准<100ppm，所以目前市场的产品年老化率一般在±3ppm或±5ppm以内。
技术实现思路
本专利技术为了克服上述的不足，提供一种产品频率、电阻的老化率低的用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。作为优选，五个温区中，氮气的含量为50ml。作为优选，在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。作为优选，在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。本专利技术的有益效果是：相对于现有技术以及图1，本专利技术用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺具有以下特点：1、各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；2、对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题。附图说明本专利技术将通过例子并参照附图的方式说明，其中：图1是现有的固化炉加热工艺；图2是本专利技术的固化炉加热工艺。具体实施方式现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。实施例1：如图2所示，用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。该实施例中：五个温区中，氮气的含量为50ml。该实施例中：在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。该实施例中：在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。年老化率对比(对比参数为FL和RR)：负载谐振频率(fL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。等效电阻(ESR，RR，R1)：又称谐振电阻。在规定条件下，石英晶体谐振器不串联负载电容在谐振频率时的电阻。上述依据本专利技术为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，其特征在于：固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃‑200℃‑300℃‑300℃‑300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；在第一温区和第二温区中，持续时间在30‑40min；在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50‑70min。

【技术特征摘要】
1.一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，其特征在于：固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳斌，匡华强，
申请(专利权)人：江苏海德频率科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32