本发明专利技术公开了一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，包括以下步骤：前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库，晶片的边缘采用倒边工艺。本发明专利技术因晶片的边缘采用倒边工艺，增大了镀膜电极的尺寸，减小了镀膜电极的厚度，以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；定位片外形由原直角改为嵌入型圆角，以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面，增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面，避免电极扩散；增加了微调离子溅射时的刻蚀面积，三点一线的对称性更集中；降低了平均阻抗，提高了起振率，降低了能耗。
【技术实现步骤摘要】
一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺
本专利技术涉及电力电子
，具体涉及一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺。
技术介绍
目前行业水平对于SMD3225谐振器的主电极设计以长方形或正方形为主，配套以基频振动方式切割的厚度小于0.10mm长方形的晶片，均有成熟的制造工艺。但对于厚度大于0.10mm的晶片，由于晶片越厚谐振器产品的阻抗越大，晶片的制造工艺增加了滚筒倒边，晶片外形厚度呈凸面状，以传统的电极设计用于厚度在0.10～0.15mm的晶片还勉强可以实现，但对于厚度大于0.15mm晶片用传统的电极片，在制造过程电极面扩散严重，阻抗特性差，静态电容、动态电容的特性不良率高，严重者产品直接短路不起振或绝缘不良。因此，目前按传统电极片设计的SMD3225/11.2896M以下低频段谐振器产品，成本高、电气特性差、生产效率低，产品应用领域窄，市场占有量低。本专利技术SMD3225低频段谐振器的电极片设计正是为了解决这一技术难点。
技术实现思路
本专利技术为了克服上述的不足，提供一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，包括以下步骤：前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；晶片的边缘采用倒边工艺，减小了晶片外周边缘厚度，能够有效降低阻抗，保证谐振器的起振率；在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，因低频段谐振器的晶片倒边尺寸大，因此设计改变了镀镆电极外形，由原矩形设计改为圆角矩形设计，并增大圆角尺寸，设计匹配的镀膜电极面积，以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm，定位片外形由原直角改为嵌入型圆角，以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面，增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面，避免电极扩散；在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2mm，微调电极片与晶片的偏心距离为0.2mm，增加了微调离子溅射时的刻蚀面积，三点一线的对称性更集中。作为优选，所述晶片的阻抗为70～85Ω，改进前晶片的阻抗均值约140Ω，改进后晶片的阻抗平均值79Ω左右，平均阻抗下降61Ω，下降比例43.57％。静态电容、动态电容的特性不良率由原11％降为0。不起振与绝缘不良原4％降为0。作为优选，所述定位片经过氧化铝砂进行喷砂处理。作为优选，在前洗步骤中，采用超声波清洗剂对晶片进行清洗。作为优选，在固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，固化炉中的温区设置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，转速为25mm/min。本专利技术的有益效果是：用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺具有以下特点：1、因晶片的边缘采用倒边工艺，增大了镀膜电极的尺寸，减小了镀膜电极的厚度，以抑制由于晶片中间厚边缘薄带来的电极扩散、电气特性差的问题；2、定位片外形由原直角改为嵌入型圆角，以增加低频段倒边晶片长度与宽度方向的接触面，增加了低频段倒边晶片凸面与上下电极片的接触面，避免电极扩散；3、增加了微调离子溅射时的刻蚀面积，三点一线的对称性更集中；4、降低了平均阻抗，提高了起振率，降低了能耗。具体实施方式现在对本专利技术作进一步详细说明。一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，以目前生产的低频段谐振器产品以3225/8.000M晶片为例，包括以下步骤：前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；晶片的边缘采用倒边工艺，晶片的阻抗为70～85Ω；在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm，所述定位片经过氧化铝砂进行喷砂处理；在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2mm，微调电极片与晶片的偏心距离为0.2mm；在前洗步骤中，采用超声波清洗剂对晶片进行清洗。在固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，固化炉中的温区设置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，转速为25mm/min。实施例1：设计制造3225/8.000MHz晶体谐振器，规格要求满足C0：0.8±0.1Pf；C1：1.4±0.2pF；RR<120Ω，结合公式C0＝0.0402×A×f标÷K+(0.4～0.8)，匹配设计镀镆夹具：定位片：3225/504位/A3517/2.2*1.59*0.15mm；上掩膜片：3225/504位//B3510UPMASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm；下掩膜片：3225/504位//B3510DNMASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm。按本专利技术设计批量生产可满足规格条件，数据如下：实施例2：设计制造3225/7.9872MHz晶体谐振器，规格要求满足C0：0.8±0.1Pf；C1：1.4±0.2pF；RR<150Ω，结合公式C0＝0.0402×A×f标÷K+(0.4～0.8)，匹配设计镀镆夹具：定位片：3225/504位/A3517/2.2*1.59*0.15mm；上掩膜片：3225/504位//B3510UPMASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm；下掩膜片：3225/504位//B3510DNMASK/1.45*1.3*0.10(F：0.15；R：0.3)mm。按本专利技术设计批量生产可满足规格条件，数据如下：本专利技术通过各项设计的改进，把SMD3225/11.2896M以下低频段谐振器产品形成量产化，且各项电气特性优于目前行业水平。同步攻克了晶片厚度为0.15～0.22mm(11.2896M～7.6M)之间同类产品的技术难题。本专利技术产品在无线充、智能家居方面得到广泛应用。上述依据本专利技术为启示，通过上述的说明本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，其特征在于包括以下步骤：/n前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；/n晶片的边缘采用倒边工艺；/n在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm；/n在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2mm，微调电极片与晶片的偏心距离为0.2mm。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于SMD3225低频段谐振器的制造工艺，其特征在于包括以下步骤：
前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；
晶片的边缘采用倒边工艺；
在镀膜步骤中：镀膜电极片采用倒圆角工艺，且圆角的半径为0.3mm，镀膜电极片的长度为1.30～1.45mm，镀膜电极片的宽度为1.30～1.38mm，镀膜电极片的厚度为0.10mm，镀膜电极片与晶片的偏心距离为0.15mm，定位片中的槽位采用嵌入式圆角，槽位的长度为2.10～2.30mm，槽位的宽度为1.50～1.70mm，槽位的深度为0.15mm；
在微调步骤中：微调板上微调电极片的长度为1.2～1.3mm，微调电极片的宽度为1.0～1.2mm，微调电极片的厚度为0.2...
【专利技术属性】
技术研发人员：王秋贞，
申请(专利权)人：江苏海德频率科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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