一种红外探测器用8—14μm红外带通滤光片，包括前表面膜系、基底、后表面膜系（如图1），前表面及后表面膜系均由锗材料和硫化锌材料相互叠加而成。其在工作波段8—14μm内具有高的透过率，而在其他波段截止。与传统滤光片相比具有透过率高，截止深度高的特点，配合红外探测器使用，有益的提高了传感器的信噪比及其使用效果。
【技术实现步骤摘要】
红外探测器用带通滤光片
本技术涉及一种红外带通滤光片，尤其是8—14微米红外带通滤光片。
技术介绍
红外探测器是一种利用热敏材料对外界热信号自发极化产生微弱电压信号原理而制成的探测器，由于不同物体甚至同一物体不同部位热辐射能力和对于红外线的反射强弱不同，利用物体与背景环境的热辐射差异以及物体本身各部分热辐射的差异，红外探测器可以输出呈现物体各部分的辐射，从而显示出景物的特征。红外带通滤光片作为红外探测器的重要组成部件，对于探测器对于红外能量的探测具有着至关重要的作用，其对于特定波段8—14微米的光谱范围具有着高透过率，而其它波段的光谱范围有着深度截止的作用。而目前市面上原有的红外带通滤光片由其膜层过厚，不利于生产效率提高，且透过率及截止深度低，造成传感器误报、灵敏度低的现象，因此设计一款有益生产效率及高信噪比的滤光片对于红外探测器行业尤为重要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高信噪比、高生产效率的红外探测器用8—14微米红外带通滤光片。采用双电阻蒸镀法代替传统的电子枪及电阻混用蒸镀法，可以更加均衡的控制镀膜材料的蒸发速度，有效控制膜层的厚度及均匀性，有效减少了膜层镀制的层数，达到更加高效的透过及截止效果。本专利技术是通过以下方式来实现的：一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，包括基底，前表面膜系及后表面膜系，其中基底为硅片，前表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的48层膜系，后表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的13层膜系。优选的，一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，其特征在于：其前表面膜系第一层至第48层构成材料及厚度如下：173纳米Ge，272纳米ZnS，179纳米Ge，254纳米ZnS，166纳米Ge，321纳米ZnS，146纳米Ge，335纳米ZnS，126纳米Ge，304纳米ZnS，182纳米Ge，281纳米ZnS，158纳米Ge，345纳米ZnS，291纳米Ge，259纳米ZnS，242纳米Ge，285纳米ZnS，315纳米Ge，143纳米ZnS，212纳米Ge，357纳米ZnS，271纳米Ge，380纳米ZnS，220纳米Ge，602纳米ZnS，225纳米Ge，531纳米ZnS，181纳米Ge，548纳米ZnS，290纳米Ge，680纳米ZnS，218纳米Ge，521纳米ZnS，168纳米Ge，656纳米ZnS，347纳米Ge，683纳米ZnS，372纳米Ge，762纳米ZnS，371纳米Ge，710纳米ZnS，388纳米Ge，765纳米ZnS，362纳米Ge，639纳米ZnS，375纳米Ge，1459纳米ZnS。优选的，一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，其特征在于：其后表面膜系第一层至第13层构成材料及厚度如下：216纳米Ge，198纳米ZnS，2282纳米Ge，1152纳米ZnS，2124纳米Ge，1057纳米ZnS，2033纳米Ge，1079纳米ZnS，1977纳米Ge，1094纳米ZnS，2078纳米Ge，973纳米ZnS，982纳米Ge。本技术涉及材料具有相应厚度，并且允许其在一定公差范围内变化，其公差范围所涉及厚度变化的范围应在本技术的保护范围内，厚度公差在±20纳米内。本专利技术的原理：通过对于滤光片的膜层及镀膜方法的设计，有效减少了膜层镀制的层数及厚度，解决了滤光片在8—14微米光谱范围内透过率低，及其它波段的低截止。与现有技术相比，本技术实现了滤光片在中心波长8±0.5微米至14±0.5微米光谱范围内的90%以上透过率，及其它波段低于0.1%的深度截止，从而提高了红外探测器的信噪比，简化了膜层厚度，提高了滤光片的生产效率。附图说明下面通过实施例，结合附图对本专利技术作进一步描述。图1为本技术的结构示意图。图2为本技术的光谱透过率及截止范围曲线图。具体实施方式：下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明：如图1所示，本技术结构为：基底1，前表面膜2及后表面膜3，基底1为硅片，其中前表面膜2由锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的48层膜系，其第一层至第48层构成材料及厚度如下：173纳米Ge，272纳米ZnS，179纳米Ge，254纳米ZnS，166纳米Ge，321纳米ZnS，146纳米Ge，335纳米ZnS，126纳米Ge，304纳米ZnS，182纳米Ge，281纳米ZnS，158纳米Ge，345纳米ZnS，291纳米Ge，259纳米ZnS，242纳米Ge，285纳米ZnS，315纳米Ge，143纳米ZnS，212纳米Ge，357纳米ZnS，271纳米Ge，380纳米ZnS，220纳米Ge，602纳米ZnS，225纳米Ge，531纳米ZnS，181纳米Ge，548纳米ZnS，290纳米Ge，680纳米ZnS，218纳米Ge，521纳米ZnS，168纳米Ge，656纳米ZnS，347纳米Ge，683纳米ZnS，372纳米Ge，762纳米ZnS，371纳米Ge，710纳米ZnS，388纳米Ge，765纳米ZnS，362纳米Ge，639纳米ZnS，375纳米Ge，1459纳米ZnS；后表面膜3是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的13层膜系，第一层至第13层构成材料及厚度如下：216纳米Ge，198纳米ZnS，2282纳米Ge，1152纳米ZnS，2124纳米Ge，1057纳米ZnS，2033纳米Ge，1079纳米ZnS，1977纳米Ge，1094纳米ZnS，2078纳米Ge，973纳米ZnS，982纳米Ge。如图2所示，为本设计所得到的一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，实现了滤光片在8—14微米光谱范围内的90%以上透过率，及其它波段低于0.1%的深度截止，从而提高了红外探测器的信噪比，简化了膜层厚度，提高了滤光片的生产效率。上述实施例只是本技术的1个实例，并不是用来限制本技术的实施与权利范围，凡与本技术权利要求所述内容相同或等同的技术方案，均应包括在本技术保护范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，其特征在于：包括基底，前表面膜系及后表面膜系，其中基底为硅片，前表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的48层膜系，后表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的13层膜系。
【技术特征摘要】
1.一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，其特征在于：包括基底，前表面膜系及后表面膜系，其中基底为硅片，前表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的48层膜系，后表面膜系是锗Ge材料和硫化锌ZnS材料相互叠加蒸镀而成的13层膜系。2.根据权利要求1所述的一种红外探测器用8—14微米红外带通滤光片，其特征在于：其前表面膜系第一层至第48层构成材料及厚度如下：173纳米Ge，272纳米ZnS，179纳米Ge，254纳米ZnS，166纳米Ge，321纳米ZnS，146纳米Ge，335纳米ZnS，126纳米Ge，304纳米ZnS，182纳米Ge，281纳米ZnS，158纳米Ge，345纳米ZnS，291纳米Ge，259纳米ZnS，242纳米Ge，285纳米ZnS，315纳米Ge，143纳米ZnS，212纳米Ge，357纳米ZnS，271纳米Ge，380纳米Z...
【专利技术属性】
技术研发人员：单森林，
申请(专利权)人：森霸传感科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41
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