MOS继电器的接线结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种MOS继电器的接线结构，涉及控制电路技术领域，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。避免了单个端子接线发热严重的情况。

【技术实现步骤摘要】
MOS继电器的接线结构
本技术涉及控制电路
，具体而言，涉及一种MOS继电器的接线结构。
技术介绍
申请人在实现本技术的过程中发现，MOS继电器在长时间使用过程中出现比较明显的发热过量问题，经检查目前市面上的MOS继电器接线方式是在MOS开关两端各用一个端子进行连接，使得MOS开关中的MOS管过电流会不均衡，离接线端子近的MOS管会通过较大的电流，从而MOS管过热甚至损坏MOS管。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一，公开了一种MOS继电器的接线结构，降低了MOS继电器中MOS管的发热情况。本技术公开了一种MOS继电器的接线结构，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。根据本技术公开的MOS继电器的接线结构，优选地，MOS开关阵列包括18个MOS开关；每个接线端子连接三个MOS开关。本技术的有益效果至少包括：通过增加接线端子的方式，避免了单个端子接线发热的情况；接线端子均匀分布在MOS开关中间，可以使每个MOS开关通过的电流比较均衡，避免了单个MOS过电流太大的情况。附图说明图1示出了根据本技术的实施例的MOS继电器的接线结构示意图。图中：1.接线端子、2.MOS开关。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行进一步的详细描述。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是，本技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本技术并不限于下面公开的具体实施例的限制。如图所示，本技术的实施例公开了一种MOS继电器的接线结构，包括：多个MOS开关2组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子1，接线端子1均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关2通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。根据上述实施例，优选地，MOS开关阵列包括18个MOS开关；每3个MOS管中间加一个接线端子，代替传统的单个接线端子。在该实施例中，MOS开关阵列包括18个N型MOS开关2，分成两组，每组中的9个为并联连接，组与组之间的连接关系为：MOS开关的漏极相连。相较于传统的MOS继电器，本技术将多个接线端子连接在MOS开关的两端，将大电流均衡的分布在各个端子上，降低了单个端子的发热情况，并且端子均匀分布在MOS开关中，可以使每个MOS开关通过的电流基本均衡，降低了MOS开关的发热情况。采用多端接线的方式代替传统的单端接线的方式，解决了MOS过电流不均衡、接线端子过热的问题。以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS继电器的接线结构，其特征在于，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在所述MOS开关阵列中的多个接线端子，所述接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。

【技术特征摘要】
1.一种MOS继电器的接线结构，其特征在于，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在所述MOS开关阵列中的多个接线端子，所述接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡广华，刘伟信，郭明星，李子航，
申请(专利权)人：天津隆华瑞达科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12