一种单晶炉不锈钢多次加料装置制造方法及图纸

技术编号:20821641 阅读:35 留言:0更新日期:2019-04-10 06:24
一种单晶硅不锈钢多次加料装置,包括连接轴,法兰一,法兰二,筒体部分,升降杆,筒底;所述的连接轴与法兰一固定在一起;所述升降杆上端固定在法兰一上并穿过法兰一和法兰二与筒底连接在一起;所述的筒体部分包括筒体和衬筒,所述筒体包裹衬筒并固定在一起;所述的筒底包括筒底一和筒底二,所述筒底一和筒底二均为半筒底。结构设计隔离了不锈钢与多晶硅的直接接触,避免了卡料现象的发生;并避免了不锈钢材质受高温影响发生化学变化影响单晶硅棒体的品质变化。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉不锈钢多次加料装置
本技术涉及单晶炉设备制造领域,具体地说是一种单晶炉不锈钢多次加料装置。
技术介绍
在单晶硅直拉法生产过程中,一般是将硅料加入到坩埚里加热融化,然后冷却至一定的温度,把籽晶装入硅籽晶夹持器中,将夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接,通过提升,使籽晶长大形成硅棒。由于在加料前多晶硅初始状态为固态,而加热后多晶硅体积缩小,所以在坩埚内多晶硅的体积减少,使得坩埚上部还有剩余较大的空间,使得多晶硅的调料相当于单晶炉调料不足,造成一次拉出的单晶硅的棒体长度较短,不能很好的利用生产设备和生产合适长度的多晶硅棒体,所以现在的单晶炉生产一般都设置有二次或多次加料装置,加料装置根据加料工具的材质分类有金属和非金属加料装置,金属加料装置与非金属加料装置相比,在使用时存在着卡料和污染的问题,即由于金属与硅料之间的摩擦力作用使得硅料滞留在加料装置的筒壁上,污染的原因是由于在单晶炉高温环境下,金属加料装置易析出单金属颗粒污染单晶硅,使得硅棒的品质受到影响。
技术实现思路
针对以上结构,本技术提供一种单晶炉不锈钢多次加料装置,解决了单晶炉由于一次填料不足造成的一次拉出的单晶硅棒体长度不足的缺陷,同时解决了卡料和污染单晶硅棒体的缺点。本技术解决其技术问题所采取的技术方案是:一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:包括连接轴,法兰一,法兰二,筒体部分,升降杆,筒底;所述的连接轴与法兰一固定在一起;所述升降杆上端固定在法兰一上并穿过法兰一和法兰二与筒底连接在一起;所述的筒体部分包括外筒体和衬筒,所述外筒体包裹衬筒并固定在一起;所述的筒底包括筒底一和筒底二,所述筒底一和筒底二均为半筒底。作为优化,所述的连接轴通过套筒与筋板和法兰一相连接,所述套筒内孔与连接轴配合,外侧上端与筋板竖直面固定连接,下端与法兰一固定连接,所述筋板对称固定在法兰一上平面。作为优化,所述的法兰二中间设有一大通孔,一中心线上对称设置两小通孔,所述大通孔中固定有外筒体和衬筒,小通孔中固定滑套一。作为优化,所述的滑套二固定在外筒体外侧壁上。作为优化,所述的升降杆上端与法兰一通过螺纹连接,中间穿过滑套一和滑套二,并与滑套一和滑套二为滑动连接,下端与连接块固定连接。作为优化,所述的连接块为梯形,上端为窄端与升降杆连接固定,下端为宽端,通过销轴一与两连接杆铰接,销轴一端部固定有插销。作为优化,所述的连接杆另一端与筒底通过销轴二铰接,所述的销轴二固定于固定块一中并通过插销固定定位。作为优化,所述的筒底一和筒底二通过固定于销轴固定块二中的销轴三与筒体铰接。作为优化,所述的衬筒材质为石英或为不锈钢搪瓷处理面。作为优化,所述的筒底材质为石英。本技术的有益效果是:与现有技术相比,本技术的一种单晶炉不锈钢多次加料装置,筒体采用内衬,同时升降杆设置在筒体外,避免了不锈钢与多晶硅的直接接触,避免了卡料现象的发生;入单晶炉内的筒底部分采用石英材质,避免了不锈钢材质受高温影响发生化学变化影响单晶硅棒体的品质变化。附图说明图1为本技术局部剖视图;图2位本技术升降杆下降示意图;图3位本技术俯视图;图4位本技术连接块局部剖视图;其中,1连接轴,2套筒,3筋板,4筒体部分,401外筒体,402衬筒,5法兰一,6升降杆,7法兰二,8滑套一,9滑套二,10连接块,11销轴一,12插销,13连接杆,14销轴固定块一,15销轴二,16销轴三,17销轴固定块二,18筒底,1801筒底一,1802筒底二。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的。技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围,而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。如图1-4所示,一种单晶炉不锈钢多次加料装置,包括连接轴1,法兰一5,法兰二7,筒体部分4,升降杆6,筒底18;所述的连接轴1与法兰一5固定在一起;所述升降杆6上端固定在法兰一5上并穿过法兰一5和法兰二7与筒底18连接在一起,连接轴1可带动法兰一5和升降杆6一起升降,升降杆6的升降可带动筒底18动作;所述的筒体部分4包括外筒体401和衬筒402,所述外筒体401包裹衬筒402并固定在一起,即外筒体为外筒,衬筒402为内筒,衬筒402隔离了外侧不锈钢筒体与多晶硅料的直接接触,避免卡料的发生,所述筒底18包括筒底一1801和筒底二1802,所述筒底一1801和筒底二1802均为半筒底,两半筒底在升降杆6带动下可张开或闭合,实现原料的盛放和向单晶炉内的洒落加料。作为本实施例的进一步优化,所述的连接轴1通过套筒2与筋板3和法兰一5相连接,所述套筒2内孔与连接轴1配合,外侧上端与筋板3竖直面固定连接,下端与法兰一5固定连接,所述筋板3对称固定在法兰一5上平面,连接轴1与外部操控装置连接,操控连接轴的升降,即可带动法兰一5的升降。作为本实施例的进一步优化,所述的法兰二7中间设有一大通孔,一直径上对称设置两小通孔,所述大通孔中固定有外筒体401和衬筒402,小通孔中固定滑套一8;所述的滑套二9固定在外筒体401外侧壁上,法兰二7与滑套一8和滑套二9在升降杆6升降时是不动作的。作为本实施例的进一步优化,所述的升降杆6穿过滑套一8和滑套二9,并与滑套一8和滑套二9为滑动连接,所述的升降杆6上端与法兰一通过螺纹连接并通过螺母拧紧固定,下端与连接块10固定连接。作为本实施例的进一步优化,如图1和4所示,所述的连接块10为梯形,上端为窄端与升降杆6连接固定,下端为宽端,通过销轴一11与两连接杆13一端铰接,两连接杆13另一端与筒底18通过销轴二15铰接,销轴二15固定于连接块14中,销轴一和销轴二端部都通过插销12固定定位。连接轴1在操控外力作用下升降,带动法兰一5和升降杆6升降升降杆带动连接块10升降,连接块10升降带动两连接杆13升降,连接杆13下降,带动两半筒底下降,则筒底18从中间打开,多晶硅料滑落进单晶炉内,升降杆6上升,带动连接块10上升,进而带动两连接杆13上升,则两半筒底闭合。作为本实施例的进一步优化,所述的筒底一1801和筒底二1802通过固定于固定块二中的销轴三16与外筒体401铰接,即两半筒底一端可绕筒体4转动,另一端在两连接杆13的带动下打开或闭合。在本实施例中,衬筒402材质可选择为石英或是将不锈钢进行搪瓷处理,目的是为隔离不锈钢筒体与多晶硅料的直接接触而造成的卡料现象;而筒底材料也设置为石英材质,是因为筒底在打开时深入到了单晶炉内,由于在高温作用下不锈钢材质会发生反应析出单金属污染硅晶材质,所以设置为石英材质。在具体设置时,不锈钢加料装置可设置在上炉体,避免进入高温区域,只将筒底部分接近单晶炉的的高温区域,可避免污染产品。工作时,连接轴在1外力作用下上升,进而带动法兰一5、升降杆6、两连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:包括连接轴(1),法兰一(5),法兰二(7),筒体部分(4),升降杆(6),筒底(18);所述的连接轴(1)与法兰一(5)固定在一起;所述升降杆(6)上端固定在法兰一(5)上并穿过法兰一(5)和法兰二(7)与筒底(18)连接在一起;所述的筒体部分(4)包括外筒体(401)和衬筒(402),所述外筒体(401)包裹衬筒(402)并固定在一起;所述的筒底(18)包括筒底一(1801)和筒底二(1802),所述筒底一(1801)和筒底二(1802)均为半筒底。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:包括连接轴(1),法兰一(5),法兰二(7),筒体部分(4),升降杆(6),筒底(18);所述的连接轴(1)与法兰一(5)固定在一起;所述升降杆(6)上端固定在法兰一(5)上并穿过法兰一(5)和法兰二(7)与筒底(18)连接在一起;所述的筒体部分(4)包括外筒体(401)和衬筒(402),所述外筒体(401)包裹衬筒(402)并固定在一起;所述的筒底(18)包括筒底一(1801)和筒底二(1802),所述筒底一(1801)和筒底二(1802)均为半筒底。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:所述的连接轴(1)通过套筒(2)与筋板(3)和法兰一(5)相连接,所述套筒(2)内孔与连接轴(1)配合连接,外部上端与筋板(3)竖直面固定连接,外部下端与法兰一(5)固定连接,所述筋板(3)对称固定在法兰一(5)上平面。3.根据权利要求1所述的一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:所述的法兰二(7)中间设有一大通孔,一中心线上对称设置两小通孔,所述大通孔中固定有外筒体(401)和衬筒(402),小通孔中固定滑套一(8)。4.根据权利要求1所述的一种单晶炉不锈钢多次加料装置,其特征在于:所述的升降杆(6)所述的升降...

【专利技术属性】
技术研发人员:王永超郭城吕明李忠泉
申请(专利权)人:济南科盛电子有限公司
类型:新型
国别省市:山东,37

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