射频（RF）接收器电路制造技术

一种集成电路包括第一高通滤波器，其具有被耦合成接收第一信号的输入和耦合到第一晶体管差分对的第一输入的输出。第二高通滤波器包括被耦合成接收第二信号的输入和耦合到所述第一晶体管差分对的第二输入的输出。所述第二信号可以是所述第一信号的互补信号。第二晶体管差分对包括耦合到第一电压供应端的控制电极。升压电路被耦合在所述第二晶体管差分对与所述第一电压供应端之间。低通滤波器被耦合在所述第一晶体管差分对与所述第二晶体管差分对之间。

RF Receiver Circuit

An integrated circuit includes a first high-pass filter having an input coupled to receive a first signal and an output coupled to a first input of a first transistor differential pair. The second high-pass filter includes an input coupled to receive a second signal and an output coupled to the second input of the first transistor differential pair. The second signal may be a complementary signal of the first signal. The second transistor differential pair includes a control electrode coupled to the first voltage supply. The boost circuit is coupled between the second transistor differential pair and the first voltage supply terminal. A low pass filter is coupled between the first transistor differential pair and the second transistor differential pair.

【技术实现步骤摘要】
射频(RF)接收器电路
本公开大体上涉及射频(radiofrequency，RF)电路系统，且更具体地说，涉及集成电路(integratedcircuit，IC)中的RF接收器放大器电路系统。
技术介绍
许多芯片上系统(systems-on-a-chip，SoC)集成电路应用在同一集成电路(IC)上包括模拟、数字和射频(RF)电路。举例来说，数字电路的晶体管开关可导致电源有非常大的噪声。这种模拟和RF电路可能对电源噪声高度敏感。随着性能需求增长，模拟和RF电路上的噪声的影响可能加剧。符合当今性能需求存在许多困难。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种集成电路，包括：第一输入端，被耦合成接收第一信号；第二输入端，被耦合成接收第二信号，所述第二信号是所述第一信号的互补信号；第一高通滤波器，耦合在所述第一输入端与第一晶体管的控制电极之间；第二高通滤波器，耦合在所述第二输入端与第二晶体管的控制电极之间；第三晶体管，具有耦合到第一电压供应端的控制电极和耦合到第一输出端的第一电流电极；第四晶体管，具有耦合到所述第一电压供应端的控制电极和耦合到第二输出端的第一电流电极；以及低通滤波器，耦合在所述第一和第二晶体管的第一电流电极与所述第三和第四晶体管的第二电流电极之间。在一个或多个实施例中，所述集成电路进一步包括耦合在第一电压供应端与第一和第二输出端之间的升压电路。在一个或多个实施例中，所述升压电路包括：第一升压电感器，具有耦合到所述第一输出端的第一端；以及第二升压电感器，具有耦合到所述第二输出端的第一端。在一个或多个实施例中，所述第一和第二升压电感器被配置成第一变压器。在一个或多个实施例中，所述集成电路进一步包括：第一负载电阻器，具有耦合到所述第一升压电感器的第二端的第一端和耦合到所述第一电压供应端的第二端；以及第二负载电阻器，具有耦合到所述第二升压电感器的第二端的第一端和耦合到所述第一电压供应端的第二端。在一个或多个实施例中，所述低通滤波器包括：第一电容器，具有耦合到所述第一晶体管的所述第一电流电极的第一端和耦合到所述第二晶体管的所述第一电流电极的第二端；第二电容器，具有耦合到所述第三晶体管的所述第二电流电极的第一端和耦合到所述第四晶体管的所述第二电流电极的第二端；第一电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第一端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第一端的第二端；以及第二电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第二端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第二端的第二端。在一个或多个实施例中，所述第一电容器和所述第二电容器中的每一个被表征为可变电容器。在一个或多个实施例中，所述第一和第二电感器被配置成第二变压器。在一个或多个实施例中，所述集成电路进一步包括耦合在所述第一输出端与所述第二输出端之间的输出电阻器。根据本专利技术的第二方面，提供一种集成电路，包括：第一高通滤波器，具有被耦合成接收第一信号的输入和耦合到第一晶体管差分对的第一输入的输出；第二高通滤波器，具有被耦合成接收第二信号的输入和耦合到所述第一晶体管差分对的第二输入的输出，所述第二信号是所述第一信号的互补信号；第二晶体管差分对，具有耦合到第一电压供应端的控制电极；升压电路，耦合在所述第二晶体管差分对与所述第一电压供应端之间；以及低通滤波器，耦合在所述第一晶体管差分对与所述第二晶体管差分对之间。在一个或多个实施例中，所述第一晶体管差分对被配置在共同源极布置中。在一个或多个实施例中，所述第一高通滤波器包括第一电容器，所述第一电容器的第一端耦合到所述第一差分对的所述第一输入且耦合到第一电阻器的第一端，所述第一电阻器的第二端耦合到第二电压供应端，且所述第二高通滤波器包括第二电容器，所述第二电容器的第一端耦合到所述第一差分对的所述第二输入且耦合到第二电阻器的第一端，所述第二电阻器的第二端耦合到所述第二电压供应端。在一个或多个实施例中，所述第二电压供应端被耦合成提供正偏压电压。在一个或多个实施例中，所述集成电路进一步包括耦合在所述升压电路与所述第一电压供应端之间的负载电阻器对。在一个或多个实施例中，所述集成电路进一步包括耦合在所述第二晶体管差分对的第一电流电极之间的输出电阻器。在一个或多个实施例中，所述低通滤波器包括：第一电容器，具有耦合到所述第一晶体管差分对的电流电极的第一端和第二端；第二电容器，具有耦合到所述第二晶体管差分对的电流电极的第一端和第二端；第一电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第一端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第一端的第二端；以及第二电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第二端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第二端的第二端。在一个或多个实施例中，所述第一电容器和所述第二电容器中的每一个被表征为可变电容器。根据本专利技术的第三方面，提供一种集成电路，包括：第一放大器电路，包括：第一高通滤波器，具有被耦合成接收第一信号的输入和耦合到第一晶体管差分对的第一输入的输出；第二高通滤波器，具有被耦合成接收第二信号的输入和耦合到所述第一晶体管差分对的第二输入的输出，所述第二信号是所述第一信号的互补信号；第二晶体管差分对，具有耦合到第一电压供应端的控制电极；升压电路，耦合在所述第二晶体管差分对与所述第一电压供应端之间；以及低通滤波器，耦合在所述第一晶体管差分对与所述第二晶体管差分对之间；低噪声放大器(LNA)电路，被耦合成接收射频信号；以及第一混频器电路，具有耦合到所述LNA电路的差分输出的第一差分输入，以及耦合到所述第一放大器电路的所述第一和第二高通滤波器的输入的第一差分输出。在一个或多个实施例中，所述第一放大器电路的所述第一高通滤波器包括第一电容器，所述第一电容器的第一端耦合到所述第一差分对的所述第一输入且耦合到第一电阻器的第一端，所述第一电阻器的第二端耦合到第二电压供应端，且所述第二放大器电路的所述第二高通滤波器包括第二电容器，所述第二电容器的第一端耦合到所述第一差分对的所述第二输入且耦合到第二电阻器的第一端，所述第二电阻器的第二端耦合到所述第二电压供应端。在一个或多个实施例中，所述第一放大器电路的所述低通滤波器包括：第一电容器，具有耦合到所述第一晶体管差分对的电流电极的第一端和第二端；第二电容器，具有耦合到所述第二晶体管差分对的电流电极的第一端和第二端；第一电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第一端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第一端的第二端；以及第二电感器，具有耦合到所述第一电容器的所述第二端的第一端和耦合到所述第二电容器的所述第二端的第二端。本专利技术的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。附图说明本专利技术借助于例子示出并且不受附图的限制，在附图中的类似标记指示类似元件。为简单和清晰起见，示出图中的元件，并且这些元件未必按比例绘制。图1以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的示例性RF接收器电路。图2以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的示例性RF正交接收器电路。图3以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的示例性中频放大器电路。图4以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的另一示例性中频放大器电路。图5以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的示例性可变负载电阻器电路。图6以示意图形式示出根据本专利技术的实施例的示例性可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：第一输入端，被耦合成接收第一信号；第二输入端，被耦合成接收第二信号，所述第二信号是所述第一信号的互补信号；第一高通滤波器，耦合在所述第一输入端与第一晶体管的控制电极之间；第二高通滤波器，耦合在所述第二输入端与第二晶体管的控制电极之间；第三晶体管，具有耦合到第一电压供应端的控制电极和耦合到第一输出端的第一电流电极；第四晶体管，具有耦合到所述第一电压供应端的控制电极和耦合到第二输出端的第一电流电极；以及低通滤波器，耦合在所述第一和第二晶体管的第一电流电极与所述第三和第四晶体管的第二电流电极之间。

【技术特征摘要】
2017.09.29 US 15/719,9611.一种集成电路，其特征在于，包括：第一输入端，被耦合成接收第一信号；第二输入端，被耦合成接收第二信号，所述第二信号是所述第一信号的互补信号；第一高通滤波器，耦合在所述第一输入端与第一晶体管的控制电极之间；第二高通滤波器，耦合在所述第二输入端与第二晶体管的控制电极之间；第三晶体管，具有耦合到第一电压供应端的控制电极和耦合到第一输出端的第一电流电极；第四晶体管，具有耦合到所述第一电压供应端的控制电极和耦合到第二输出端的第一电流电极；以及低通滤波器，耦合在所述第一和第二晶体管的第一电流电极与所述第三和第四晶体管的第二电流电极之间。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括耦合在第一电压供应端与第一和第二输出端之间的升压电路。3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述升压电路包括：第一升压电感器，具有耦合到所述第一输出端的第一端；以及第二升压电感器，具有耦合到所述第二输出端的第一端。4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第一和第二升压电感器被配置成第一变压器。5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：第一负载电阻器，具有耦合到所述第一升压电感器的第二端的第一端和耦合到所述第一电压供应端的第二端；以及第二负载电阻器，具有耦合到所述第二升压电感器的第二端的第一端和耦合到所述第一电压供应端的第二端。6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述低通滤波器包括：第一电容器，具有耦合到所述第一晶体管的所述第一电流电极的第一端和耦合到所述第二晶体管的所述第一电流电极的第二端；第二电容器，具有耦合到所述第三晶体管的所述第二电流电极的第一端和耦合到所述第四晶体管的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李在荣，内德·鲁哈尼，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US