一种太阳电池制造技术

本实用新型专利技术的太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，并位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，并位于n型发射层上；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形成于硅基体层的另一面，铝背场形成于欧姆接触层表面。本实用新型专利技术的具有的硅基硫化铟异质结太阳电池与传统硅基异质结太阳电池相比具有更好的光学性能，可减少寄生吸收增大短路电流。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池
本技术属于异质结太阳电池
，具体涉及一种硅基硫化铟异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽，用之不竭的可再生能源，同时也是发电过程中不产生任何环境污染的清洁能源。能够充分有效地利用太阳能，对于解决能源短缺及环境污染有着重要的意义。不管是常规晶体硅太阳电池还是高效晶体硅太阳电池，都需经过高温扩散工艺制备p-n结，由此将给晶体硅带来晶格损伤和各种缺陷，引入复合中心从而降低太阳电池效率。采用非晶硅与晶体硅结合形成的p-n异质结太阳电池则无需高温工艺，可在低于300℃的条件下制备。1983年KojiOkuda等人采用非晶硅和多晶硅叠层结构在200-300℃条件下制备了效率超过12％的异质结太阳电池。1992年三洋机电的MakotoTanaka等人在非晶硅与晶体硅层之间插入了一层本征非晶硅层，在低于200℃的条件下制备了效率超过18％的异质结太阳电池，此电池就是如今的HIT(HeterojunctionwithIntrinsicThin-Layer)太阳电池。HIT太阳电池经过多年的研究，取得了26.67％的世界最高效率。近年来国内对于HIT太阳电池的研本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，位于n型发射层上，所述n型发射层与硅基体层形成p‑n异质结；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形成于硅基体层的另一面，铝背场形成于欧姆接触层表面。

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：硅基体层、n型发射层、导电层、银前电极、欧姆接触层以及铝背场，以硅基体层作为衬底，所述n型发射层形成于硅基体层，位于硅基体层上；所述导电层形成于n型发射层，位于n型发射层上，所述n型发射层与硅基体层形成p-n异质结；所述银前电极形成于导电层表面，且向n型发射层延伸，其延伸至所述n型发射层的顶部表面，银前电极之间有间隔；欧姆接触层形...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈辉，姚志荣，孟蓝翔，蔡伦，张睿，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：新型
国别省市：广东,44