化学增幅型正型感光性树脂组成物、光阻图案及其形成方法以及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学增幅型正型感光性树脂组成物、光阻图案及其形成方法以及电子装置，该化学增幅型正型感光性树脂组成物包括：含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)；单不饱和腈化合物(B)；光酸产生剂(C)；以及溶剂(D)，使用所述化学增幅型正型感光性树脂组成物能够改善密着性及锥度角不佳的问题。

【技术实现步骤摘要】
化学增幅型正型感光性树脂组成物、光阻图案及其形成方法以及电子装置
本专利技术涉及一种化学增幅型正型感光性树脂组成物、光阻图案及其形成方法以及电子装置，尤其涉及一种能够改善密着性及锥度角不佳问题的化学增幅型正型感光性树脂组成物、由所述化学增幅型正型感光性树脂组成物制得的光阻图案及其形成方法以及包含所述光阻图案的电子装置。
技术介绍
目前为止，在使用玻璃基板制造液晶显示元件的领域中，适合于g、h、i线曝光、价格较低廉、感度及解析性良好、可形成形状优异的光阻图案的光阻材料，大多采用以酚醛树脂作为碱可溶性树脂，且使用含有醌二叠氮基化合物作为感光性成份的正型光阻组成物(专利文献1～4)。现在，作为次世代的LCD，在一枚玻璃基板上同时形成驱动器、数位模拟变换器(DAC)、图像处理装置、视频控制器、RAM等集成电路部分与显示部分，即所谓“系统LCD”的高功能LCD的技术开发非常的盛行。本说明书中，为方便起见，将在一个基板上形成集成电路与液晶显示部分的基板称为系统LCD。在系统LCD中，替代非晶质硅、且可在600℃以下的低温工艺形成的材料为低温聚硅，相较于非晶质硅，低温聚硅的电阻小、移动度高。因此，业者期望开发适合于制造使用低温聚硅的系统LCD的光阻组成物。目前系统LCD所使用的光阻材料有各种的报告(专利文献5～12)。制造由低温聚硅所成的TFT时，以低温工艺在玻璃基板上形成聚硅膜后，在该低温聚硅膜上注入P(磷)、或B(硼)等，于所谓“注入工序”中，需要注入非常高浓度的杂质。此注入工序，是在低温聚硅玻璃基板上形成光阻图案的状态下，在高真空度的条件下进行。但此过程中，因通过注入杂质时的发热作用，将使基板上的光阻图案的形状改变，而加热时引起光阻图案中的某些成份气化，导致处理室内的真空度下降的问题点发生。解决此问题的方法，以在注入工序之前进行称为“后烤”的加热处理工序，甚为有效。此处的“后烤”由于是在接近于注入时的加热温度的温度条件下进行(例如200℃以上的高温)，故光阻材料需具备在该加热处理中不使图案形状改变的高耐热特性。因此，为使系统LCD的制造实现化，须谋求其使用的光阻组成物具有良好的耐热性。此外，在系统LCD中，例如相对于显示部分的图案尺寸为2～10μm，集成电路部分则以0.5～2.0μm的精细尺寸形成。因此，制造系统LCD所使用的光阻组成物除要求可同时形成形状良好的精细图案与粗糙图案的能力(线性)以外，更要求比以往制造LCD所使用的光阻材料具有更高的分辨率、与良好的精细图案的焦点深度宽(DOF)特性。然而，在液晶显示元件的制造领域中，现有系统LCD所使用的正型光阻组成物所形成的光阻图案的密着性、锥度角不佳，容易造成严重的生产力下降，故改善密着性及锥度角不佳的问题是业界所期望的。[专利文献]专利文献1：日本特开2000-131835号公报专利文献2：日本特开2001-075272号公报专利文献3：日本特开2000-181055号公报专利文献4：日本特开2000-112120号公报专利文献5：日本特开2004-233846号公报专利文献6：日本特开2004-191394号公报专利文献7：日本特开2004-145207号公报专利文献8：日本特开2004-144905号公报专利文献9：日本特开2004-077999号公报专利文献10：日本特开2004-045707号公报专利文献11：日本特开2004-045618号公报专利文献12：日本特开2003-233174号公报
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种化学增幅型正型感光性树脂组成物，使用所述化学增幅型正型感光性树脂组成物能够改善密着性及锥度角不佳的问题。本专利技术提供一种化学增幅型正型感光性树脂组成物，包括：含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)、单不饱和腈化合物(B)、光酸产生剂(C)、以及溶剂(D)。在本专利技术的一实施例中，单不饱和腈化合物(B)的碳素原子数为6～30。在本专利技术的一实施例中，单不饱和腈化合物(B)选自癸烯腈(Decenenitrile)、癸烯二腈、十一碳烯腈(Undecenitrile)、十二碳烯腈(Dodecenitrile)、十三碳烯腈(Tridecenonitrile)、十四碳烯腈(Tetradecenenitrile)、十六碳烯腈(Hexadecenenitrile)、十六碳烯二腈、十八碳烯腈(Octadecenenitrile)、十八碳烯二腈以及二十二碳烯腈(Eruconitrile)的化合物所组成的族群。在本专利技术的一实施例中，化学增幅型正型感光性树脂组成物还包括碱性化合物(E)。在本专利技术的一实施例中，碱性化合物(E)包括由式(E-1)所示的化合物：N(A)z(B)3-z式(E-1)式(E-1)中，A各自独立表示碳数为4至20的烷基、碳数为3至20的环烷基、碳数为6至20的苯基或芳烷基。B各自独立表示氢原子或碳数为1至3的烷基。z表示1至3的整数。在本专利技术的一实施例中，化学增幅型正型感光性树脂组成物还包括具有氮原子的杂环化合物(F)，选自由下述式(F-1)至式(F-4)所示的化合物所组成的族群：于式(F-1)至式(F-4)中，G1及G2分别独立地代表氢原子、酰基或烷基；H1至H9分别独立地代表氢原子、羟基、羧酸基、磺酸基、烷基、胺基、卤素原子或巯基。v、w、q及s分别独立地代表0至3的整数；p及r分别独立地代表0至2的整数；且t及u分别独立地代表0至4的整数。在本专利技术的一实施例中，基于含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)的总使用量为100重量份，单不饱和腈化合物(B)的含量为0.03重量份至1.0重量份，光酸产生剂(C)的含量为0.3重量份至3重量份，溶剂(D)的含量为200重量份至1200重量份。在本专利技术的一实施例中，基于含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)的总使用量为100重量份，碱性化合物(E)的含量为0.03重量份至1.0重量份。在本专利技术的一实施例中，基于含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)的总使用量为100重量份，具有氮原子的杂环化合物(F)的含量为0.01重量份至0.5重量份。本专利技术也提供一种光阻图案的形成方法，包括：在基板上涂布上述的化学增幅型正型感光性树脂组成物的工序。本专利技术更提供一种光阻图案，由上述的光阻图案的形成方法所形成。本专利技术又提供一种电子装置，包含上述的光阻图案。基于上述，本专利技术的化学增幅型正型感光性树脂组成物因含有含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)、以及单不饱和腈化合物(B)，故能够改善密着性及锥度角不佳的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，详细说明如下。附图说明图1为量测光阻图案的锥度角的示意图。[符号说明]1：锥度角(θ)2：光阻图案3：基板具体实施方式<化学增幅型正型感光性树脂组成物>本专利技术提供一种化学增幅型正型感光性树脂组成物，包括：含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)、单不饱和腈化合物(B)、光酸产生剂(C)、以及溶剂(D)。此外，本专利技术的化学增幅型正型感光性树脂组成物更可包含碱性化合物(E)，或是具有氮原子的杂环化合物(F)。以下将详细说明用于本专利技术的化学增幅型正型感光性树脂组成物的各个成分。在此说明的是，以下是以(甲基)丙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学增幅型正型感光性树脂组成物，其特征在于，包括：含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)；单不饱和腈化合物(B)；光酸产生剂(C)；以及溶剂(D)。

【技术特征摘要】
2017.09.27 TW 1061331461.一种化学增幅型正型感光性树脂组成物，其特征在于，包括：含有酸解离性保护基的聚羟基苯乙烯树脂(A)；单不饱和腈化合物(B)；光酸产生剂(C)；以及溶剂(D)。2.根据权利要求1所述的化学增幅型正型感光性树脂组成物，其中所述单不饱和腈化合物(B)的碳素原子数为6～30。3.根据权利要求1所述的化学增幅型正型感光性树脂组成物，其中所述单不饱和腈化合物(B)选自癸烯腈、癸烯二腈、十一碳烯腈、十二碳烯腈、十三碳烯腈、十四碳烯腈、十六碳烯腈、十六碳烯二腈、十八碳烯腈、十八碳烯二腈以及二十二碳烯腈的化合物所组成的族群中至少一种。4.根据权利要求1所述的化学增幅型正型感光性树脂组成物，其中还包括碱性化合物(E)。5.根据权利要求4所述的化学增幅型正型感光性树脂组成物，其中所述碱性化合物(E)包括由式(E-1)所示的化合物：N(A)z(B)3-z式(E-1)式(E-1)中，A各自独立表示碳数为4至20的烷基、碳数为3至20的环烷基、碳数为6至20的苯基或芳烷基；B各自独立表示氢原子或碳数为1至3的烷基；z表示1至3的整数。6.根据权利要求1所述的化学增幅型正型感光性树脂组成物，还包括：具有氮原子的杂环化合物(F)，选自由下述式(F-1)至式(F-4)所示的化合物所组成的族群：于式(F-1)至式(F-...

【专利技术属性】
技术研发人员：许智航，刘骐铭，施俊安，
申请(专利权)人：奇美实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71