量子点阵列装置制造方法及图纸

本文公开的是量子点装置，以及相关的计算装置和方法。例如，在一些实施例中，量子点装置可以包括：量子阱堆，其包括量子阱层；和设置在量子阱堆上方的多个栅极，其中该多个栅极中的个体栅极具有带有两个相对线性面和两个相对曲面的占用面积形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量子点阵列装置
技术介绍
量子计算涉及与使用量子力学现象来操纵数据的计算系统有关的研究领域。诸如叠加（其中量子变量可以以多个不同状态同时存在）和缠结（其中多个量子变量具有相关状态，而不管在空间或时间上它们之间的距离如何）的这些量子力学现象在经典计算世界里没有类似物，并且因此无法用经典计算装置来实现。附图说明实施例将通过下列详细描述结合附图而容易理解。为了便于该描述，类似的标号指代类似的结构元件。实施例通过示例方式而非通过限制方式在附图的图中图示。图1-4是根据各种实施例的量子点装置的横截面视图。图5-12、13A-B、14A-B、15A-B、16A-B、17A-B、18A-B、19A-B、20A-B、21A-B、22A-B、23A-B、24A-B、25A-B、26A-B以及27-47图示根据各种实施例的量子点装置的制造中的各种示例阶段。图48-67图示根据各种实施例的量子点装置的制造中的各种备选阶段。图68-80图示根据各种实施例的使用间距四分（pitch-quartering）技术来使栅极图案化的量子点装置的制造中的各种示例阶段。图81A-B、82A-B、83A-B、84A-B、85A-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点装置，包括：量子阱堆，包括量子阱层；以及设置在所述量子阱堆上方的多个栅极，其中所述多个栅极中的个体栅极具有带有两个相对线性面和两个相对曲面的占用面积形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种量子点装置，包括：量子阱堆，包括量子阱层；以及设置在所述量子阱堆上方的多个栅极，其中所述多个栅极中的个体栅极具有带有两个相对线性面和两个相对曲面的占用面积形状。2.如权利要求1所述的量子点装置，其中所述栅极中的至少两个在所述量子阱堆上方在第一维度中被隔开，所述栅极中的至少两个在所述量子阱堆上方在第二维度中被隔开，并且所述第一维度和所述第二维度垂直。3.如权利要求2所述的量子点装置，进一步包括：设置在所述量子阱堆上方的绝缘材料，其中所述绝缘材料在所述第一维度中被隔开的所述栅极中的至少两个之间延伸，并且所述绝缘材料在所述第二维度中被隔开的所述栅极中的至少两个之间延伸。4.如权利要求3所述的量子点装置，其中所述绝缘材料包括在其中设置所述栅极中的个体栅极的多个个体开口。5.如权利要求1所述的量子点装置，其中所述多个栅极采用nxm阵列布置，n大于1并且m大于1。6.如权利要求1-5中任一项所述的量子点装置，其中所述多个栅极是多个第一栅极，所述量子阱层是第一量子阱层，所述量子阱堆包括第二量子阱层，并且所述量子点装置进一步包括：设置在所述量子阱堆下方的多个第二栅极，其中所述第二量子阱层被设置在所述多个第二栅极与所述第一量子阱层之间。7.如权利要求6所述的量子点装置，其中所述第二栅极中的至少两个在所述量子阱堆下方在所述第一维度中被隔开，并且所述第二栅极中的至少两个在所述量子阱堆下方在所述第二维度中被隔开。8.如权利要求7所述的量子点装置，其中所述量子阱堆上方的所述第一栅极中的个体栅极对应于所述量子阱堆下方的所述第二栅极中的个体栅极。9.如权利要求1-5中任一项所述的量子点装置，其中所述量子阱层由硅或锗形成。10.如权利要求1-5中任一项所述的量子点装置，其中所述多个栅极包括：具有第一长度的第一栅极；两个第二栅极，其被布置成使得所述第一栅极被设置在所述第二栅极之间，其中所述第二栅极具有与所述第一长度不同的第二长度；以及两个第三栅极，其被布置成使得所述第二栅极被设置在所述第三栅极之间，其中所述第三栅极具有与所述第一长度不同且与所述第二长度不同的第三长度。11.如权利要求1-5中任一项所述的量子点装置，其中所述多个栅极中的个体栅极包括具有U型横截面的栅极电介质。12.一种操作量子点装置的方法，包括：向接近量子阱堆的第一面设置的第一组栅极施加电信号以促使第一量子点在所述第一组栅极下面的量子阱堆中的第一量子阱层中形成，其中所述第一组栅极包括个体栅极，所述个体栅极具有带有两个相对线性面和两个相对曲面的占用面积形状；以及感测所述第一量子点的量子状态。13.如权利要求12所述的方法，其中感测所述第一量子点的量子状态包括：向接近所述量子阱堆的第二面设置的第二组栅极施加电信号以促使第二量子点在所述第二组栅极下面的量子阱堆中...

【专利技术属性】
技术研发人员：JS克拉克，RL布里斯托尔，R皮拉里塞蒂，JM罗伯茨，HC乔治，NK托马斯，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US