用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法，其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，在所述转移衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，并且将第二衬底（5）施加到所述第一层（3）上，其中随后将所述转移衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面。根据本发明专利技术，在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述转移衬底（1）上之前将可通过溶剂溶解的附加层（6）施加到所述转移衬底（1）的表面上，并且借助溶剂将所述转移衬底（1）与所述第一层（3）分离。通过该方式能够实现纳米结构的平坦化/堆叠和随后变得容易的电接触。在迭代应用方法步骤的情况下，可以有利地构建例如由水平定向的纳米线网络构成的多重层（图5B）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法
本专利技术涉及例如在电接触之前用于平坦化纳米结构、特别是纳米线的新型方法。本专利技术还涉及用于垂直堆叠多个纳米结构的方法，这意味着，用于制造具有嵌入纳米线或纳米线网络或可以电接触的其他纳米结构的一个或多个层。
技术介绍
多年来一直是深入研究的主题的自组织纳米结构、尤其是半导体纳米线可以不久用作计算机芯片中的基本构件。这一方面归因于III/V族半导体纳米线中相对于传统硅CMOS技术的显著优越的电子迁移率。此外存在光电功能的可能性以及在自旋电子学领域中使用新型的可电控磁功能以及许多工作组所力求的量子计算领域中纳米线的使用。在自旋电子学领域中的应用是特别重要的，因为III/V族半导体纳米线通常也以下可能性，即除了电荷的电子特性之外还控制自旋、即控制晶体管中电子的自旋角动量。在自旋电子学领域中，纳米线的充分利用导致特别的挑战，因为与可磁化电极的电接触需要纳米结构的先前的平坦化（图1）。迄今为止用于纳米线的电接触的薄金属层可能由几何形状决定地（由于定向汽化渗镀中的阴影效应）而中断（图1a）。在用于自旋极化电流的电注入的铁磁材料中，可能发生局部磁化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于平坦化纳米结构的方法，‑ 其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，‑ 其中在所述起始衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，‑ 并且其中将目标衬底（5）施加到所述第一层（3）上，‑ 其中随后，将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面，其特征在于：‑ 在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述起始衬底（1）上之前将附加层（6）施加到所述起始衬底（1）的表面上，‑ 并且借助溶剂将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.02 DE 102015015452.41.一种用于平坦化纳米结构的方法，-其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，-其中在所述起始衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，-并且其中将目标衬底（5）施加到所述第一层（3）上，-其中随后，将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离，使得至少一个嵌入其中的纳米结构（2）具有平坦的自由表面，其特征在于：-在将所述至少一个纳米结构（2）施加到所述起始衬底（1）上之前将附加层（6）施加到所述起始衬底（1）的表面上，-并且借助溶剂将所述起始衬底（1）与所述第一层（3）分离。2.根据权利要求1所述的方法，其中使用包括纳米结构（2）的第四化学主族的元素半导体、第三和第五化学主族的化合物半导体或第二和第六化学主族的化合物半导体。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述目标衬底（5）经由第二层（4）施加到所述第一层（3）上。4.根据前述权利要求3所述的方法，其中所述第二层（4）包含氢倍半硅氧烷（HSQ）。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述附加层（6）具有可溶解于溶剂中的材料。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述附加层（6）包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸构成的聚合物（共聚物PMMA/MA）或光学光刻胶。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：S黑特，J格哈茨，T舍珀斯，D格吕茨马歇尔，
申请(专利权)人：于利奇研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE