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本发明涉及一种用于制造半导体纳米结构的平坦的自由接触面的方法，其中至少一个纳米结构（2）布置在起始衬底（1）的表面上，在所述转移衬底的（1）的相同表面上施加第一层（3），所述第一层将所述至少一个纳米结构（2）嵌入，并且将第二衬底（5）施加到...
该专利属于于利奇研究中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过于利奇研究中心有限公司授权不得商用。

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