设于目标电路基板的预导电阵列、及其导电结构阵列制造技术

本申请公开设于目标电路基板的预导电阵列、及其导电结构阵列。设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；以及，设于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上的至少一导电粒子。其中，该至少一导电粒子、及其相对应的该导电电极，构成一预导电构造；该预导电构造构成一预导电阵列。

【技术实现步骤摘要】
设于目标电路基板的预导电阵列、及其导电结构阵列
本专利技术是关于一种目标电路基板，特别是关于一种形成预导电阵列的目标电路基板。
技术介绍
传统在一目标电路基板上建立导电结构的方式包括：预熔导电垫片、锡膏印刷(SolderPastePrinting)、或进一步搭配球格阵列(BallGridArray,BGA)等表面粘着技术(SurfaceMountingTechnology,SMT)制造过程；然而，该表面粘着制造过程的技术精度，无法应用于尺寸低于100微米的微电子器件，属于技术精度上的不匹配。或，于目标电路基板上涂覆异方性导电膏(AnisotropicConductivePaste,ACP)。传统的异方性导电膏，为了适配目标电路基板上，导电垫片与导电垫片之间的不同距离，或为了适配具有不同尺度(scale)导电垫片的目标电路基板，通常采用较高粒子填充率的异方性导电膏，导电粒子在涂覆膏(热固膏或热塑膏)内部呈三维分布，以对导电垫片最高机率地起到导电作用。然而，仅存在有少部分的导电粒子能在目标电路基板上对导电垫片起到导电作用，其余占多数的导电粒子则随涂覆膏的固化而被一并封存于目标电路基板。鉴于导电粒子的成本远远高过于涂覆膏，故传统异方性导电膏的使用，属于成本上的极大浪费；尽管可以选择较低粒子填充率的异方性导电膏，仍未能免除大多数导电粒子被浪费的情况，而无法有效降低成本。此外，异方性导电膏的涂覆，在各个厂商技术精度不尽相同的情况下，涂覆膏的厚薄不一、导电粒子的分布均度亦受影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术在提供一种设于目标电路基板的预导电阵列、以及目标电路基板的导电结构；不囿于欲定位至目标电路基板的电子元件的元件尺寸，而能被广泛地应用。有鉴于此，本专利技术可有效对目标电路基板设有预导电阵列及其导电结构。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各该导电电极群具有至少一对导电电极；以及，设于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上的至少一导电粒子。其中，该至少一导电粒子、及其相对应的该导电电极，构成一预导电构造；该预导电构造构成一预导电阵列；其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各该导电电极群具有一导电电极；以及，设于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上的至少一导电粒子。其中，该至少一导电粒子、及其相对应的该导电电极，构成一预导电构造；该预导电构造构成一预导电阵列；其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各该预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且呈第一数量的多组导电电极群，各组导电电极群包括呈第二数量的至少一对导电电极；以及，定位于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上，且呈第三数量的至少一导电粒子。其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各该预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且呈第一数量的多组导电电极群，各组导电电极群包括呈第二数量的至少一导电电极；以及，定位于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上，且呈第三数量的至少一导电粒子。其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各该预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且按一第一图形阵列散布的多组导电电极群，各组导电电极群包括按一第二图形阵列散布的至少一对导电电极；以及，定位于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上，且按一第三图形阵列散布的至少一导电粒子。其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各该预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且按一第一图形阵列散布的多组导电电极群，各组导电电极群包括按一第二图形阵列散布的至少一导电电极；以及，定位于全部或部分的该导电电极群的各该导电电极上，且按一第三图形阵列散布的至少一导电粒子。其中，各该预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。为此，本专利技术提出一种目标电路基板的导电结构阵列，包括：应用于一目标电路基板的预导电阵列、以及阵列式微半导体结构；阵列式微半导体结构对应目标电路基板的预导电阵列的部分或全部。其中，各该微半导体结构具有一对电极；各该微半导体结构的各该电极、与所对应的该目标电路基板的该预导电构造，共同形成一导电结构。其中，各该导电结构定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两导电结构之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。本专利技术提出一种目标电路基板的导电结构阵列，包括：应用于一目标电路基板的预导电阵列、以及阵列式微半导体结构；阵列式微半导体结构对应目标电路基板的预导电阵列的部分或全部。其中，各该微半导体结构具有一电极；各该微半导体结构的该电极、与所对应的该目标电路基板的该预导电构造，共同形成一导电结构。其中，各该导电结构定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两导电结构之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，该第一密度大于该第二密度。附图说明图1为本专利技术的第一实施例，是设于目标电路基板的预导电阵列的流程图；图2、2A为图1的目标电路基板的结构示意图；图3、3A至3F为图2A中，不同预导电构造的结构示意图；图2B为图1的不同目标电路基板与预导电构造的另一结构示意图；图4为本专利技术的第一实施例中，是设于目标电路基板的导电结构，对应图2、2A的制造过程示意图；图5A为本专利技术的第一实施例中，是设于目标电路基板的导电结构，对应图2、2A的结构示意图；图5B为本专利技术的第一实施例中，是设于目标电路基板的导电结构的另一结构方式，对应图2B的结构示意图；图5C为本专利技术的第一实施例，于目标电路基板形成导电结构的又一结构方式，对应图3C的结构示意图；图6A至6E、图7A、7B、7C、8A为本专利技术的第二实施例，设于目标电路基板的预导电阵列制造过程示意图；图9A至9C为本专利技术的第三实施例，是设于目标电路基板的预导电阵列的制造过程示意图；图10A为本专利技术的第四实施例，是设于目标电路基板的预导电阵列的制造过程示意图；图11A至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各所述导电电极群具有至少一对导电电极；以及至少一导电粒子，于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上；其中，所述至少一导电粒子、及其相对应的所述对导电电极，构成一预导电构造；所述预导电构造构成一预导电阵列；其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度。

【技术特征摘要】
2017.09.25 TW 1061328051.一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各所述导电电极群具有至少一对导电电极；以及至少一导电粒子，于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上；其中，所述至少一导电粒子、及其相对应的所述对导电电极，构成一预导电构造；所述预导电构造构成一预导电阵列；其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度。2.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：所述导电电极群具有多对导电电极，且定义一第二间距于相邻两对导电电极之间，一第三间距于各所述对的两导电电极之间。3.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：一第三间距定义于各所述对的两导电电极之间。4.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：各所述预导电构造包括多个导电粒子；所述导电粒子形成至少一预导电路径。5.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，更包括：至少一接触层，铺设于所述目标电路基板上；其中，所述导电粒子是位于所述接触层之中、或所述接触层之上。6.一种设于目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各所述导电电极群具有一导电电极；以及至少一导电粒子，于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上；其中，所述至少一导电粒子、及其相对应的所述导电电极，构成一预导电构造；所述预导电构造构成一预导电阵列；其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度。7.如权利要求6所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：各所述预导电构造包括多个导电粒子；所述导电粒子形成至少一预导电路径。8.如权利要求6所述的目标电路基板的预导电阵列，更包括：至少一接触层，铺设于所述目标电路基板上；其中，所述导电粒子是位于所述接触层之中、或所述接触层之上。9.一种目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各所述预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且呈第一数量的多组导电电极群，各组导电电极群包括呈第二数量的至少一对导电电极；以及定位于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上，且呈第三数量的至少一导电粒子；其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度。10.一种目标电路基板的预导电阵列，包括：设于一目标电路基板的多个预导电构造；各所述预导电构造包括：设于一目标电路基板上、且呈第一数量的多组导电电极群，各组导电电极群包括呈第二数量的至少一导电电极；以及定位于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上，且呈第三数量的至少一导电粒子；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈显德，
申请(专利权)人：优显科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71