封装结构及芯片结构制造技术

一种封装结构，其包括晶粒、多个第一导电连接件、与晶粒绝缘的第二导电连接件、重布线路层以及导电屏蔽件。晶粒包括主动面、背面以及侧壁，背面相对于主动面，侧壁将主动面连接至背面。第一导电连接件位于晶粒的主动面上，且第一导电连接件电连接至晶粒。第二导电连接件位于晶粒上且位于第一导电连接件旁边。重布线路层位于晶粒上且电连接至第一导电连接件以及第二导电连接件。导电屏蔽件耦合至重布线路层且围绕第二导电连接件以及至少部分的侧壁。晶粒与导电屏蔽件电性绝缘。一种芯片结构也被提出。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及芯片结构
本专利技术涉及一种封装结构及芯片结构，尤其涉及一种具有电磁干扰屏蔽(electromagneticinterferenceshielding；EMIshielding)的封装结构及芯片结构。
技术介绍
近几年来，半导体封装技术的发展逐渐朝向体积较小、重量较轻、运作速度较快的产品迈进。然而，电磁干扰(electromagneticinterference；EMI)可能会对半导体封装的运作产生负面的影响，而热量可能会降低半导体封装的效率甚至造成损坏。因此，随着运作速度的增加以及封装尺寸的减小，传统的封装技术在提供具有电磁干扰屏蔽以及散热的半导体封装方面，受到了严重的挑战。
技术实现思路
本专利技术提供一种封装结构及芯片结构，其提供了具有可以有效控制电磁干扰的可靠结构。本专利技术提供一种封装结构，其包括晶粒、多个第一导电连接件、第二导电连接件、重布线路层以及导电屏蔽件。晶粒包括主动面、背面以及侧壁，背面相对于主动面，侧壁将主动面连接至背面。第一导电连接件位于晶粒的主动面上，且第一导电连接件电连接至晶粒。第二导电连接件位于晶粒上且位于第一导电连接件旁边。第二导电连接件与晶粒电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，包括：晶粒，包括主动面、背面以及侧壁，所述背面相对于所述主动面，所述侧壁将所述主动面连接至所述背面；多个第一导电连接件，位于所述晶粒的所述主动面上，且所述多个第一导电连接件电连接至所述晶粒；第二导电连接件，位于所述晶粒上且位于所述多个第一导电连接件旁边，其中所述第二导电连接件与所述晶粒电性绝缘；重布线路层，位于所述晶粒上，其中所述重布线路层电连接至所述多个第一导电连接件以及所述第二导电连接件；以及导电屏蔽件，耦合至所述重布线路层且围绕所述第二导电连接件以及至少部分的所述侧壁，其中所述晶粒与所述导电屏蔽件电性绝缘。

【技术特征摘要】
2017.09.25 US 15/713,7081.一种封装结构，包括：晶粒，包括主动面、背面以及侧壁，所述背面相对于所述主动面，所述侧壁将所述主动面连接至所述背面；多个第一导电连接件，位于所述晶粒的所述主动面上，且所述多个第一导电连接件电连接至所述晶粒；第二导电连接件，位于所述晶粒上且位于所述多个第一导电连接件旁边，其中所述第二导电连接件与所述晶粒电性绝缘；重布线路层，位于所述晶粒上，其中所述重布线路层电连接至所述多个第一导电连接件以及所述第二导电连接件；以及导电屏蔽件，耦合至所述重布线路层且围绕所述第二导电连接件以及至少部分的所述侧壁，其中所述晶粒与所述导电屏蔽件电性绝缘。2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：保护层，暴露出所述晶粒的所述主动面，其中所述保护层将所述晶粒与所述导电屏蔽件以及所述第二导电连接件电性绝缘。3.根据权利要求2所述的封装结构，还包括：晶种层，位于至少部分的所述保护层以及至少部分的所述主动面上。4.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述保护层包括第一部分以及第二部分，其中所述第一部分覆盖至少部分的所述侧壁以及至少部分的所述晶粒的所述主动面，且至少部分的所述第一部分位于所述晶粒以及所述导电屏蔽件的第一导电部分之间，所述第二部分覆盖至少部分的所述晶粒的所述背面。5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述导电屏蔽件的第二导电部分连接至所述第一导电部分，且所述第二导电部分覆盖所述保护层的所述第二部分。6.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：密封体，位于所述重布线路层上且围绕所述导电屏蔽件，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：江家纬，方立志，林基正，朱哲民，林俊德，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71