一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了属于微电子技术领域的一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用。本发明专利技术忆阻器具体为在二维原子晶体材料表面上间隔设有活性电极和惰性电极，其中二维原子晶体材料为具有半导体特性的单晶二维原子晶体材料，通过为电场下活性电极金属阳离子的迁移提供半绝缘的原子级光滑表面，使金属阳离子迁移形成导电细丝，以实现忆阻器的电导连续可变；制备方法简单、经济易行；本发明专利技术忆阻器能应用于模拟果蝇的学习记忆行为。

【技术实现步骤摘要】
一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用
本专利技术属于微电子
，特别涉及一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用。
技术介绍
1971年，蔡少棠教授根据电路的对称性预测了除了电阻、电容、电感之外还存在第四种基本电路元件，表征电荷q和磁通量ψ之间的关系，并将其命名为忆阻器。忆阻器的电阻值可以随流经它的电流或电压值的变化而变化，即对流经该器件的电荷和磁通量具有记忆功能。2008年惠普公司在Nature上发表工作，首次实现了符合忆阻器理论的器件制备，此后忆阻器的研究迎来了新的发展热潮。阳离子迁移型忆阻器是忆阻器中的一种重要类型，一般由活泼金属电极(银、铜等)，惰性金属电极(铂、金等)和夹在其中间的电介质材料(快离子导体，氧化物，有机物等)组成。在电场作用下，由活性金属电极氧化形成的金属阳离子在介质材料中迁移形成导电细丝，导电细丝的连通和断裂使器件的电导值发生变化。阳离子迁移型忆阻器中存在的普遍问题是导电细丝在绝缘介质层形成的瞬间会导致器件电导的突然增高，这并不符合类脑模拟中希望忆阻器电导可以随外加电场连续变化的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电导连续可变的忆阻器及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电导连续可变的忆阻器，其特征在于，在二维原子晶体材料表面上间隔设有活性电极和惰性电极。

【技术特征摘要】
1.一种电导连续可变的忆阻器，其特征在于，在二维原子晶体材料表面上间隔设有活性电极和惰性电极。2.根据权利要求1所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述活性电极和惰性电极的间隔距离为100nm～500nm。3.根据权利要求1或2所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述活性电极的材料为银或铜，所述惰性电极的材料为铂、金、钨或钯。4.根据权利要求1所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述二维原子晶体材料为过渡金属硫族化合物或黑磷，二维原子晶体材料厚度为0.6nm～50nm。5.根据权利要求4所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨。6.根据权利要求1或4所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述二维原子晶体材料通过机械剥离法、化学气相沉积法或化学气相传输法制备。7.根据权利要求1所述的电导连续可变的忆阻器，其特征在于，所述二维原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：章晓中，尹思琪，熊成悦，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11