温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了属于微电子技术领域的一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用。本发明忆阻器具体为在二维原子晶体材料表面上间隔设有活性电极和惰性电极，其中二维原子晶体材料为具有半导体特性的单晶二维原子晶体材料，通过为电场下活性电极金属阳离子的迁...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。