像素结构、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素结构、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的像素结构，包括：基底，以及依次设置在所述基底上的板状电极、层间绝缘层、条状电极；其中，所述条状电极包括第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极；所述第一条状电极与所述板状电极相对设置；所述第二条状电极与所述第三条状电极交替且间隔设置；在显示时，所述第一条状电极与所述第三条状电极施加相同电压；所述板状电极与所述第二条状电极施加相同电压；所述第一条状电极与所述板状电极施加不同电压。由于在本发明专利技术的像素结构中仅在第一条状电极与板状电极之间形成交叠电容，较现有技术而言大大减小了交叠电容的面积，从而提高像素结构的充电速率。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板及显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)是一种重要的显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板(CF基板)上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极，如ADS模式(高级超维场转换模式)。ADSDS(简称ADS)是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。结合图1和2所示，ADS是指平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(AdvancedSuperDimensionSwitch)，其核心技术特性描述为：通过同一平面内条状电极2边缘所产生的电场以及条状电极2所在层与板状电极1所在层之间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内条状电极2间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。目前，大尺寸高分辨率薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)产品是TV产品的重点开发方向，尤其是GOA产品。例如UHD(3840*2160)GOA产品，因充电时间短(60Hz下，UDNormal产品1H充电时间仅约为7.4us，而UHDDualGate产品1H充电时间更是减半)，加之GOA驱动能力限制，充电不足是一大难题。为了满足充电率，一般通过采用增大薄膜晶体管(TFT)的W/L值(采用SSM/MSM)，增加线宽从而减小电阻等方法来满足充电率要求。然而，增大TFT尺寸和线宽会使原本就较小的像素开口率进一步下降，从而影响显示面板的透过率，增加背光功耗。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板(CF基板)上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极，如ADS模式(高级超维场转换模式)。ADSDS(简称ADS)是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。ADS是指平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(AdvancedSuperDimensionSwitch)，其核心技术特性描述为：通过同一平面内条状电极2边缘所产生的电场以及条状电极2层与板状电极1层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内条状电极2间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。但是，阵列基板上两层电极(条状电极2和板状电极1)之间形成的侧向电容和交叠电容构成存储电容。对于ADS显示模式而言，存储电容(Csc)大是影响充电率的重要因素。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以改善像素的充电速率的像素结构、阵列基板及显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种像素结构，包括：基底，以及依次设置在所述基底上的板状电极、层间绝缘层、条状电极；其中，所述条状电极包括第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极；所述第一条状电极与所述板状电极相对设置；所述第二条状电极与所述第三条状电极交替且间隔设置；在显示时，所述第一条状电极与所述第三条状电极施加相同电压；所述板状电极与所述第二条状电极施加相同电压；所述第一条状电极与所述板状电极施加不同电压。优选的是，所述第一条状电极位于所述像素结构的中间区域，所述第二条状电极和第三条状电极位于所述像素结构的周边区域。优选的是，所述第一条状电极与所述第三条状电极连接。优优选的是，所述像素结构还包括薄膜晶体管；所述层间绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层；其中，所述薄膜晶体管的栅极位于所述基底上，且与所述板状电极同层设置；所述栅极绝缘层位于所述栅极上；所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极绝缘层上；所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述有源层上；所述钝化层位于所述源极和所述漏极上；所述第一条状电极、所述第二条状电极、所述第三条状电极位于所述钝化层上，且所述第二条状电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的过孔与所述板状电极连接，同时，所述第二条状电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。优选的是，所述像素结构还包括薄膜晶体管；所述层间绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层；其中，所述薄膜晶体管的栅极位于所述基底上，且与所述板状电极同层设置；所述栅极绝缘层位于所述栅极上；所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极绝缘层上；所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述有源层上；所述钝化层位于所述源极和所述漏极上；所述第一条状电极、所述第二条状电极、所述第三条状电极位于所述钝化层上，且所述第二条状电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的过孔与所述板状电极连接；所述第一条状电极和所述第三条状电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。优选的是，所述像素结构还包括薄膜晶体管；所述层间绝缘层包括钝化层；其中，所述薄膜晶体管的栅极位于所述基底上；在所述栅极上设置有栅极绝缘层；所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极绝缘层上，且与所述板状电极同层设置；所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述有源层之上，且所述薄膜晶体管的漏极直接与所述板状电极连接；所述钝化层位于所述薄膜晶体管的源极和漏极上；所述第一条状电极、所述第二条状电极、所述第三条状电极位于所述钝化层上，且所述第二条状电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述板状电极连接；所述第一条状电极和所述第三条状电极连接。优选的是，所述第一条状电极、所述第二条状电极、所述第三条状电极的材料包括透明导电材料或者金属材料；所述板状电极的材料包括透明导电材料。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括上述的像素结构。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。本专利技术具有如下有益效果：由于在本专利技术的像素结构中第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极同层设置，且板状电极仅与第一条状电极相对设置，因此，仅在第一条状电极与板状电极之间形成交叠电容，较现有技术而言大大减小了交叠电容的面积，从而提高像素结构的充电速率。附图说明图1为现有的阵列基板的像素结构的俯视图；图2为图1中的A-A＇的剖视图；图3为本专利技术的实施例1的像素结构的俯视图；图4为图3为ADS显示模式时的A-A＇的剖视图；图5为图3为ADS显示模式时的B-B＇的剖视图；图6为图3为HADS显示模式时的A-A＇的剖视图；图7为图3为HADS显示模式时的B-B＇的剖视图。其中附图标记为：10、基底；1、板状电极；2、条状电极；21、第一条状电极；22、第二条状电极；23、第三条状电极；3、栅极绝缘层；4、钝化层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：结合图2-7所示，本实施例提供一种像素结构，包括：基底10，以及依次设置在基底10上的板状电极1、层间绝缘层、条状电极；其中，条状电极包括第一条状电极21、第二条状电极22、第三条状电极23；第一条状电极21与板状本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：基底，以及依次设置在所述基底上的板状电极、层间绝缘层、条状电极；其中，所述条状电极包括第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极；所述第一条状电极与所述板状电极相对设置；所述第二条状电极与所述第三条状电极交替且间隔设置；在显示时，所述第一条状电极与所述第三条状电极施加相同电压；所述板状电极与所述第二条状电极施加相同电压；所述第一条状电极与所述板状电极施加不同电压。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：基底，以及依次设置在所述基底上的板状电极、层间绝缘层、条状电极；其中，所述条状电极包括第一条状电极、第二条状电极、第三条状电极；所述第一条状电极与所述板状电极相对设置；所述第二条状电极与所述第三条状电极交替且间隔设置；在显示时，所述第一条状电极与所述第三条状电极施加相同电压；所述板状电极与所述第二条状电极施加相同电压；所述第一条状电极与所述板状电极施加不同电压。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一条状电极位于所述像素结构的中间区域，所述第二条状电极和第三条状电极位于所述像素结构的周边区域。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一条状电极与所述第三条状电极连接。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二条状电极与所述板状电极通过贯穿所述层间绝缘层的过孔连接。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括薄膜晶体管；所述层间绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层；其中，所述薄膜晶体管的栅极位于所述基底上，且与所述板状电极同层设置；所述栅极绝缘层位于所述栅极上；所述薄膜晶体管的有源层位于所述栅极绝缘层上；所述薄膜晶体管的源极和漏极位于所述有源层上；所述钝化层位于所述源极和所述漏极上；所述第一条状电极、所述第二条状电极、所述第三条状电极位于所述钝化层上，且所述第二条状电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述钝化层的过孔与所述板状电极连接，同时，所述第二条状电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小元，杨妮，方琰，许亨艺，李云泽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11