一种激光加工晶圆的方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种激光加工晶圆的方法及系统，所述方法包括：由激光随动装置获取待加工的切割道的高度数据；按照压电陶瓷的反馈时间对所获取的高度数据进行数据处理并形成正反压电陶瓷运动补偿表；在对切割道进行正向或反向激光加工时，均根据所述正反压电陶瓷运动补偿表控制压电陶瓷采用前馈补偿机制进行实时控制。本发明专利技术能够根据晶圆表面的起伏自动调节激光切割头的高度，保持预定的激光焦距，解决在设备高速运行时，激光随动装置反应慢无法跟上样品表面变化的问题，实现激光加工焦点离样品表面变化±1um的加工精度。

【技术实现步骤摘要】
一种激光加工晶圆的方法及系统
本专利技术涉及激光加工
，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及系统。
技术介绍
在半导体晶圆加工领域中，业界对新型集成电路技术、产品封装能力以及芯片性能要求的不断提高，促使晶圆变得越来越薄、器件的敏感性越来越高、芯片的结构越来越复杂，从而对芯片划片工艺的要求越来越多样化，例如MEMS器件的结构非常脆弱，不允许使用利用高压水清洗的划片工艺，也不允许表面存在任何灰尘或粒子；覆盖有Low-K介质的芯片不允许在划片时对膜层造成剥离以及同样不允许表面存在任何灰尘或划片碎屑。芯片封装的第一步工艺就是晶圆划片，晶圆划片工艺的效果将直接影响芯片的性能和生产成本。激光划片作为一种精密加工技术正逐渐成为先进制造业的主流。其中，激光隐形划片是利用激光束聚焦在脆性材料内部，并沿预定的路径扫描，使脆性材料的内部发生变化，形成一个分割用的起点，形成应力层，再对脆性材料施加以外力将其分开的划片技术。隐形划片技术由于是在晶圆内部进行加工，可以有效地避免材料崩边、膜层剥离、热影响区过大、划片碎屑飞溅等一系列问题，是下一代先进的晶圆划片技术。由于减薄后的晶圆会产生一定的曲率，并且晶圆台的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：由激光随动装置获取待加工的切割道的高度数据；按照压电陶瓷的反馈时间对所获取的高度数据进行数据处理并形成正反压电陶瓷运动补偿表；在对切割道进行正向或反向激光加工时，均根据所述正反压电陶瓷运动补偿表控制压电陶瓷采用前馈补偿机制进行实时控制。

【技术特征摘要】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：由激光随动装置获取待加工的切割道的高度数据；按照压电陶瓷的反馈时间对所获取的高度数据进行数据处理并形成正反压电陶瓷运动补偿表；在对切割道进行正向或反向激光加工时，均根据所述正反压电陶瓷运动补偿表控制压电陶瓷采用前馈补偿机制进行实时控制。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由激光随动装置获取待加工的切割道的高度数据包括：预先设置测高起始点向切割方向需缩进的距离、以及测高终止点向切割方向需缩进的距离；在测高起始点、测高终止点之间，由激光随动装置按照测高采样时间获取待加工的切割道的高度数据。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测高采样时间范围为0.5ms-5ms。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述按照压电陶瓷的反馈时间对所获取的高度数据进行数据处理并形成正反压电陶瓷运动补偿表包括：获取激光随动装置的运动速度和运动延迟，并根据激光随动装置的运动数据和运动延迟计算得出切割道对应的实际X轴位置、以及其对应的高度数据；获得压电陶瓷的反馈时间、激光加工速度，并根据压电陶瓷的反馈时间、激光加工速度确定正反压电陶瓷运动补偿表。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获得压电陶瓷的反馈时间、激光加工速度，并根据压电陶瓷的反馈时间、激光加工速度确定正反压电陶瓷运动补偿表包括：获得压电陶瓷的反馈时间、激光加工数据，并根据压电陶瓷的反馈时间和激光加工数据计算得出补偿点坐标；根据补偿点坐标在测高数据中筛选出待补偿点，并生成正反压电陶瓷运动补偿表；其中，所述正反压电陶瓷运动补偿表包括正向切割压电陶瓷运动补偿表、反向切割压电陶瓷运动补偿表。6.根据权利要求1-5任一所述的方法，其特征在于，所述在对切割道进行正向或反向激光加工时，均根据所述正反压电陶瓷运动补偿表控制压电陶瓷采用前...

【专利技术属性】
技术研发人员：李纪东，侯煜，李曼，张喆，王然，张紫辰，张昆鹏，易飞跃，杨顺凯，
申请(专利权)人：北京中科镭特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11