一种激光加工晶圆的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种激光加工晶圆的方法及装置，所述方法包括：将激光光束整形为具有预设图案的光斑组合阵列，并由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域形成片状爆点；移动放置晶圆的工作台并将片状爆点均匀覆盖在晶圆预设平面上形成整平面爆点；沿形成有整平面爆点的预设平面对晶圆两端施加切向拉力，以使将晶圆进行分离。本发明专利技术能够针对第三代半导体材料特性匹配出最佳具有预设图案的光斑组合阵列然后通过激光在晶圆内部作用实现对半导体衬底的分离，使得激光剥离比例大于1:10；还能够有效的提升加工效率，提高第三代半导体衬底分离的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种激光加工晶圆的方法及装置
本专利技术涉及激光微加工
，尤其涉及一种激光加工晶圆的方法及装置。
技术介绍
集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求，其次是竞争的要求。在集成电路制造中，半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺。目前，半导体衬底分离通常有两种应用，一种为使用激光作用于不同材料之间，并基于不同材料对于激光的吸收率不同，从而实现通过激光将不同材料分离开来；另一种为针对同一种衬底材料，使用激光将衬底用线切割的方式先切开，然后研磨减薄层特定厚度。两种主流的方法一种仅仅适合不同衬底之间的分离，不适用第三代半导体材料的减薄，而第二种加工方式极为浪费材料，且研磨过程繁琐费时，当芯片减薄至一定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：将激光光束整形为具有预设图案的光斑组合阵列，并由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域形成片状爆点；移动放置晶圆的工作台并将片状爆点均匀覆盖在晶圆预设平面上形成整平面爆点；沿形成有整平面爆点的预设平面对晶圆两端施加切向拉力，以使将晶圆进行分离。

【技术特征摘要】
1.一种激光加工晶圆的方法，其特征在于，包括：将激光光束整形为具有预设图案的光斑组合阵列，并由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域形成片状爆点；移动放置晶圆的工作台并将片状爆点均匀覆盖在晶圆预设平面上形成整平面爆点；沿形成有整平面爆点的预设平面对晶圆两端施加切向拉力，以使将晶圆进行分离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：获取半导体材料信息；其中，所述半导体材料信息包括材料类型、材料烧蚀机理、材料晶格、材料晶向中一种或者任意组合；根据所述半导体材料信息确定预设图案的光斑组合阵列；其中，所述半导体材料信息与预设图案的光斑组合阵列相对应。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设图案的光斑组合阵列包括方形结构阵列、菱形结构阵列、多变形结构阵列、梯形结构阵列、网状结构阵列、条纹状结构阵列中一种或者任意组合；其中，所述激光光斑包括高斯光斑、方形平顶光斑、圆形平顶光斑、椭圆平顶光斑、菱形平顶光斑中一种或者任意组合。4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述将激光光束整形为具有预设图案的光斑组合阵列，并由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域形成片状爆点之前，所述方法还包括：调整激光光束偏振与材料晶格之间的作用方向，以使由具有预设图案的光斑组合阵列在晶圆内部预设区域进行横向爆点形成片状爆点。5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述激光光束的波长范围为150nm-2000nm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯煜，李纪东，张紫辰，
申请(专利权)人：北京中科镭特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11