【技术实现步骤摘要】
一种激光加工芯片的方法及装置
本专利技术涉及激光微加工
,尤其涉及一种激光加工芯片的方法及装置。
技术介绍
红外探测器无论是在民用还是军用都得到了很好的应用,其中制冷型红外探测器的性能尤为卓越。制冷型红外探测器中红外探测芯片经常处在温度剧烈变化的环境中,为了保证其工作性能正常,在工作状态的时候需要对探测器中的红外探测芯片进行液氮制冷,此时的温度大约为-200℃,但是在非工作时段,红外探测芯片是暴露在大气温度下的,例如在沙漠中最高温度有时可以达到70℃左右,所以红外探测芯片所处的环境温度是在-200℃与70℃之间不断变化的。红外探测芯片的结构分为三层,从上往下依次为感光层,环氧树脂层,芯片电路层,感光层材料包括碲镉汞、碲镉铟等。因此,碲镉汞层与环氧树脂层紧密相连,由于它们的热能胀系数差别较大,所以在长期的环境温度剧烈变化下,它们两层之间容易发生位置偏移。这种反复热应力造成的位置偏移,导致与碲镉汞层连接的铟柱断裂,铟柱的断裂使得碲镉汞层(感光层)与芯片底部的芯片电路层连接断裂,直接造成红外探测器无法使用。目前应对以上问题的方法是在靠近芯片边缘的位置制备沟槽,沟槽 ...
【技术保护点】
1.一种激光加工芯片的方法,其特征在于,包括:移动待加工制冷型红外探测芯片中心至激光加工系统的振镜正下方,调整待加工制冷型红外探测芯片位置和角度以使沟槽与激光光斑入射面处于水平位置;依次经激光加工系统中的激光器、振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽;将放置制冷型红外探测芯片的工作台旋转运行90度;然后再依次经激光加工系统中的激光器、振镜、平场透镜加工另一组相对两边缘上的沟槽;其中,两组相对两边缘上的沟槽设置于制冷型红外探测芯片的像元层与相对两边缘之间并形成一闭合环形沟槽。
【技术特征摘要】
1.一种激光加工芯片的方法,其特征在于,包括:移动待加工制冷型红外探测芯片中心至激光加工系统的振镜正下方,调整待加工制冷型红外探测芯片位置和角度以使沟槽与激光光斑入射面处于水平位置;依次经激光加工系统中的激光器、振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽;将放置制冷型红外探测芯片的工作台旋转运行90度;然后再依次经激光加工系统中的激光器、振镜、平场透镜加工另一组相对两边缘上的沟槽;其中,两组相对两边缘上的沟槽设置于制冷型红外探测芯片的像元层与相对两边缘之间并形成一闭合环形沟槽。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述依次经激光加工系统中的激光器、振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽包括:启动振镜并打开激光器,然后再将激光器发射的激光光束经振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽作为第一工序;启动振镜并延时预设时间打开激光器,然后再将激光器发射的激光光束经振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽作为第二工序。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将激光器发射的激光光束经振镜、平场透镜加工一组相对两边缘上的沟槽包括:将激光器发射的激光光束经振镜、平场透镜在沟槽的第一位置对第一边缘的沟槽加工n次,然后对第二边缘的沟槽加工n次;将激光器发射的激光光束经振镜、平场透镜在沟槽的第二位置对第一边缘的沟槽加工n次,然后对第二边缘的沟槽加工n次;并按照第一位置、第二位置加工方式重复往返完成对沟槽上预设的其他位置进行加工作为一组;然后对沟槽重复加工N组;其中,n≥1,N≥2。4.根据权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,在所述移动待加工制冷型红外探测芯片中心至激光加工系统的振镜正下方,调整待加工制冷型红外探测芯片位置和角度以使沟槽与激光光斑入射面处于水平位置之前或之后,所述方法还包括:获取待加工闭合环形沟槽的槽形信息,并根据所述槽形信息确定激光光斑,能量分布,振镜加工速度,激光的重复频率中一种...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯煜,张喆,李曼,王然,李纪东,张紫辰,
申请(专利权)人:北京中科镭特电子有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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