一种太阳能电池芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池芯片，属于太阳能电池领域。该太阳能电池芯片包括：衬底；在所述衬底的至少一面上依次设置有本征钝化层、硅掺杂层、透明导电层、电极；以及在所述透明导电层远离所述硅掺杂层的一面设置有减反射层；所述电极穿过所述减反射层设置在所述透明导电层上；所述电极包括第一栅线叠层和第二栅线叠层；所述第一栅线叠层设置在所述透明导电层上，所述第二栅线叠层设置在所述第一栅线叠层上。本实用新型专利技术实施例提供的太阳能电池芯片，通过设置双层减反射结构，可减少入射光中多个波长段的反射光，增加太阳能电池芯片的入射光量；并通过设置两层栅线叠层，增加电极高度来减小电极的电阻，进而提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池芯片
本技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池芯片。
技术介绍
太阳能电池，是通过光生伏特效应直接把入射太阳光能转化成电能的装置。HJT电池芯片通常包括晶硅衬底、依次设置在晶硅衬底上的本征薄膜、掺杂硅基薄膜、透明导电层和电极。其中，透明导电层用于横向收集电流。另一方面作为电池表面的光学反射层，可用于减小电池表面的反射。现有技术中，为了提升电池密度，通常还将透明导电层作为电池表面的光学反射层，用于减小电池表面的反射；同时，还采用栅线作为电极，通过减小栅线宽度，降低栅线对入射太阳光的遮挡。采用单层透明导电层充当太阳能电池芯片的减反射层，只能减少入射光中某一波长段的反射光，而不能减少入射光中其它波长段的反射光，减反射效果有限；同时，栅线的宽度的减小会造成栅线高度的降低，使得线型变差，线电阻上升，从而引起电池串联电阻增加，限制了电池效率的提高。
技术实现思路
本技术提供一种太阳能电池芯片，可解决上述技术问题。具体而言，包括以下的技术方案：本技术提供一种太阳能电池芯片，所述太阳能电池芯片包括：衬底；在所述衬底的至少一面上依次设置有本征钝化层、硅掺杂层、透明导电层和电极；以及在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片包括：衬底(1)；在所述衬底(1)的至少一面上依次设置有本征钝化层(2)、硅掺杂层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；以及在所述透明导电层(4)远离所述硅掺杂层(3)的一面设置有减反射层(6)；其中，所述电极(5)穿过所述减反射层(6)设置在所述透明导电层(4)上；所述电极(5)包括第一栅线叠层(51)和第二栅线叠层(52)；所述第一栅线叠层(51)设置在所述透明导电层(4)上，所述第二栅线叠层(52)设置在所述第一栅线叠层(51)上。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片包括：衬底(1)；在所述衬底(1)的至少一面上依次设置有本征钝化层(2)、硅掺杂层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；以及在所述透明导电层(4)远离所述硅掺杂层(3)的一面设置有减反射层(6)；其中，所述电极(5)穿过所述减反射层(6)设置在所述透明导电层(4)上；所述电极(5)包括第一栅线叠层(51)和第二栅线叠层(52)；所述第一栅线叠层(51)设置在所述透明导电层(4)上，所述第二栅线叠层(52)设置在所述第一栅线叠层(51)上。2.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述减反射层(6)包括多个减反射薄膜单元(61)；所述电极(5)设置在每相邻两个所述减反射薄膜单元(61)之间。3.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一栅线叠层(51)为银栅线或铜栅线，所述第二栅线叠层(52)为铜栅线或...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁操，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11