片式同步整流器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种片式同步整流器件，将MOSFET芯片，控制IC芯片及蓄能元件集成在金属框架上，外形采用小型环氧树脂包封体片式封装，外形尺寸占板面积等同于PCB板上的单只整流二极管，可以直接代替，用户在不增加PCB面积的同时，增加了同步整流功能，大幅降低成本，提高生产效率。在金属框架上设置第一过渡键合区和第二过渡键合区，第一键合点在芯片上，第二键合点在金属框架上，避免键合工艺过程劈刀对芯片的损伤，保障键合丝拉力符合要求，防止连接开路现象，提高片式同步整流器件的良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
片式同步整流器件
本技术涉及一种片式同步整流器件，属于电源交流与直流变换领域。
技术介绍
目前电源交流与直流转换
发展较快，同步整流电路正在取代整流管。在低电压、大电流输出的情况下，整流管的导通压降VF较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复管（FRD）或超快恢复管（SRD）的导通压降VF可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。功率MOSFET的通态电阻很低，导通压降比较小，一般只能达到0.006V左右，可以很好的提高电路效率。同步整流电路是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流管，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC/DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。当前，大部分同步整流电路由MOSFET器件、控制电路及蓄能元件三部分组成，使用时，直接将三部分焊接在PCB板上，外围元件多，占用PCB面积也大，成本相对较高。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷，本技术提供一种片式同步整流器件，将MOSFET芯片、控制IC芯片和蓄能元件集成在金属框架上，可直接替代PCB板上的单只整流二极管，在不增加PC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式同步整流器件，其特征在于：包括金属框架，金属框架上设有片式同步整流器件的正极和负极，金属框架上还设有MOSFET芯片粘片区、控制IC芯片粘片区、蓄能元件粘片区、第一过渡键合区和第二过渡键合区，控制IC粘片区与片式同步整流器件的负极相连，蓄能元件粘片区与片式同步整流器件的正极相连；MOSFET芯片的漏极焊接在MOSFET芯片粘片区，源极通过键合丝与片式同步整流器件的正极相连，控制IC芯片粘接在控制IC芯片粘片区，控制IC芯片与MOSFET芯片的栅极之间用键合丝通过第一过渡键合区连接，蓄能元件粘接在蓄能元件粘片区，一端与片式同步整流器件的正极相连，另一端与控制IC芯片用键合丝通过第二过...

【技术特征摘要】
1.一种片式同步整流器件，其特征在于：包括金属框架，金属框架上设有片式同步整流器件的正极和负极，金属框架上还设有MOSFET芯片粘片区、控制IC芯片粘片区、蓄能元件粘片区、第一过渡键合区和第二过渡键合区，控制IC粘片区与片式同步整流器件的负极相连，蓄能元件粘片区与片式同步整流器件的正极相连；MOSFET芯片的漏极焊接在MOSFET芯片粘片区，源极通过键合丝与片式同步整流器件的正极相连，控制IC芯片粘接在控制IC芯片粘片区，控制IC芯片与MOSFET芯片的栅极之间用键合丝通过第一过渡键合区连接，蓄能元件粘接在蓄能元件粘片区，一端与片式同步整流器件的正极相连，另...

【专利技术属性】
技术研发人员：李继远，张庆猛，崔同，张洪亮，季群，王丽，祁伟，
申请(专利权)人：济南晶恒电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：山东,37