金属互连结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种金属互连结构。金属互连结构中的金属扩散阻挡层是通过第一金属的自发扩散而形成的，有利于降低金属扩散阻挡层的制备难度，并且还能够有效避免籽晶层中出现活化能较高的界面金属，进而可缓解高活化能的界面金属穿过金属扩散阻挡层的现象。

【技术实现步骤摘要】
金属互连结构
本技术涉及集成电路半导体
，特别涉及一种金属互连结构。
技术介绍
半导体领域中，高效率、高密度集成电路的元件数量上升到几千万个，这些数量庞大的有源元件的信号集成需要通过金属互连线实现。传统的金属互连工艺中，在填充金属互连层于互连沟槽中之前，需要先在互连沟槽的侧壁和底壁上形成金属扩散阻挡层，以用于阻挡金属扩散至介质层中。具体的，目前所采用的金属扩散阻挡层的材质通常包括钽(Ta)或氮化钽(TaN)等，并采用气相沉积工艺沉积于互连沟槽的内表面上。然而，目前所采用的金属扩散阻挡层其阻挡性能仍需要进一步优化。尤其是，随着器件尺寸的不断缩减，金属扩散阻挡层的厚度也相应的减薄，而当金属扩散阻挡层的厚度减薄到一定程度时，同时还会导致其致密性能不佳，进而将会失去对金属扩散的有效阻挡能力。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种金属互连结构，以解决现有的金属互连结构中的金属扩散阻挡层其阻挡性能不佳的问题。为解决上述技术问题，本技术的提供了一种金属互连结构，包括：衬底，所述衬底包括一层间介质层，所述层间介质层中形成有至少一个互连沟槽；籽晶层，覆盖所述互连沟槽的底壁和侧壁；以及，金属扩散阻挡层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属互连结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括一层间介质层，所述层间介质层中形成有至少一个互连沟槽；籽晶层，覆盖所述互连沟槽的底壁和侧壁；以及，金属扩散阻挡层，形成在籽晶层和所述层间介质层之间，并且所述金属扩散阻挡层的材质包括第一金属，所述籽晶层的材质包括第二金属。

【技术特征摘要】
1.一种金属互连结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括一层间介质层，所述层间介质层中形成有至少一个互连沟槽；籽晶层，覆盖所述互连沟槽的底壁和侧壁；以及，金属扩散阻挡层，形成在籽晶层和所述层间介质层之间，并且所述金属扩散阻挡层的材质包括第一金属，所述籽晶层的材质包括第二金属。2.如权利要求1所述金属互连结构，其特征在于，所述层间介质层的材质包括氧化硅。3.如权利要求2所述金属互连结构，其特征在于，所述金属扩散阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34