一种射频同轴继电器制造技术

技术编号:20687282 阅读:78 留言:0更新日期:2019-03-27 20:42
本实用新型专利技术公开了一种射频同轴继电器,包括底座,所述底座下端安装有静触头座,所述底座上设有外导体补偿槽,所述静触头座上开设有定位孔,所述定位孔上也设有外导体补偿槽,所述定位孔上安装有双层绝缘套,所述双层绝缘套之间安装有补偿定位套,所述补偿定位套两端有外导体补偿槽。本实用新型专利技术通过将内导体补偿槽转移至外导体处,减少了零件的加工难度和装配难度,提高了产品的可靠性,从而提高了射频传输的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种射频同轴继电器
本技术涉及一种继电器,具体是一种射频同轴继电器。
技术介绍
目前,射频同轴继电器的射频接口结构,一般是由内导体,外导体,支撑介质构成,在介质支撑位置,由于有结构突变,需要设计补偿结构以减少射频传输的回波损耗。一般的设计是在内导体上面加工一条或几条槽以满足减少射频传输的回波损耗的需要。但由于内导体尺寸小,对槽的加工精度要求高,并且在内导体上加工槽也不利于装配。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种射频同轴继电器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种射频同轴继电器,包括底座,所述底座下端安装有静触头座,所述底座上设有外导体补偿槽,所述静触头座上开设有定位孔,所述定位孔上也设有外导体补偿槽,所述定位孔上安装有双层绝缘套,所述双层绝缘套之间安装有补偿定位套,所述补偿定位套两端有外导体补偿槽。作为本技术的进一步技术方案:所述双层绝缘套上开设有定位孔。作为本技术的进一步技术方案:所述定位孔上安装有静触头。作为本技术的进一步技术方案:所述外导体补偿槽设有4个外导体补偿处。作为本技术的进一步技术方案:所示底座上端安装有平盖组件。与现有技术相比,本技术的有益效果是:本技术通过将内导体补偿槽转移至外导体处,减少了零件的加工难度和装配难度,提高了产品的可靠性,从而提高了射频传输的性能和可靠性。附图说明图1为本技术的结构图。图2为外导体补偿处的结构图。图3为内导体补偿处的结构图。图中:1-底座、2-平盖组件、3-静触头座、4-双层绝缘套、5-补偿定位套、6-限位槽、7-外导体补偿处、8-内导体补偿处。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3,实施例1,一种射频同轴继电器,包括底座1,所述底座1下端安装有静触头座3,所述底座1上设有外导体补偿槽6,这样就能够实现将内导体补偿槽转移至外导体处,所述静触头座3上开设有定位孔,所述定位孔上也设有外导体补偿槽6,所述定位孔上安装有双层绝缘套4,所述双层绝缘套4之间安装有补偿定位套5,所述补偿定位套5两端有外导体补偿槽6,通过上述元器件的配合,可以有效减少了零件的加工难度和装配难度,提高了产品的可靠性;实施例2:在实施例1的基础上,本设计的外导体补偿槽6上共有4个外导体补偿处,可以有效的与外导体接触,有效实现用外导体结构对突变结构进行补偿的操作。对于本领域技术人员而言,显然本技术不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本技术。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频同轴继电器,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)下端安装有静触头座(3),所述底座(1)上设有外导体补偿槽(6),所述静触头座(3)上开设有定位孔,所述定位孔上也设有外导体补偿槽(6),所述定位孔上安装有双层绝缘套(4),所述双层绝缘套(4)之间安装有补偿定位套(5),所述补偿定位套(5)两端有外导体补偿槽(6)。

【技术特征摘要】
1.一种射频同轴继电器,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)下端安装有静触头座(3),所述底座(1)上设有外导体补偿槽(6),所述静触头座(3)上开设有定位孔,所述定位孔上也设有外导体补偿槽(6),所述定位孔上安装有双层绝缘套(4),所述双层绝缘套(4)之间安装有补偿定位套(5),所述补偿定位套(5)两端有外导体补偿槽(6)。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:骆志亮赖麒军黄卫豪
申请(专利权)人:深圳市西科技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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