【技术实现步骤摘要】
一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机
本专利技术涉及一种紫外曝光机,尤其涉及一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机。
技术介绍
在微电子、光学、线路板等微加工领域,紫外曝光机具有非常重要的应用。传统掩模式曝光机使用的是大尺寸平行紫外光源加掩模的曝光形式。而目前现有无掩模曝光机采用的是光源、光源准直系统、DMD芯片以及投影镜头的复杂结构,导致光源能量到工作表面能量损失过高,同时由于光源功率和DMD芯片最大承受功率受限,无法达到足够的曝光强度。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是:现有传统掩模式曝光机和无掩模紫外曝光机,系统效率低,曝光强度不足等问题。而本专利技术采用一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列,并保证每一个LED像素可定址,并单独驱动点亮。底层用CMOS集成电路工艺制成驱动电路。CMOS集成电路工艺主要包括硅基CMOS电路工艺和玻璃基CMOS电路工艺。Micro-LED发出的光通过放大或缩小镜头作用到待曝光工件表面,没有经过复杂光学系统的损耗,因此本专利技术所述曝光机可以实现更高的能量利用效率、更高的曝光强度、更快的加工速度。本专利技术提供一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,该系统包括Micro-LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。所述Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列,并保证每一个LED像素可定址,并单独驱动点亮的一种微型显示芯片及其各种封装产品。所述Micro-LED用作光源及图 ...
【技术保护点】
1.一种基于Micro‑LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,其特征在于,包括Micro‑LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。
【技术特征摘要】
1.一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,其特征在于,包括Micro-LED、计算机及控制软件、放大或缩小镜头、待曝光工件表面和工作台。2.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,其特征在于,所述Micro-LED是在芯片集成高密度微小尺寸LED阵列,并保证每一个LED像素可定址,并单独驱动点亮的一种微型显示芯片及其各种封装产品。3.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,其特征在于,所述Micro-LED用作光源及图形投影,光波长为190~420nm,每个LED像素尺寸为:长≥2μm,宽≥2μm。LED阵列的行数M≥2,列数N≥2。4.如权利要求1所述的一种基于Micro-LED无掩模投影扫描式紫外曝光机,其特征在于,所述计算机及控制软件包括运动控制和图形控制,运动控制是指在X、Y轴上的运动控制,图形控...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙雷,
申请(专利权)人:北京德瑞工贸有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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