一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个VCSEL垂直腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。

A Micro LD Device Based on VCSEL Technology

【技术实现步骤摘要】
一种基于VCSEL技术的MicroLD的装置
本专利技术涉及一种基于VCSEL技术的MicroLD的装置。
技术介绍
近年来MicroLED技术快速进步，在显示领域和工业领域应用爆发。并获得了以苹果、三星、京东方等大型企业的巨量技术投资。MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个LED像素可定址、单独驱动点亮。也就是说MicroLED技术是将微小的LED芯片阵列在集成供电电路上，以集成供电电路单独控制每一个MicroLED颗粒的开关和明暗，最终形成所需的二维图形。由于MicroLED中微小LED颗粒是360°发光，通过反光层、反光杯、微透镜等收敛发散角，但最终发散角仍然很大。在实际应用中，经常需要在作用表面产生足够的光强，反光层，反光杯等收敛发散角的机构会大幅降低LED的光效率。同时，实际应用中也对单位面积光强提出了更高的要求。为解决上述问题，本专利技术申请人在世界范围内首次提出一种基于VCSEL的MicroLD技术作为MicroLED技术的下一代显示和工业应用的可替代方案。垂直腔面发射激光二极管(VCS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于VCSEL技术的Micro LD的装置包括：部件(1)衬底、部件(2)MOS集成电路、部件(3)VCSEL阵列(全称：VCSEL，Vertical‑Cavity‑Surface‑Emitting‑Laser，中文名垂直腔面发射激光二极管)、部件(4)外部控制系统；通过部件(4)外部控制系统可独立寻址控制部件(2)MOS集成电路上的部件(22)电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件(22)电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件(31)VCSEL发光与熄灭，通过可控的每个部件(31)VCSEL发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。

【技术特征摘要】
1.一种基于VCSEL技术的MicroLD的装置包括：部件(1)衬底、部件(2)MOS集成电路、部件(3)VCSEL阵列(全称：VCSEL，Vertical-Cavity-Surface-Emitting-Laser，中文名垂直腔面发射激光二极管)、部件(4)外部控制系统；通过部件(4)外部控制系统可独立寻址控制部件(2)MOS集成电路上的部件(22)电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件(22)电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件(31)VCSEL发光与熄灭，通过可控的每个部件(31)VCSEL发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。2.根据权利要求1所述的部件(1)衬底，其特征在于，部件(1)衬底材料采用硅基或玻璃基。3.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征在于，其特征在于：部件(2)MOS集成电路(MOS全称MetalOxideSemi-conductor中文金属-氧化物半导体)，部件(2)MOS集成电路包括PMOS(P-channelMetalOxideSemiconductor，P沟道金属氧化物半导体)、NMOS(N-channelMetalOxideSemiconductor，N沟道金属氧化物半导体)和CMOS(ComplementMetalOxideSemiconductor，复合互补金属氧化物半导体)等类型。4.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征在于，部件(2)MOS集成电路表面含有C个部件(21)引脚(C≥1)与部件(4)外部控制系统连接，含有部件(22)电极阵列与部件(3)VCSEL阵列相连并为部件(3)VCSEL阵列供电。部件(21)引脚可以在部件(2)MOS集成电路的任意位置。5.根据权利要求1所述的部件(2)MOS集成电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙雷，
申请(专利权)人：北京德瑞工贸有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11