SrHgGeSe4非线性光学晶体、其制备及应用制造技术

本发明专利技术公开了一种非线性光学晶体，其化学式为SrHgGeSe4，属正交晶系，空间群为Ama2，晶胞参数为：

【技术实现步骤摘要】
SrHgGeSe4非线性光学晶体、其制备及应用
本专利技术涉及非线性光学晶体领域。更具体地，涉及一种SrHgGeSe4非线性光学晶体、其制备及应用。
技术介绍
具有非线性光学效应的晶体称为非线性光学晶体。这里非线性光学效应是指倍频、和频、差频、参量放大等效应。只有不具有对称中心的晶体才可能有非线性光学效应。利用晶体的非线性光学效应，可以制成二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等非线性光学器件。激光器产生的激光可通过非线性光学器件进行频率转换，从而获得更多有用波长的激光，使激光器得到更广泛的应用。根据材料应用波段的不同，可以分为紫外光区、可见和近红外光区、以及中红外光区非线性光学材料三大类。可见光区和紫外光区的非线性光学晶体材料已经能满足实际应用的要求；如在二倍频(532nm)晶体中实用的主要有KTP(KTiOPO4)、BBO(β-BaB2O4)、LBO(LiB3O5)晶体；在三倍频(355nm)晶体中实用的有BBO、LBO、CBO(CsB3O5)可供选择。而红外波段的非线性晶体发展比较慢；红外光区的材料大多是ABC2型的黄铜矿结构半导体材料，如AgGaQ2(Q＝S,Se)红本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非线性光学晶体，其特征在于，其化学式为SrHgGeSe4，属正交晶系，空间群为Ama2，晶胞参数为：

【技术特征摘要】
1.一种非线性光学晶体，其特征在于，其化学式为SrHgGeSe4，属正交晶系，空间群为Ama2，晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，Z＝4。2.如权利要求1所述的非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用高温熔体自发结晶法制备，将具有组成等同于SrHgGeSe4的混合物或粉末状SrHgGeSe4化合物加热至熔化完全，将得到的高温溶液保温后再降温至室温得到。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述保温的时间为24-96小时；所述降温的速率为1-10℃/小时。4.如权利要求1所述的非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，采用坩埚下降法制备，将具有组成等同于SrHgGeSe4的混合物或粉末状SrHgGeSe4化合物置于晶体生长装置中，加热至熔化完全，将晶体生长装置垂直下降，垂直下降过程中结晶得到。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述垂直下降的速率为0.1-10mm/h，时间为5-20天。6.根据权利要求2或4所述的制备方法，其特征在于，所述具有组成等同于SrHgGeSe4的混合物为将含有Sr元素、Hg元素、Ge元素和Se元素的原料混合得到，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚吉勇，郭扬武，李壮，邢文豪，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11