一种输入浪涌电流抑制电路制造技术

本发明专利技术属于电源技术领域，具体涉及一种用于抑制输入启动冲击电流的输入浪涌电流抑制电路。该输入浪涌电流抑制电路，包括充电电路，分压电路，开关电路及驱动电路。该电路输入端是供电电源，输出端是二次电源的相关电路，其中包含储能及滤波电容，随着供电电源启动上电，充电电路给该电路的电容充电，此时输入电源瞬间冲击电流几乎没有，然后驱动电路的电容放电，开关电路随之导通，该电路输出电压随之上升，从而有效抑制启动冲击电流。本发明专利技术通过较简单的电路代替以往大体积功率电阻抑制电容充电电流，解决了由于串联功率电阻增加电源的输入阻抗而可能造成的大功率电源不能稳定工作的问题。

An Input Surge Current Suppression Circuit

The invention belongs to the technical field of power supply, in particular to an input surge current suppression circuit for suppressing input start impulse current. The input surge current suppression circuit includes charging circuit, voltage dividing circuit, switching circuit and driving circuit. The input end of the circuit is a power supply, and the output end is a related circuit of the secondary power supply, which contains energy storage and filter capacitors. With the power supply starting up, the charging circuit charges the capacitor of the circuit. At this time, the impulse current of the input power supply is almost zero, then the capacitance discharge of the drive circuit leads on, and the output voltage of the circuit rises accordingly. Effectively suppress the starting impulse current. The invention solves the problem that the high power supply can not work steadily because the series power resistance increases the input impedance of the power supply by replacing the large volume power resistance to suppress the charging current of the capacitor with a simpler circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种输入浪涌电流抑制电路
本专利技术属于电源
，具体涉及一种用于抑制输入启动冲击电流的输入浪涌电流抑制电路。
技术介绍
电源输入整流滤波采用了电容，由于电容电压不能突变的特性，所以在上电时如果没有限流措施，仅靠ESR等寄生参数抑制启动电流，该峰值电流远大于稳态输入电流，会影响供电电源供电品质，进而可能影响二次电源的正常工作，造成器件电流参数选型远大于正常工作电流，由此提高了成本，甚至造成器件损坏。以往抑制电容上电电流采用的是电容串联功率电阻的方式实现，但是该方法有以下不足之处：其一，功率电阻体积较大，不可能在所有的电容上都串联电阻；其二，串联功率电阻增加了电源的输入阻抗，可能造成大功率电源不能稳定工作。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术提出一种输入浪涌电流抑制电路，以解决电源输入普遍存在的启动冲击电流大，而现有抑制方法存在一定局限性的技术问题。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种输入浪涌电流抑制电路，该电路包括PNP型三极管Q1给电容C1充电，PNP型三极管Q1的集电极通过电阻R4接地，电阻R3与电阻R4串联接在供电电源的正负极之间，电阻R3、电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种输入浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述电路包括PNP型三极管Q1给电容C1充电，PNP型三极管Q1的集电极通过电阻R4接地，电阻R3与电阻R4串联接在供电电源的正负极之间，电阻R3、电阻R4为P沟道场效应晶体管Q2的G极提供稳定电位，P沟道场效应晶体管Q2的S极和D极分别与供电电源和二次电源的正极相连，当PNP型三极管Q1关断后，电阻R4为电容C2提供放电回路，P沟道场效应晶体管Q2的G极与PNP型三极管Q1的集电极、电阻R3、电阻R4以及电容C2的一端相连，电阻R5与P沟道场效应晶体管Q2的D极、电容C2的另一端以及二次电源的正极相连；电容C2、电阻R3、电阻R4和电阻R5决定二次电...

【技术特征摘要】
1.一种输入浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述电路包括PNP型三极管Q1给电容C1充电，PNP型三极管Q1的集电极通过电阻R4接地，电阻R3与电阻R4串联接在供电电源的正负极之间，电阻R3、电阻R4为P沟道场效应晶体管Q2的G极提供稳定电位，P沟道场效应晶体管Q2的S极和D极分别与供电电源和二次电源的正极相连，当PNP型三极管Q1关断后，电阻R4为电容C2提供放电回路，P沟道场效应晶体管Q2的G极与PNP型三极管Q1的集电极、电阻R3、电阻R4以及电容C2的一端相连，电阻R5与P沟道场效应晶体管Q2的D极、电容C2的另一端以...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷哲毅，
申请(专利权)人：天津津航计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12