A method of manufacturing integrated circuits (IC) using first lithography and different second lithography techniques. The method includes providing the layout of IC with IC pattern and deriving the pattern from the layout. The pattern has vertices and edges connecting some vertices. This vertex represents the IC pattern. The edges are divided into at least two types. The first type of connection will be patterned with the first lithography technology and the second type of connection will be patterned with the first lithography technology in the same process, or two vertices will be patterned with the first and second lithography technology respectively. The method also includes decomposing vertices into the first subset and the second subset, where IC patterns corresponding to the first and second subsets are patterned on wafers using the first and second lithography techniques, respectively. The embodiment of the present invention relates to a hybrid dual patterning method for semiconductor manufacturing.
【技术实现步骤摘要】
用于半导体制造的混合双重图案化方法
本专利技术实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。在IC演化过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大,而几何尺寸(即,可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂性,并且为了实现这些进步,需要IC制造中的类似发展。例如,随着几何尺寸缩小,传统的光刻工艺通常难以形成具有这些小尺寸的半导体部件。解决该问题的一种方法是使用双重阵列(DP)方法。典型的DP方法将IC的布局分解成两个子集并且为每个子集制造光掩模。在两个光刻工艺中用两个光掩模图案化晶圆。两个光刻工艺的图像彼此重叠以共同在晶圆上产生更密集的图像。在传统的DP方法中,两个光刻工艺具有相同的分辨率,这在一些情况下限制了通过DP方法可以产生的最小临界尺寸(CD)。需要这些领域的改进。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例,提供了一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法,所述方法包括以下步骤:提供IC的布局,所述布局具有一组IC图案;从所述布局导出图案,所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边,所述顶点代表所述IC图案,将所述棱边分为至少两种类型,第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点,第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案 ...
【技术保护点】
1.一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法,所述方法包括以下步骤:提供IC的布局,所述布局具有一组IC图案;从所述布局导出图案,所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边,所述顶点代表所述IC图案,将所述棱边分为至少两种类型,第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点,第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点;以及使用计算机化IC工具,将所述顶点分解成第一子集和第二子集,其中,将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述IC图案,并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述IC图案。
【技术特征摘要】
2017.09.14 US 15/704,3671.一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(IC)的方法,所述方法包括以下步骤:提供IC的布局,所述布局具有一组IC图案;从所述布局导出图案,所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边,所述顶点代表所述IC图案,将所述棱边分为至少两种类型,第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点,第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点;以及使用计算机化IC工具,将所述顶点分解成第一子集和第二子集,其中,将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述IC图案,并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述IC图案。2.根据权利要求1所述的方法,在所述导出的步骤之后,还包括以下步骤:检查是否存在由通过所述第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路;以及在存在这种回路的情况下,修改所述布局来断开回路。3.根据权利要求1所述的方法,在所述导出的步骤之后,还包括以下步骤:将颜色X和Y分配给通过所述第一类型的棱边连接的所有顶点,其中,通过第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。4.根据权利要求3所述的方法,在分配颜色X和Y的步骤之后,还包括以下步骤:识别通过所述第一类型的棱边彼此连接的顶点的网络;检查所述网络中是否存在两对顶点,使得第一对顶点分配有相同的颜色X,并且直接通过所述第二类型的棱边连接,以及第二对顶点分配有相同的颜色Y,并且直接通过另一第二类型的棱边连接;以及在存在这种两对顶点的情况下,修改布局以防止出现这种两对顶点。5.根据权利要求3所述的方法,在分配颜色X和Y的步骤之后,还包括以下步骤:将颜色A初始分配给分配有相同的颜色X或相同的颜色Y并且直接通过所述第二类型的棱边连接的所有顶点对;以及将具有所述颜色A的顶点放入第一子集中。6.根据权利要求5所述的方法,在最初分配颜色A的步骤之后,还包括以下步骤:将颜色B分配给没有用颜色A或颜色B着色并且直接通过所述第一类型的棱边连接至具有颜色A的顶点的所有顶点;在分配颜色B的步骤之后,随后将颜色A分配给没有用颜色A或颜色B着色并且直接通过第一类型或第二类型的棱边与具...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢艮轩,郑文立,郑东祐,赖志明,刘如淦,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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