用于检查多个测量物体的材料属性的设备制造技术

一种检查设备包括光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的光并将其引导到第二测量物体。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用两个测量单元的检查。

【技术实现步骤摘要】
用于检查多个测量物体的材料属性的设备本申请主张于2017年9月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2017-0117983的优先权，通过引用将该申请的公开内容全部并入本文。
本申请涉及检查设备，更具体地，涉及用于检查多个测量物体的材料特性的设备。
技术介绍
通常，通过加工(fabrication，“fab”)过程来制造半导体装置，其中包括电部件的电路在所述加工过程中被形成在硅晶片上，所述硅晶片被用作半导体基底。在加工之后，可以执行电子基片拣选(electricaldiesorting，EDS)过程以检查在加工过程中形成的半导体装置的电特性。然后可以执行封装组装过程以用环氧树脂包封半导体装置中的每一个并且个体化半导体装置。加工过程通常包括沉积过程，通过该沉积过程将薄膜形成在半导体基底上。执行化学机械抛光以使所述薄膜光滑。执行光刻过程以在薄膜上形成光阻图案。执行蚀刻过程以使用光阻图案将薄膜形成为具有电特性的图案。执行离子注入过程以将特定离子注入到半导体基底的预定区域中。执行清理过程以从半导体基底去除杂质。执行检查过程以检查其上形成有薄膜或图案的半导体基底的表面。半导体基底的缺陷(比如残留在半导体基底上的外来物质)可能降低半导体装置的操作性能和生产率。
技术实现思路
一种检查设备包括产生第一光的光源。第一测量单元被配置为接收来自光源的第一光并将第一光引导到第一测量物体。第二测量单元被配置为接收来自光源的第一光并将第一光引导到与第一测量物体不同的第二测量物体。检查单元被配置为接收沿着第一光学路径从第一测量单元提供的第一光信号并使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收沿着与第一光学路径不同的第二光学路径从第二测量单元提供的第二光信号并使用第二光信号检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用所述一个光学路径和第二光学路径。检查设备包括第一测量物体设置在其中的第一测量单元。第一测量单元包括被配置为将第一光提供到第一测量物体的第一照明单元和被配置为接收穿过第一测量物体的第一光的第一光接收单元。第二测量物体设置在其中的第二测量单元包括被配置为将第二光提供到第二测量物体的第二照明单元和被配置为接收穿过第二测量物体的第二光的第二光接收单元。检查单元被配置为接收从第一测量单元提供的第一光信号并且据此检查第一测量物体，并且接收从第二测量单元提供的第二光信号并且据此检查第二测量物体。反射镜被配置为将第一光信号或第二光信号引导到所述检查单元。控制单元被配置为控制驱动单元以调整所述反射镜的角度。检查设备包括被配置为将光引导到第一测量物体的第一测量单元。第二测量单元被配置为将所述光引导到第二测量物体。检查单元被配置为检查第一测量物体和检查第二测量物体。测量位置选择单元被配置为通过调整反射镜的角度来交替地将来自第一测量单元的第一光信号提供到所述检查单元和将来自第二测量单元的第二光信号提供到所述检查单元。附图说明在结合附图进行考虑时，通过参考下文的详细描述，由于本公开的更全面的理解和其关注的许多方面变得更好理解，将更容易获得本公开的更全面的理解和其关注的许多方面。图1是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图；图2是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于使用用于检查材料属性的设备来检查材料属性的方法的流程图；图3至图5是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的操作的图；图6是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图；图7是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图；图8是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的视图简图；以及图9是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图。具体实施方式在描述在附图中示意的本公开的示例性实施例时，为了清楚起见采用了特定术语。然而，不打算将本公开限制于如此选择的特定术语，并且应当理解，每个特定元件包括以相似方式进行操作的所有技术等效物。下面，将参考图1描述根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备。图1是示意了根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备的简图。根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备可以用于在半导体装置的制造过程的每一个步骤处检查半导体基底的材料的属性。例如，检查可以在下列过程处进行：用于形成薄膜的沉积过程、用于使薄膜光滑的化学机械抛光过程、用于在薄膜上形成图案的光刻过程、用于使用光阻图案形成图案的蚀刻过程、用于将特定离子注入到半导体基底的预定区域的离子注入过程和用于去除杂质的清理过程。然而，本公开不限于此。参考图1，根据本公开一些示例性实施例的用于检查材料属性的设备包括光源110、第一测量单元120、第二测量单元130、第三测量单元140、测量位置选择单元150、可以包括前述光源110的检查单元160和控制单元170。光源110可以将第一光(L1)提供到第一测量单元120、第二测量单元130和第三测量单元140中的每一个。例如，光源110可以向连接到第一测量单元120的第一头部151、连接到第二测量单元130的第二头部152和/或连接到第三测量单元140的第三头部153提供第一光(L1)。关于头部151、152和153中的哪一个接收来自光源110的光(L1)的确定可以根据设置在前述测量位置选择单元150内的反射镜155的角度来确定。向第一头部151提供的第一光(L1)可以随后通过光纤向第一测量单元120的第一照明单元121提供。向第二头部152提供的第一光(L1)可以随后通过光纤提供到第二测量单元130的第二照明单元131。向第三头部153提供的第一光(L1)可以随后通过光纤提供到第三测量单元140的第三照明单元141。光源110可以在第一测量物体10定位在第一测量单元120中时将第一光(L1)提供到第一照明单元121。光源110可以在第二测量物体20定位在第二测量单元130中时将第一光(L1)提供到第二照明单元131。光源110可以在第三测量物体30定位在第三测量单元140中时将第一光(L1)提供到第三照明单元141。尽管图1示出光源110设置在检查单元160内，但是本公开不限于此。例如，在本公开的一些示例性实施例中，光源110可以设置在检查单元160的外部。第一测量单元120可以包括第一照明单元121和第一光接收单元122。第一照明单元121可以接收来自光源110的第一光(L1)，并且可以将第二光(L2)照射到第一测量物体10。第一光接收单元122可以接收已经穿过第一测量物体10的第二光(L2)，然后可以通过光纤将第一光信号(S1)提供到第一头部151。第二测量单元130可以包括第二照明单元131和第二光接收单元132。第二照明单元131可以接收来自光源110的第一光(L1)，并且可以将第三光(L3)照射到第二测量物体20。第二光接收单元132可以接收已经穿过第二测量物体20的第三光(L3)，然后可以通过光纤将第二光信号(S2)提供到第二头部152。第三测量单元140可以包括第三照明单元141和第三光接收单元142。第三照明单元141可以接收来自光源110的第一光(L1)，并且可以将第四光(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检查设备，包括：产生第一光的光源；第一测量单元，被配置为接收来自所述光源的第一光并将第一光引导到第一测量物体；第二测量单元，被配置为接收来自所述光源的第一光并将第一光引导到与第一测量物体不同的第二测量物体；检查单元，被配置为接收沿着第一光学路径从第一测量单元提供的第一光信号并使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收沿着与第一光学路径不同的第二光学路径从第二测量单元提供的第二光信号并使用第二光信号检查第二测量物体；以及测量位置选择单元，被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用第一光学路径和第二光学路径。

【技术特征摘要】
2017.09.14 KR 10-2017-01179831.一种检查设备，包括：产生第一光的光源；第一测量单元，被配置为接收来自所述光源的第一光并将第一光引导到第一测量物体；第二测量单元，被配置为接收来自所述光源的第一光并将第一光引导到与第一测量物体不同的第二测量物体；检查单元，被配置为接收沿着第一光学路径从第一测量单元提供的第一光信号并使用第一光信号检查第一测量物体，并且接收沿着与第一光学路径不同的第二光学路径从第二测量单元提供的第二光信号并使用第二光信号检查第二测量物体；以及测量位置选择单元，被配置为通过调整反射镜的角度来交替地启用第一光学路径和第二光学路径。2.根据权利要求1所述的设备，其中第一测量单元包括第一照明单元和第一光接收单元，第一照明单元被配置为将第一光引导到第一测量物体，第一光接收单元被配置为接收穿过第一测量物体或从第一测量物体反射的第一光并将第一光信号提供到所述测量位置选择单元，并且其中第二测量单元包括第二照明单元和第二光接收单元，第二照明单元被配置为将第一光引导到第二测量物体，第二光接收单元被配置为接收穿过第二测量物体或从第二测量物体反射的第一光并将第二光信号提供到所述测量位置选择单元。3.根据权利要求1所述的设备，还包括：驱动单元，被配置为改变所述反射镜的角度；以及控制单元，被配置为控制所述驱动单元以调整所述反射镜的角度。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制单元被配置为根据预设时间驱动所述驱动单元并且将第一光信号或第二光信号提供到所述检查单元。5.根据权利要求1所述的设备，还包括控制单元，所述控制单元被配置为：在第一测量单元将第一光引导到第一测量物体时，通过调整所述反射镜的角度来将第一光信号提供到所述检查单元；以及在第二测量单元将第一光引导到第二测量物体时，通过调整所述反射镜的角度来将第二光信号提供到所述检查单元。6.根据权利要求1所述的设备，还包括透镜，所述透镜被配置为将第一光信号或第二光信号汇聚在所述反射镜上。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述检查单元包括浓度测量单元，所述浓度测量单元被配置为测量第一测量物体或第二测量物体中包括的材料的浓度。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述检查单元包括颗粒测量单元，所述颗粒测量单元被配置为测量第一测量物体或第二测量物体中包括的颗粒大小。9.根据权利要求1所述的设备，还包括第三光接收单元，第三光接收单元被配置为：接收穿过第一测量物体的第一光并且将第一光信号提供到所述测量位置选择单元；以及接收穿过第二测量物体的第一光并且将第二光信号提供到所述测量位置选择单元。10.一种检查设备，包括：第一测量单元，第一测量物体设置在第一测量单元中，并且第一测量单元包括被配置为将第一光提供到第一测量物体的第一照明单元和被配置为接收穿过第一测量物体的第一光的第一光接收单元；第二测量单元，第二测量物体设置在第二测量单元中...

【专利技术属性】
技术研发人员：安泰兴，金英德，朴相吉，朴峻范，岩阳一郎，田炳焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR