The invention provides a chemical mechanical (CMP) polishing pad, which has a top surface, one or more orifices adapted to receive an endpoint detection window, a depression part and a lower side of one or more flange endpoint detection windows (windows). Each window has flanges adapted to be tightly assembled in the depression part of the lower side of the polishing layer, and the flange has a slight edge. A thickness less than the depth of the depressed portion of the polishing layer (to allow adhesives) has a detection area tightly assembled into the hole in the polishing layer so that the top surface of the polishing layer is roughly level with the top surface of the polishing layer.
【技术实现步骤摘要】
凸缘光学端点检测窗口和含有其的CMP抛光垫本专利技术涉及一种具有一个或多个凸缘端点检测窗口的化学机械抛光(CMP抛光)垫和其制造方法。更确切地说,本专利技术涉及一种CMP抛光垫,其包含:(i)CMP抛光层,在其中具有(a)对于顶部表面,其具有用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的一系列凹槽、孔口和任选的排除区域,和(b)以及下侧,其含有用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的凹陷部分,其具有与每个排除区域横向相连延伸的深度;(ii)子垫或子层;以及(iii)一个或多个端点检测窗口,各自具有:经调适以紧密地装配到抛光层的下侧的凹陷部分中且厚度等于或略微小于抛光层的凹陷部分的深度的凸缘;紧密地装配到抛光层中的孔口中的检测区域;以及与抛光层的顶部表面齐平的顶部表面。在集成电路和其它电子装置的制造中,导体、半导体以及介电材料的多个薄层沉积于半导体晶片的表面上且随后至少部分地从半导体晶片的表面上去除。随着材料层依序沉积和去除,晶片的最上表面变得不平坦。由于后续半导体加工(例如金属化)需要晶片具有平坦表面,所以晶片需要平坦化。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)通常用于在制造期间使集成电路和其它电子装置衬底,如半导体晶片平坦化。在常规CMP中,衬底安装在载体组合件上且定位成与CMP设备中的抛光垫接触。载体组合件通过将其抵着CMP抛光垫按压向衬底中施加可控的压力,同时通过外部动力相对于衬底移动(例如旋转)垫。与其同时,晶片与CMP抛光垫之间提供的抛光介质(例如浆料)用以通过垫表面和抛光介质的化学和机械活动使衬底表面抛光和平坦化。当衬底已抛光到所需程度时,测定CMP抛光中呈 ...
【技术保护点】
1.一种化学机械(CMP)抛光垫,其用于抛光选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一个的衬底,所述抛光垫包含(i)CMP抛光层或聚合材料的顶层,其中具有(a)顶部表面,其具有一系列凹槽,具有用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的孔口A,一直延伸通过所述抛光层,当在使用时朝着所述抛光层顶部正常向下的方向观察时具有中心点,和(b)大体上平坦的下侧,其含有用于所述一个或多个端点检测窗口中的每一个的凹陷部分,其具有与每个排除区域的横向尺寸相连横向延伸的恒定深度;(ii)聚合材料的子垫或子层,其具有大体上平坦的顶部表面,具有平坦下侧表面且具有一直延伸通过所述子垫的用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的孔口,且具有中心点对准以匹配所述抛光层中的每个孔口A的中心点;以及(iii);以及(iii)一个或多个端点检测窗口,每个窗口具有经调适以紧密地装配到所述抛光层的下侧的凹陷部分中且厚度等于或容纳粘着剂层,略微小于所述(i)抛光层的凹陷部分的深度的凸缘,具有紧密地装配到所述(i)抛光层中的孔口中的检测区域以使得其顶部表面大体上与所述(i)抛光层的顶部表面齐平。
【技术特征摘要】
2017.09.15 US 15/7055611.一种化学机械(CMP)抛光垫,其用于抛光选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一个的衬底,所述抛光垫包含(i)CMP抛光层或聚合材料的顶层,其中具有(a)顶部表面,其具有一系列凹槽,具有用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的孔口A,一直延伸通过所述抛光层,当在使用时朝着所述抛光层顶部正常向下的方向观察时具有中心点,和(b)大体上平坦的下侧,其含有用于所述一个或多个端点检测窗口中的每一个的凹陷部分,其具有与每个排除区域的横向尺寸相连横向延伸的恒定深度;(ii)聚合材料的子垫或子层,其具有大体上平坦的顶部表面,具有平坦下侧表面且具有一直延伸通过所述子垫的用于一个或多个端点检测窗口中的每一个的孔口,且具有中心点对准以匹配所述抛光层中的每个孔口A的中心点;以及(iii);以及(iii)一个或多个端点检测窗口,每个窗口具有经调适以紧密地装配到所述抛光层的下侧的凹陷部分中且厚度等于或容纳粘着剂层,略微小于所述(i)抛光层的凹陷部分的深度的凸缘,具有紧密地装配到所述(i)抛光层中的孔口中的检测区域以使得其顶部表面大体上与所述(i)抛光层的顶部表面齐平。2.根据权利要求1所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述CMP抛光层的聚合材料为聚氨基甲酸酯泡沫层。3.根据权利要求1所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述(ii)聚合材料的子垫或子层为聚氨基甲酸酯泡沫材料。4.根据权利要求1所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述(iii)一个或多个端点检测窗口为透明聚合物窗口。5.根据权利要求1所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述(iii)一个或多个端点检测窗口中的每一个经由超声波焊接或用选自压敏粘着剂、热熔胶粘着剂、接触粘着剂和其组合的粘着剂粘着到所述(i)抛光层和所述(ii)子垫中的每一个。6.根据权利要求4所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述(iii)一个或多个端点检测窗口中的每一个用压敏性粘着剂粘着到所述(i)抛光层且用压敏性粘着剂或热熔粘着剂粘着到所述(ii)子垫。7.根据权利要求1所述的化学机械(CMP)抛光垫,其中所述一个或多个端点检测窗口,其中所述CMP抛光垫在任何维度中在与...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·G·皮斯克拉克,J·J·亨德伦,
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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