The invention discloses a method for making conical shape of re-wiring through holes which is beneficial to filling, including: providing semiconductor devices, forming metal layer, etching stop layer, dielectric layer, etching dielectric layer and part of the etching stop layer and stopping in the etching stop layer; (2) depositing anti-reflection material and re-etching; and (2) depositing photoresist material, developing and opening worker. Art window; (4) Etching photoresistive materials and antireflective materials; (5) Dry etching dielectric layer and antireflective materials, the top surface of the antireflective material after etching is higher than the top surface of the etching stop layer; (6) Removing the remaining antireflective materials; and (7) Continuing to etch the stop layer and stop in the metal layer. When the opening of the dielectric layer is enlarged to form a conical shape, part of the anti-reflective material is retained, the anti-reflective material is removed and the etching stop layer is opened, thus ensuring that the bottom of the etching stop layer is not destroyed, and reducing the abnormal deviation of the resistance value in the wafer acceptability test caused by copper corrosion.
【技术实现步骤摘要】
利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法
本专利技术属于微电子及半导体集成电路制造领域,具体涉及一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法。
技术介绍
目前,随着半导体器件发展到40nm及其以下节点,通孔的关键尺寸随着通孔间距尺寸的缩小也需要做相应的缩小,随之而来的是通孔刻蚀及填充的关键指标深宽比(ARratio)的进一步增大,这对传统的刻蚀及填充工艺带来巨大的挑战。现有通孔刻蚀过程中,金属层1(材质为Cu)上方形成有蚀刻停止层(如底部氮掺杂碳化硅薄膜2),蚀刻停止层上形成有介电层3,介电层3上旋涂光刻胶,并利用光罩进行曝光显影,利用传统的一步刻蚀工艺方法形成所需要的通孔。由于一步刻蚀工艺的局限性,介质层3形成锥形形貌的刻蚀过程中会造成底部氮掺杂碳化硅薄膜2形成碗形形貌,如图1所示,使得金属层1发生铜扩散(Cudiffuse),进而在去除底部氮掺杂碳化硅薄膜2的刻蚀过程中导致铜侵蚀(Cuerosion),影响后续阻挡层的生长和铝的填充,最终导致晶圆可接受性测试(WaferAcceptanceTest,简称WAT)中电阻值异常偏离,如图2所示。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,可以解决现有通孔刻蚀过程中形成的铜扩散导致晶圆可接受性测试中电阻值异常偏离的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供的利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,包括如下步骤:步骤S1,提供一半导体器件,在其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层,对所述介质层以及部分蚀刻停止层进行刻蚀形成通孔,并停在蚀刻停止层中;步骤S2,沉积抗反射材料 ...
【技术保护点】
1.一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,提供一半导体器件,在其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层,对所述介质层以及部分蚀刻停止层进行刻蚀形成通孔,并停在蚀刻停止层中;步骤S2,沉积抗反射材料并进行回刻;步骤S3,沉积光阻材料,将通孔对应处的光阻材料进行显影打开工艺窗口;步骤S4,刻蚀光阻材料和抗反射材料;步骤S5,对介质层和抗反射材料进行第一次干法刻蚀,刻蚀后抗反射材料的顶面高于蚀刻停止层的顶面;步骤S6,去除剩余的抗反射材料;步骤S7,继续刻蚀蚀刻停止层,并停至金属层中。
【技术特征摘要】
1.一种利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤S1,提供一半导体器件,在其表面形成金属层、蚀刻停止层、介质层,对所述介质层以及部分蚀刻停止层进行刻蚀形成通孔,并停在蚀刻停止层中;步骤S2,沉积抗反射材料并进行回刻;步骤S3,沉积光阻材料,将通孔对应处的光阻材料进行显影打开工艺窗口;步骤S4,刻蚀光阻材料和抗反射材料;步骤S5,对介质层和抗反射材料进行第一次干法刻蚀,刻蚀后抗反射材料的顶面高于蚀刻停止层的顶面;步骤S6,去除剩余的抗反射材料;步骤S7,继续刻蚀蚀刻停止层,并停至金属层中。2.根据权利要求1所述的利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,其特征在于,在步骤S1中,在所述介质层上涂光刻胶,通过曝光、显影和刻蚀形成通孔。3.根据权利要求1所述的利于填充的重新布线通孔锥形形貌的制作方法,其特征在于,在步骤S5中,刻蚀后介质层的工艺窗口为锥形,且直径从上至下...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙磊,刘玉征,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。