一种具有防反接电路的ESD保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有防反接电路的ESD保护电路，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对内部电路进行ESD保护；及防反接电路，连接于电源输入端和ESD保护电路之间，用于当电源输入端接入正向电源电压时，防反接电路导通，电源输入端与内部电路之间呈现通路；当电源输入端接入反向电源电压时，防反接电路关断，电源输入端与内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。通过本实用新型专利技术解决了现有ESD保护电路中，当电源输入端接入反向电源电压时，所述NMOS管本身的寄生二极管导通，从而产生大电流，导致整个电路系统工作不正常、甚至烧毁的问题。

An ESD Protection Circuit with Anti-Reverse Circuit

The utility model provides an ESD protection circuit with anti-backconnection circuit, which comprises an ESD protection circuit connected between the power input terminal and the internal circuit for ESD protection of the internal circuit, and an anti-backconnection circuit connected between the power input terminal and the ESD protection circuit for connecting the forward power supply voltage when the power input terminal is connected to the forward power supply voltage. When the anti-backconnection circuit is turned on, there is a path between the power input and the internal circuit; when the power input is connected to the reverse power supply voltage, the anti-backconnection circuit is turned off, and the open circuit between the power input and the internal circuit is presented for anti-backconnection protection. The utility model solves the problem that the parasitic diode of the NMOS transistor itself turns on when the input end of the power supply is connected with the reverse power supply voltage in the existing ESD protection circuit, thereby generating a large current, which causes the whole circuit system to work abnormally or even burn down.

【技术实现步骤摘要】
一种具有防反接电路的ESD保护电路
本技术涉及电路设计领域，特别是涉及一种具有防反接电路的ESD保护电路。
技术介绍
静电释放(ElectrostaticDischarge，ESD)保护对集成电路来说是非常重要的，在集成电路设计领域已经进行了许多研究。无论是在电子设备的正常使用、运输和库存中、还是在生产装配各种集成电路元件的过程中都有可能发生静电释放。这些难以正确预见和防范的静电释放会损坏集成电路，产生不良率，甚至导致严重的损失。在目前的集成电路设计和制造中都会特别注意ESD保护电路的设计。现有芯片设计中，一般会在电源输入端与内部电路之间设置ESD保护电路，用以实现内部电路的ESD保护。现有ESD保护电路10连接于电源输入端(VDD为正电源输入端、GND为负电源输入端)和内部电路之间，具体电路结构如图1所示，包括一NMOS管NM1’，其中，所述NMOS管NM1’本身具有寄生二极管Ds’；当在VDD和GND之间加正向电源电压时，内部电路正常工作，NMOS管NM1’作为内部电路的ESD保护管处于关断状态，对内部电路进行ESD保护；但当VDD和GND之间加反向电源电压时，NMOS管NM1’本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对所述内部电路进行ESD保护；以及防反接电路，连接于所述电源输入端和所述ESD保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接电路导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接电路关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。

【技术特征摘要】
1.一种具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对所述内部电路进行ESD保护；以及防反接电路，连接于所述电源输入端和所述ESD保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接电路导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接电路关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。2.根据权利要求1所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述防反接电路包括：一防反接单元及连接于所述防反接单元的衬底切换单元，其中，所述衬底切换单元用于从电源电压和所述内部电路的输入电压中选择高电位电压作为所述防反接单元的衬底电压。3.根据权利要求2所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述防反接单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端接入正电源输入端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周尧，刘桂芝，吴国平，崔凤敏，
申请(专利权)人：上海南麟电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31