一种恒流电路结构及电流源制造技术

本实用新型专利技术提供一种恒流电路结构及电流源，至少包括：第一恒流模块及第二恒流模块，其中：所述第一恒流模块连接第一端口；所述第二恒流模块连接于第二端口与所述第一恒流模块之间；其中，基于所述第一端口与所述第二端口的信号，使所述第一恒流模块处于恒流控制状态、所述第二恒流模块处于电流通路状态，或所述第一恒流模块处于电流通路状态、所述第二恒流模块处于恒流控制状态，进而使所述恒流电路结构提供双向恒流驱动。能够抵消耗尽型NMOS管恒流电路的正温度属性，提供稳定的双向恒流驱动。结构简单，适用范围广。适用范围广。适用范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种恒流电路结构及电流源


[0001]本技术涉及集成电路设计与应用
，特别是涉及一种恒流电路结构及电流源。

技术介绍

[0002]对于采用耗尽型NMOS管的恒流电路，由于NMOS管的阈值电压的绝对值为正温度属性，即温度越高，该恒流电路所输出的电流随着温度的升高不断增大，因此，该恒流电路因正温度属性而无法实现稳定的恒流输出，这会对集成电路的负载阻抗造出巨大波动，从而对集成电路产生消极影响。因此，如何抵消耗尽型NMOS管恒流电路的正温度属性，是此类恒流电路亟待解决的技术问题。
[0003]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种恒流电路结构及电流源，用于解决现有技术中耗尽型NMOS管恒流电路的正温度属性抵消较为困难的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种恒流电路结构，所述恒流电路结构至少包括：第一恒流模块及第二恒流模块，其中：
[0006]所述第一恒流模块连接第一端口；所述第二恒流模块连接于第二端口与所述第一恒流模块之间；
[0007]其中，基于所述第一端口与所述第二端口的信号，使所述第一恒流模块处于恒流控制状态、所述第二恒流模块处于电流通路状态，或所述第一恒流模块处于电流通路状态、所述第二恒流模块处于恒流控制状态，进而使所述恒流电路结构提供双向恒流驱动。
[0008]可选地，所述第一恒流模块包括第一恒流单元及第一调节单元，其中，所述第一恒流单元连接所述第一端口；所述第一调节单元与所述第一恒流单元连接。
[0009]可选地，所述第一恒流单元包括第一NMOS管。
[0010]可选地，所述第一调节单元包括第一阻抗。
[0011]可选地，所述第二恒流模块包括第二恒流单元及第二调节单元，其中，所述第二恒流单元连接所述第二端口；所述第二调节单元与所述第二恒流单元连接。
[0012]可选地，所述第二恒流单元包括第二NMOS管。
[0013]可选地，所述第二调节单元包括第二阻抗。
[0014]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种电流源，所述电流源包括所述恒流电路结构，基于所述恒流电路结构，使所述电流源输出恒定电流。
[0015]如上所述，本技术的一种恒流电路结构及电流源，具有以下有益效果：
[0016]1)本技术的恒流电路结构及电流源，能够抵消耗尽型NMOS管恒流电路的正温
度属性，提供稳定的双向恒流驱动。
[0017]2)本技术的恒流电路结构及电流源，结构简单，适用范围广。
附图说明
[0018]图1显示为本技术的一示例性的恒流电路结构示意图。
[0019]图2显示为本技术的恒流电路结构示意图。
[0020]附图标记说明
[0021]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
恒流电路结构
[0022]11
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第一恒流模块
[0023]111
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第一恒流单元
[0024]112
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第一调节单元
[0025]12
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第二恒流模块
[0026]121
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第二恒流单元
[0027]122
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第二调节单元
具体实施方式
[0028]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0029]请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0030]图1提供了一种恒流电路结构，Q0为耗尽型NMOS管，D0为耗尽型NMOS管的寄生二极管。给端口VA和端口VB之间加入电压时，即在Q0的漏极与源极之间加入电压；当端口VA的电压大于端口VB的电压时，即给Q0施加正电压，电流从端口VA经Q0到达端口VB，此时Q0的寄生二极管D0处于反向截止状态，电流为0；根据耗尽型NMOS管电流关系，得到Q0的电流关系式：
[0031]I
D
＝1/2*K
Q0
*V
D_Q0 (1)
[0032]其中，I
D
为Q0的输出电流；V
D_Q0
为Q0的阈值电压的绝对值；K
Q0
与Q0中载流子的迁移率、Q0的宽长比相关，具体的推导过程在这里就不一一赘述。
[0033]通过关系式(1)可知，Q0所能输出的电流与Q0的阈值电压的绝对值、载流子的迁移率及Q0的宽长比有关，在给Q0施加正电压时，Q0能够输出恒流；而由于Q0的正温度属性，温度越高，Q0输出的电流越大，所以单纯的Q0无法实现在温度变化条件下的恒流输出。
[0034]因此，本技术提出了一种恒流电路结构及电流源，具体实施如下：
[0035]如图2所示，本实施例提供了一种恒流电路结构1，所述恒流电路结构1至少包括：第一恒流模块11及第二恒流模块12，其中：如图2所示，第一恒流模块11连接第一端口VC；第二恒流模块12连接于第二端口VD与第一恒流模块11之间；
[0036]其中，基于第一端口VC与第二端口VD的信号，使第一恒流模块11处于恒流控制状
态、第二恒流模块12处于电流通路状态，或第一恒流模块11处于电流通路状态、第二恒流模块12处于恒流控制状态，进而使恒流电路结构1提供双向恒流驱动。
[0037]具体地，作为示例，如图2所示，第一恒流模块11包括第一恒流单元111及第一调节单元112，其中，第一恒流单元111连接第一端口VC；第一调节单元112与第一恒流单元111连接。更具体地，第一恒流单元111包括第一NMOS管Q1。需要说明的是，第一NMOS管Q1通常为耗尽型NMOS管，根据导电方式的不同，MOS管分为增强型MOS管和耗尽型MOS管。所谓增强型是指：当MOS管的栅极与源极之间的压降为零时，MOS管呈截止状态；只有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种恒流电路结构，其特征在于，所述恒流电路结构至少包括：第一恒流模块及第二恒流模块，其中：所述第一恒流模块连接第一端口；所述第二恒流模块连接于第二端口与所述第一恒流模块之间；其中，基于所述第一端口与所述第二端口的信号，使所述第一恒流模块处于恒流控制状态、所述第二恒流模块处于电流通路状态，或所述第一恒流模块处于电流通路状态、所述第二恒流模块处于恒流控制状态，进而使所述恒流电路结构提供双向恒流驱动。2.根据权利要求1所述的恒流电路结构，其特征在于：所述第一恒流模块包括第一恒流单元及第一调节单元，其中，所述第一恒流单元连接所述第一端口；所述第一调节单元与所述第一恒流单元连接。3.根据权利要求2所述的恒流电路结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周尧，崔凤敏，吴春达，吴国平，
申请(专利权)人：上海南麟电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：