一种提高硅原料烘干后洁净度的方法技术

本发明专利技术公开的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，先将硅原料放入料篮中进行水浴清洗，然后进行沥水，最后在保护气氛中或负压条件下进行烘干。本发明专利技术的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法解决了现有的硅原料在运行过程中杂质多次累计导致硅原料品质衰减的问题。本发明专利技术的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法将原料清洗后，通过料篮将其中的硅原料中的大量水分沥干，同时辅助红外保温设施，补偿原料沥水过程中散失的热量，然后将小尺寸原料在保护气氛或者负压条件下进行干燥，避免热风烘箱的高温干燥导致小尺寸原料被氧化或者二次污染；从而达到提高小尺寸(8—50mm)原料清洗后洁净度的目的。

A Method for Improving Cleanliness of Silicon Raw Materials after Drying

The invention discloses a method for improving the cleanliness of silicon raw material after drying. The method is characterized in that the silicon raw material is first put into the material basket for water bath cleaning, then leached, and finally dried in a protective atmosphere or under negative pressure conditions. The method of improving the cleanliness of the silicon raw material after drying solves the problem that the quality of the silicon raw material decreases due to the cumulative impurities of the existing silicon raw material during operation. The method of improving the cleanliness of silicon raw material after drying is to clean the raw material, drain a large amount of water from the silicon raw material through the material basket, supplement the infrared heat preservation facilities, compensate the heat lost in the process of raw material leaching, and then dry the small size raw material under the protective atmosphere or negative pressure condition, so as to avoid the high temperature drying of the hot air oven leading to the small size raw material. It is oxidized or polluted twice, so as to improve the cleanliness of small size (8-50mm) raw materials after cleaning.

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅原料烘干后洁净度的方法
本专利技术属于直拉单晶法生产单晶硅
，具体涉及一种提高硅原料烘干后洁净度的方法。
技术介绍
在单晶生产行业，大尺寸热场投料量大，需要多次投入大量小尺寸(8—50mm)原料，小尺寸(8—50mm)原料用料量大，运行时间长，原料中非硅杂质多次累计会导致单晶硅品质衰减。由于直拉法生产单晶硅对原料洁净度要求高，因此迫切需要研发一种新型烘干小尺寸(8—50mm)原料的方法，提高小尺寸原料的洁净度，提升单晶硅的品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，解决了现有的硅原料在运行过程中杂质多次累计导致硅原料品质衰减的问题。本专利技术所采用的技术方案是：一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，先将硅原料放入料篮中进行水浴清洗，然后进行沥水，最后在保护气氛中或负压条件下进行烘干。本专利技术的特点还在于，沥水具体是将料篮放入沥水槽进行旋转沥水，所述旋转速度为60r/min，沥水持续时间为20～30s。料篮中的硅原料在沥水过程中还通过红外保温设备进行温度补偿。沥水完成后，将料篮和其中的硅原料送入真空烘干箱中进行烘干处理。通过机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，包括步骤：先将硅原料放入料篮中进行水浴清洗，然后进行沥水，最后在保护气氛中或负压条件下进行烘干。

【技术特征摘要】
1.一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，包括步骤：先将硅原料放入料篮中进行水浴清洗，然后进行沥水，最后在保护气氛中或负压条件下进行烘干。2.如权利要求1所述的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，所述沥水具体是将料篮放入沥水槽进行旋转沥水，所述旋转速度为60r/min，沥水持续时间为20～30s。3.如权利要求2所述的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法，其特征在于，料篮中的硅原料在沥水过...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丽琴，梁永生，罗向玉，冉瑞应，李迎春，马学贵，韩欢，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏,64