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一种提高硅原料烘干后洁净度的方法技术
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文档序号:20613139
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本发明公开的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法,其特征在于,先将硅原料放入料篮中进行水浴清洗,然后进行沥水,最后在保护气氛中或负压条件下进行烘干。本发明的一种提高硅原料烘干后洁净度的方法解决了现有的硅原料在运行过程中杂质多次累计导致硅原料品质...
该专利属于银川隆基硅材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过银川隆基硅材料有限公司授权不得商用。
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