组合物和成型品制造技术

本发明专利技术提供一种组合物，该组合物可提供耐热性优异、进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小的成型品。一种组合物，其特征在于，其包含含氟聚合物以及具有特定结构的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物。

Compositions and products

The invention provides a composition which provides a moulding product with excellent heat resistance and small weight change for oxygen plasma and fluorine plasma exposed to semiconductor manufacturing process. A composition is characterized in that it comprises a fluorinated polymer and a caged hyperbranched polymer of sesquisiloxane with a specific structure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物和成型品
本专利技术涉及包含含氟聚合物的组合物以及由其得到的成型品。
技术介绍
含氟弹性体、特别是包含四氟乙烯(TFE)单元的全氟弹性体显示出优异的耐化学药品性、耐溶剂性和耐热性，因而在航空航天领域、半导体制造装置领域、化学设备领域等苛刻的环境下被广泛用作密封材料等。另外，已知为了提高密封材料所要求的特性，在含氟弹性体中添加填充材料。在专利文献1中，为了提供具有耐热性、低气体透过性以及即使在氧或CF4气氛下等进行等离子体照射也具有稳定性、不会起尘的半导体制造装置用密封材料，提出了相对于100重量份氟系弹性体添加1～50重量份氧化硅和1～10重量份有机过氧化物的提案。在专利文献2中，为了提高耐等离子体性、并且降低等离子体照射后的颗粒的产生，提出了在交联性氟系弹性体成分中添加平均粒径为0.5μm以下的氧化铝微粒的提案。在专利文献3中为了提供能够过氧化物硫化的含氟弹性体的白色混配组合物、且该组合物不会使压缩永久变形恶化，提出了一种在含氟弹性体中添加4～5重量％水溶液的pH为9～12的超微粒白炭黑。专利文献4为了提供一种含氟弹性体组合物，该组合物在干蚀刻装置内部这样的直接暴露于等离子体中的环境下可维持耐热性、加工性，进而针对暴露于半导体的制造工序中的氟系等离子体和氧等离子体的重量变化均很小，在这些处理中不会产生异物(颗粒)，提出了在含氟弹性体中添加选自由异吲哚啉酮系颜料、喹吖啶酮系颜料、二酮基吡咯并吡咯系颜料、蒽醌系颜料、胺系抗氧化剂、酚系抗氧化剂、硫系抗氧化剂和磷系抗氧化剂组成的组中的至少一种的提案。在专利文献5中，作为在氧等离子体照射和CF4等离子体照射中的任一处理下的重量变化均较小的填料，记载了一种由在主链中具有酰胺键的合成高分子化合物或具有酰亚胺键的合成高分子化合物形成的填料。另外还记载了在交联性弹性体中混配该填料的内容。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平06-302527号公报专利文献2：国际公开第01/032782号专利文献3：日本特开平2-219848号公报专利文献4：国际公开第2004/094527号专利文献5：国际公开第00/64980号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，要求能够应对半导体器件进一步的微细化的技术。鉴于上述现状，本专利技术的目的在于提供：一种组合物，其可提供耐热性优异、进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小的成型品；以及一种成型品，该成型品的耐热性优异、进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化均很小。用于解决课题的手段本专利技术人进行了深入研究，结果发现，若使用具有特定结构的倍半硅氧烷的超支化聚合物作为填料，则所得到的成型品的耐热性优异，进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小。即，本专利技术涉及一种组合物，其特征在于，其包含含氟聚合物以及通式(1)所表示的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物。通式(1)：[化1](通式(1)中，R1～R8各自独立地为氢原子、卤原子或有机基团，R1～R8中的至少一者为有机基团。)上述笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物优选分子量具有分布。上述通式(1)中，优选R1～R8各自独立地包含通式(2)所表示的末端基团T。通式(2)：[化2](式中，X1和X2各自独立地为-NH2、-OH、-SH、-H、-NH-CO-CF3或由下式[化3]表示的基团。)上述通式(1)中，优选R1～R8包含式(3-1)所表示的2价基团B1。式(3-1)：[化4]上述含氟聚合物优选为含氟弹性体。本专利技术的组合物优选相对于含氟聚合物100质量份，包含0.5～100质量份的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物。本专利技术的组合物优选进一步包含交联剂。本专利技术的组合物优选为成型材料。本专利技术还涉及一种成型品，其由上述组合物得到。专利技术的效果本专利技术的组合物由于具有上述构成，因而由本专利技术的组合物得到的成型品的耐热性优异，进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小。本专利技术的成型品由于具有上述构成，因而耐热性优异，进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小。具体实施方式以下具体说明本专利技术。本专利技术的组合物的特征在于，其包含：含氟聚合物和具有特定结构的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物。作为上述含氟聚合物，出于密封性、耐化学药品性和耐热性优异的原因，优选含氟弹性体。作为上述含氟弹性体，可以为部分氟化弹性体、也可以为全氟弹性体，从耐化学药品性、耐热性更为优异的方面出发，优选使用全氟弹性体。作为部分氟化弹性体，可以举出偏二氟乙烯(VdF)系氟橡胶、四氟乙烯(TFE)/丙烯(Pr)系氟橡胶、四氟乙烯(TFE)/丙烯/偏二氟乙烯(VdF)系氟橡胶、乙烯/六氟丙烯(HFP)系氟橡胶、乙烯/六氟丙烯(HFP)/偏二氟乙烯(VdF)系氟橡胶、乙烯/六氟丙烯(HFP)/四氟乙烯(TFE)系氟橡胶等。其中优选为选自由偏二氟乙烯系氟橡胶和四氟乙烯/丙烯系氟橡胶组成的组中的至少一种。上述偏二氟乙烯系氟橡胶优选为由偏二氟乙烯45～85摩尔％和能够与偏二氟乙烯共聚的至少一种其他单体55～15摩尔％形成的共聚物。优选为由偏二氟乙烯50～80摩尔％和能够与偏二氟乙烯共聚的至少一种其他单体50～20摩尔％形成的共聚物。在本说明书中，构成含氟聚合物的各单体的含量可以通过根据单体的种类将NMR、FT-IR、元素分析、荧光X射线分析适宜地组合来计算出。作为上述能够与偏二氟乙烯共聚的至少一种其他单体，可以举出：四氟乙烯[TFE]、六氟丙烯[HFP]、氟代烷基乙烯基醚、三氟氯乙烯[CTFE]、三氟乙烯、三氟丙烯、五氟丙烯、三氟丁烯、四氟异丁烯、六氟异丁烯、氟化乙烯、通式(6)：CH2＝CFRf61(式中，Rf61是碳原子数为1～12的直链或带支链的氟代烷基)所表示的氟单体、通式(7)：CH2＝CH-(CF2)n-X2(式中，X2为H或F，n为3～10的整数)所表示的氟单体、提供交联部位的单体等单体；乙烯、丙烯、烷基乙烯基醚等非氟化单体。这些单体可以分别单独使用、或者任意组合使用。这些之中，优选使用选自由TFE、HFP、氟代烷基乙烯基醚和CTFE组成的组中的至少一种。作为氟代烷基乙烯基醚，优选为选自由通式(8)：CF2＝CF-ORf81(式中，Rf81表示碳原子数为1～8的全氟烷基)所表示的氟单体、通式(10)：CF2＝CFOCF2ORf101(式中，Rf101是碳原子数为1～6的直链或支链状全氟烷基、碳原子数为5～6的环式全氟烷基、包含1～3个氧原子的碳原子数为2～6的直链或支链状全氟氧烷基)所表示的氟单体、以及通式(11)：CF2＝CFO(CF2CF(Y11)O)m(CF2)nF(式中，Y11表示氟原子或三氟甲基。m为1～4的整数。n为1～4的整数)所表示的氟单体组成的组中的至少一种，更优选为通式(8)所表示的氟单体。作为偏二氟乙烯系氟橡胶的具体例，可以举出VdF/HFP系橡胶、VdF/HFP/TFE系橡胶、VdF/CTFE系橡胶、VdF/CTFE/TFE系橡胶、VDF/通式(6)所表示的氟单体系橡胶、VDF/通式(6)所表示的氟单体/TFE系橡胶、VDF/全氟(甲基乙烯基醚)[PMVE]系橡胶、VDF/PMVE/本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其特征在于，其包含：含氟聚合物以及通式(1)所表示的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物，通式(1)：[化1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.10 JP 2016-1578801.一种组合物，其特征在于，其包含：含氟聚合物以及通式(1)所表示的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物，通式(1)：[化1]通式(1)中，R1～R8各自独立地为氢原子、卤原子或有机基团，R1～R8中的至少一者为有机基团。2.如权利要求1所述的组合物，其中，笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物的分子量具有分布。3.如权利要求1或2所述的组合物，其中，通式(1)中，R1～R8各自独立地包含通式(2)所表示的末端基团T，通式(2)：[化2]式中，X1和X2各自独立地为-NH2、-OH、-SH、-H、-NH-CO-CF3或下式[化...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本和也，寺境光俊，山川澄人，樱田忠建，上谷文宏，野口刚，
申请(专利权)人：国立大学法人秋田大学，大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP