【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁场值测定装置以及磁场值测定方法
本专利技术涉及一种测定观察试样所产生的直流磁场的磁场测定装置以及磁场测定方法。本专利技术特别涉及一种能够高精度地测定上述直流磁场的磁场测定装置以及磁场测定方法。
技术介绍
以往,作为对观察试样所产生的磁场进行观察的装置,已知有磁力显微镜(MagneticForceMicroscope:MFM)。在MFM中,存在观察交流磁场(AC磁场)的显微镜和观察直流磁场(DC磁场)的显微镜。本专利技术是与观察DC磁场的MFM有关的技术,因此在下面对观察DC磁场的以往的MFM进行说明。图6的(A)是观察DC磁场的以往的MFM的说明图(参照专利文献1)。在图6的(A)所示的MFM中,悬臂81的探针811含有硬磁性材料。硬磁性材料是指一旦磁化就很难发生反磁化的材料。在图6的(A)中,作为硬磁性材料,使用钴和铬的合金、铁和铂的合金等。在图6的(A)的MFM中,悬臂81通过压电元件812以共振频率或接近共振频率的频率(例如300kHz左右)被激励。在图6的(A)中,用AC表示激励用的电源。在探针811与观察试样82之间产生磁性的相互作用。通过该磁性的相互作用,悬臂81的弹簧系数发生表观变化。通过该弹簧系数的表观变化,悬臂81的共振频率发生变化。其结果,探针811的振动的状态(振幅、相位)也发生变化。在图6的(A)的MFM中,对探针811的振动的振幅以及相位的变化(悬臂81的弹簧系数的变化)进行光学检测。由此,能够以图像获取观察试样82的表面的磁场梯度的分布。专利文献1:日本特开2003-65935号公报专利文献2:国际公开2009/0101992 ...
【技术保护点】
一种检测从观察试样产生的直流磁场的磁场测定装置,其特征在于,具备:振动式的探针装置,其具备探针,该探针含有一种以上的具有磁化强度与外部磁场的大小成比例这种性质的材料;机械振动源,其对上述探针进行机械激励;振动检测装置,其检测上述探针的机械振动频率和机械振动振幅;交流磁场产生装置,其向上述探针施加交流磁场,该交流磁场在上述探针的机械振动方向上的变化率不为零且频率与上述探针的机械振动频率不同;直流外部磁场产生装置,其向上述探针施加上述机械振动方向的直流外部磁场;频率调制检测装置,其基于上述振动检测装置所检测出的上述机械振动频率来检测在上述探针的机械振动中产生的频率调制;直流外部磁场调整装置,其对上述直流外部磁场产生装置向上述探针施加的上述机械振动方向的直流外部磁场的大小进行调整;以及直流磁场确定装置,其根据上述频率调制的大小为极小时的上述直流外部磁场产生装置的输出值、或者要使上述频率调制的大小成为极小时的上述直流外部磁场产生装置的预测输出值,来确定从上述观察试样产生的上述机械振动方向的上述直流磁场的值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.03.28 JP 2013-0697621.一种检测从观察试样产生的直流磁场的磁场测定装置,其特征在于,具备:振动式的探针装置,其具备探针,该探针含有一种以上的具有磁化强度与外部磁场的大小成比例这种性质的材料;机械振动源,其对上述探针进行机械激励;振动检测装置,其检测上述探针的机械振动频率和机械振动振幅;交流磁场产生装置,其向上述探针施加交流磁场,该交流磁场在上述探针的机械振动方向上的变化率不为零且频率与上述探针的机械振动频率不同;直流外部磁场产生装置,其向上述探针施加上述机械振动方向的直流外部磁场;频率调制检测装置,其基于上述振动检测装置所检测出的上述机械振动频率来检测在上述探针的机械振动中产生的频率调制;直流外部磁场调整装置,其对上述直流外部磁场产生装置向上述探针施加的上述机械振动方向的直流外部磁场的大小进行调整;以及直流磁场确定装置,其根据上述频率调制的大小为极小时的上述直流外部磁场产生装置的输出值、或者要使上述频率调制的大小成为极小时的上述直流外部磁场产生装置的预测输出值,来确定从上述观察试样产生的上述机械振动方向的上述直流磁场的值。2.根据权利要求1所述的磁场测定装置,其特征在于,上述直流外部磁场调整装置调整上述直流外部磁场使得上述直流外部磁场将上述直流磁场全部消除。3.根据权利要求1所述的磁场测定装置,其特征在于,上述直流外部磁场调整装置调整上述直流外部磁场使得上述直流外部磁场将上述直流磁场的一部分消除。4.根据权利要求1~3中的任一项所述的磁场测定装置,其特征在于,上述交流磁场产生装置具有电磁线圈。5.根据权利要求1~3中的任一项所述的磁场测定装置,其特征在于,上述交流磁场产生装置具有两个以上的电磁线圈,通过该两个以上的电磁线圈产生在上述探针的前端为彼此消除的朝向的多个磁场,由此上述交流磁场产生装置产生具有磁场振幅为零的位置的磁场,并且上述交流磁场产生装置所产生的磁场在上述磁场振幅为零的位置处的磁场梯度比上述两个以上的电磁线圈各自单独产生的磁场在该位置处的磁场梯度中的任一个都大。6.根据权利要求1~3中的任一项所述的磁场测定装置,其特征在于,直流外部磁场产生装置具有向上...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐藤准,吉村哲,木下幸则,野村光,中谷亮一,
申请(专利权)人:国立大学法人秋田大学,国立大学法人大阪大学,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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