IC芯片输入过压保护电路及其保护方法技术

本发明专利技术提供一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法，其中保护电路包括MOS管和控制电路，MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，控制电路连接在MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间存在电位差，MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，MOS管截止。本发明专利技术与现有技术相比，具有使用方便、成本低、保护效率高和截止时间快等优点。

IC Chip Input Overvoltage Protection Circuit and Its Protection Method

The invention provides an IC chip input overvoltage protection circuit and its protection method, in which the protection circuit includes a MOS tube and a control circuit. The source and drain poles of the MOS tube are electrically connected with the circuit input terminal and the IC chip circuit respectively, and the control circuit is connected between the source and gate of the MOS tube. When the input voltage of the circuit is less than or equal to the predetermined voltage, the control circuit controls the MOS tube. There is a potential difference between the source and gate, and the MOS transistor is on. When the input voltage of the circuit is larger than the predetermined voltage, the control circuit controls that there is no potential difference between the source and gate of the MOS transistor, and the MOS transistor is cut off. Compared with the prior art, the invention has the advantages of convenient use, low cost, high protection efficiency and fast cut-off time.

【技术实现步骤摘要】
IC芯片输入过压保护电路及其保护方法
本专利技术涉及IC芯片的保护电路
，尤其是涉及一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法。
技术介绍
在含有电路系统的设备中，由于电路系统正常工作时的输入电压并不高，因此传统的电路系统是电路直接给IC芯片供电。但是当电路系统误接入高压时，高压会将电路系统中的IC芯片烧坏，从而导致整个设备的损坏。为了解决这个问题，人们将IC芯片更换成耐高压的IC芯片，可是耐高压的IC芯片会导致成本的上升。
技术实现思路
为了克服上述问题，本专利技术提供一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法，其成本低，并且保护效率高。本专利技术的一种技术方案是：提供一种IC芯片输入过压保护电路，包括MOS管和控制电路，所述MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，所述控制电路连接在所述MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止。作为对本专利技术的改进，所述控制电路包括第一开关电路和与所述第一开关电路并联的第一负载；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，所述第一负载短路。作为对本专利技术的改进，所述第一开关电路包括稳压二极管、第一三极管和第一限流负载，所述稳压二极管的正极通过所述第一限流负载接地，所述稳压二极管的负极与所述第一三极管的基极电性连接，所述第一三极管的集电极和发射极连接在所述MOS管的源极和栅极之间。作为对本专利技术的改进，还包括第二负载，所述MOS管的栅极通过所述第二负载接地。作为对本专利技术的改进，还包括第二开关电路，所述第二负载通过所述第二开关电路接地。作为对本专利技术的改进，所述第二开关电路包括第二限流负载、第三限流负载和第二三极管，信号控制端与所述第二限流负载的一端电性连接，所述第三限流负载的一端接地，所述第二限流负载的另一端和所述第三限流负载的另一端分别与所述第二三极管的基极电性连接，所述第二三极管的集电极和发射极连接在所述第二负载和地之间。本专利技术的另一种技术方案是：提供一种IC芯片输入过压保护方法，当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，电路输入端通过所述MOS管给IC芯片电路提供电能；当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止，电路输入端停止通过所述MOS管给所述IC芯片电路提供电能。作为对本专利技术的改进，所述控制电路包括第一开关电路和与所述第一开关电路并联的第一负载；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，所述第一负载短路。作为对本专利技术的改进，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路中的稳压二极管导通，所述第一开关电路接通。作为对本专利技术的改进，第二开关电路控制与所述MOS管的栅极电性连接的第二负载接地或与地断开。本专利技术由于采用了MOS管和控制电路，控制电路根据电路输入端输入的电压的大小，控制MOS管导通和截止，进而控制电路输入端给或者停止给IC芯片电路提供电能；相比现有技术，用MOS管和控制电路取代了耐高压的IC芯片，并且当电路输入端输入的电压大于预定电压时，MOS管瞬间截止，输入的高压不会通过MOS管输送给IC芯片电路，具有使用方便、成本低、保护效率高和截止时间快等优点。附图说明图1是本专利技术的电路原理结构示意图。其中：1、控制电路；2、第二开关电路；3、IC芯片电路。具体实施方式在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”、“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术的具体含义。请参见图1，图1所揭示的是一种IC芯片输入过压保护电路，包括MOS管Q11和控制电路1，所述MOS管Q11的源极和漏极分别与电路输入端VIN和IC芯片电路3电性连接，所述控制电路1连接在所述MOS管Q11的源极和栅极之间。当电路输入端VIN输入的电压小于或等于预定电压时，所述控制电路1控制所述MOS管Q11的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管Q11导通，当电路输入端VIN输入的电压大于预定电压时，所述控制电路1控制所述MOS管Q11的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管Q11截止。本实施例中，所述MOS管Q11是PMOS管，所述MOS管Q11还可以是NMOS管，所述IC芯片电路3可以是IC芯片，也可以是含有IC芯片的电路，IC芯片可以是市面上任何型号的芯片。这里所说的预定电压是指，所述IC芯片电路3正常工作时的电压，预定电压可以根据所述IC芯片电路3进行设置。本实施例中，所述控制电路1包括第一开关电路(未标识)和与所述第一开关电路并联的第一负载R21。所述第一开关电路和所述第一负载R21形成并联电路，所述并联电路的两端分别与所述MOS管Q11的源极和栅极连接。需要说明的是，所述第一负载R21是第一电阻，所述第一负载R21还可以是其它结构的电路，所述第一负载R21的阻值可以根据实际需要进行选择。当电路输入端VIN输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，电路输入端VIN输入的电流通过所述第一负载R21流向所述MOS管Q11的栅极，这时在所述第一负载R21上会有一定电压，这样就会在所述MOS管Q11的源极和栅极之间存在电位差。由于所述MOS管Q11的源极和栅极之间存在电位差，使得所述MOS管Q11导通。当电路输入端VIN输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，电路输入端VIN输入的电流通过所述第一开关电路流向所述MOS管Q11的栅极，这时所述第一负载R21短路，所述MOS管Q11的源极和栅极之间不存在电位差。由于所述MOS管Q11的源极和栅极之间不存在电位差，使得所述MOS管Q11截止。本实施例中，所述第一开关电路包括稳压二极管D、第一三极管Q1和第一限流负载R11，所述稳压二极管D的正极通过所述第一限流负载R11接地，所述稳压二极管D的负极与所述第一三极管Q1的基极电性连接，所述第一三极管Q1的集电极和发射极连接在所述MOS管Q11的源极和栅极之间。当电路输入端VIN输入的电压小于或等于预定电压时，所述稳压二极管D不导通（截止），电路输入端VIN输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：包括MOS管和控制电路，所述MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，所述控制电路连接在所述MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止。

【技术特征摘要】
1.一种IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：包括MOS管和控制电路，所述MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，所述控制电路连接在所述MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止。2.根据权利要求1所述的IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：所述控制电路包括第一开关电路和与所述第一开关电路并联的第一负载；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，所述第一负载短路。3.根据权利要求2所述的IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：所述第一开关电路包括稳压二极管、第一三极管和第一限流负载，所述稳压二极管的正极通过所述第一限流负载接地，所述稳压二极管的负极与所述第一三极管的基极电性连接，所述第一三极管的集电极和发射极连接在所述MOS管的源极和栅极之间。4.根据权利要求1所述的IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：还包括第二负载，所述MOS管的栅极通过所述第二负载接地。5.根据权利要求4所述的IC芯片输入过压保护电路，其特征在于：还包括第二开关电路，所述第二负载通过所述第二开关电路接地。6.根据权利要求5所述的IC芯片输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：何长春，万益明，张永胜，
申请(专利权)人：深圳市睿德电子实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44