空间重叠多电极控制VCSEL列阵制造技术

本发明专利技术提供一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其包括：第一发光芯片以及与第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，第二发光芯片具有与其上DBR层电连接的第二电极，第一电极和第二电极之间设置有第一绝缘层，衬底层的背面还设置有背电极。本发明专利技术通过设置可同步或者异步工作第一发光芯片和第二发光芯片，可实现光强度的调节，且有利于节约能源。同时，本发明专利技术通过对第一发光芯片和第二发光芯片的排布进行优化设置，有利于独立或组合实现均匀发光。

Spatial overlapping multi-electrode controlled VCSEL array

The invention provides a space overlapping multi-electrode controlled VCSEL array, which comprises: a first light-emitting chip and a second light-emitting chip working synchronously or asynchronously with the first light-emitting chip; a first light-emitting chip and a second light-emitting chip are located on the front side of the substrate layer, and any light-emitting chip consists of an upper DBR layer, an active layer and a lower DBR layer, and a first light-emitting core. The chip has a first electrode electrically connected with the upper DBR layer, a second light emitting chip has a second electrode electrically connected with the upper DBR layer, a first insulating layer is arranged between the first electrode and the second electrode, and a back electrode is arranged on the back of the substrate layer. By setting the first light-emitting chip and the second light-emitting chip, which can work synchronously or asynchronously, the light intensity can be adjusted and the energy can be saved. At the same time, by optimizing the arrangement of the first and second light-emitting chips, the invention is advantageous to achieve uniform light-emitting independently or in combination.

【技术实现步骤摘要】
空间重叠多电极控制VCSEL列阵
本专利技术涉及激光器
，尤其涉及一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵。
技术介绍
随着3D呈像、激光雷达等技术和应用的发展，垂直腔面发射激光器(VCSEL)受到人们越来越多的关注。VCSEL结构是通过外延生长和电极工艺制备的二极管。二极管的一端在外延面，一端在衬底面。根据需要，可设置多个VCSEL结构的发光点，以满足实际的发光需求。然而，现有的产品中，多个VCSEL结构的发光点同步驱动发光，如此无法实现发光强度的调节，且不利于节约电能。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，以克服现有技术中存在的不足。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其包括：第一发光芯片以及与所述第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；所述第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，所述任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，所述第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，所述第二发光芯片具有与其上DBR层电连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其特征在于，所述空间重叠多电极控制VCSEL列阵包括：第一发光芯片以及与所述第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；所述第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，所述任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，所述第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，所述第二发光芯片具有与其上DBR层电连接的第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置有第一绝缘层，所述衬底层的背面还设置有背电极。

【技术特征摘要】
1.一种空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其特征在于，所述空间重叠多电极控制VCSEL列阵包括：第一发光芯片以及与所述第一发光芯片同步或者异步工作的第二发光芯片；所述第一发光芯片和第二发光芯片位于衬底层的正面，所述任一发光芯片包括自上而下依次层叠设置的：上DBR层、有源层以及下DBR层，所述第一发光芯片具有与其上DBR层电连接的第一电极，所述第二发光芯片具有与其上DBR层电连接的第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置有第一绝缘层，所述衬底层的背面还设置有背电极。2.根据权利要求1所述的空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其特征在于，所述第一电极、第一绝缘层、第二电极具有避让所述第一发光芯片的上DBR层发光面的第一镂空结构。3.根据权利要求2所述的空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其特征在于，所述第一电极、第一绝缘层、第二电极具有避让所述第二发光芯片的上DBR层发光面的第二镂空结构。4.根据权利要求3所述的空间重叠多电极控制VCSEL列阵，其特征在于，所述空间重叠多电极控制VCSEL列阵还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一发光芯片和第二发光芯片的表面，并具有避让所述第一发光芯片和第二发光芯的上DBR层发光面的第三镂空结构。5.根据权利要求1所述的空间重叠多电极控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，谭少阳，荣宇峰，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32