【技术实现步骤摘要】
一种低温柔性全无机QLED器件及其制备方法
本专利技术属于光电发光与显示器件
，具体涉及一种低温柔性全无机QLED器件及其制备方法，包括薄膜体系和制备方法。
技术介绍
量子点又称为纳米晶，量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小以及化学组成使其发射光谱覆盖整个可见光区。此外量子点批次重复性好，荧光量子产率高，色纯度高，兼容印刷工艺制备等优点，使得电致发光QLED材料可以直接用来制造高性能的轻薄，柔性甚至可拉伸的发光显示器件，将是未来显示领域的重要方向之一。随着近年来的研究，QLED器件的性能得以大幅提高，已报道的QLED的外量子效率已经达到20.8％，寿命超过10万小时，有望成为新一代高色彩质量、低功耗的平板显示与发光技术。然而，目前报道性能高的QLED器件的经典多层结构依次为：电极，空穴注入层，空穴传输层，量子点发光层与电子传输层；或者其倒置结构。其中，空穴传输层材料多为有机材料，例如广泛使用的空穴传输材料PEDOT:PSS...
【技术保护点】
1.一种低温柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于：所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：步骤1：在柔性基板上沉积阳极层；步骤2：配制功能层材料的墨水；步骤3：在基板上依次沉积界面修饰层A、空穴传输层、界面修饰层B、量子点发光层和电子传输层；步骤4：沉积阴极，并封装器件；或者，所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：步骤S1：在柔性基板上沉积阴极层；步骤S2：配制功能层材料的墨水；步骤S3：在基板上依次沉积电子传输层、量子点发光层、界面修饰层B、空穴传输层、界面修饰层A；步骤S4：沉积阳极，并封装器件；所述空穴传输层的材料为CuSCN，用溶剂二乙基硫醚将CuSCN配...
【技术特征摘要】
1.一种低温柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于：所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：步骤1：在柔性基板上沉积阳极层；步骤2：配制功能层材料的墨水；步骤3：在基板上依次沉积界面修饰层A、空穴传输层、界面修饰层B、量子点发光层和电子传输层；步骤4：沉积阴极，并封装器件；或者，所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：步骤S1：在柔性基板上沉积阴极层；步骤S2：配制功能层材料的墨水；步骤S3：在基板上依次沉积电子传输层、量子点发光层、界面修饰层B、空穴传输层、界面修饰层A；步骤S4：沉积阳极，并封装器件；所述空穴传输层的材料为CuSCN，用溶剂二乙基硫醚将CuSCN配置成10-50mg/ml的溶液，然后旋涂沉积得到CuSCN薄膜，薄膜厚度为10-200nm；CuSCN成膜后在室温至150℃之间进行低温退火处理，或者无需退火。2.根据权利要求1所述的一种低温柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于：所述的柔性基板包括PET、PS、PVA、PCB、微纳米级厚度的云母片、玻璃、金属中的一种。3.根据权利要求1所述的一种低温柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于：所述的界面修饰层A为无...
【专利技术属性】
技术研发人员：李福山，刘洋，胡海龙，朱阳斌，孙凯，郭太良，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建,35
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