二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n‑型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极形成欧姆接触，剩余部分与n‑型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明专利技术的光电探测器工艺简单、成本低廉、电流开关比大、响应速度快。

【技术实现步骤摘要】
二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法
本专利技术属于光电探测器
，具体涉及一种二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是一种能将光信号转换成电信号的光电器件。低成本高性能光电探测器在包括图像传感、光通信、火灾检测、生物医学成像、环境监测、空间探测与安全检测等诸多科学研究与工业
有重要的应用价值，因而得到了人们广泛的关注。目前，在应用广泛的可见光-近红外光波段(波长<1100nm)，基于晶体硅的光电探测器占据主要的市场份额。得益于成熟的加工工艺以及与硅基CMOS工艺的良好兼容性，人们成功研制出多种具有不同器件结构的硅基光电探测器，包括金属-半导体-金属光电探测器、p-n(p-i-n)结和肖特基结光电二极管等。其中，p-n(p-i-n)结和肖特基结光电二极管具有固有内建电场，能够有效促进光生载流子的分离和传输，因而在高速光电探测以及低功耗光电探测领域具有重要的应用。但是，商业化中普遍采用高温扩散或离子注入等方法制备硅p-n(p-i-n)结，虽然可制备质量较好的硅p-n(p-i-n)结，但不可避免存在一系列缺点，如涉及复杂繁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器，其特征在于：以n‑型硅基底(2)作为所述光电探测器的基区，在所述n‑型硅基底(2)的下表面设置n‑型硅基底电极(1)；在所述n‑型硅基底(2)的上表面覆盖绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述n‑型硅基底(2)面积的1/5到4/5，所述绝缘层(3)的边界不超出所述n‑型硅基底(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖二硒化钯接触电极(4)，所述二硒化钯接触电极(4)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界；在所述二硒化钯接触电极(4)上铺设二硒化钯薄膜(5)，所述二硒化钯薄膜(5)一部分与二硒化钯接触电极(4)接触，剩余部分与n‑型硅基底(2)上表面未覆盖...

【技术特征摘要】
1.二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：以n-型硅基底(2)作为所述光电探测器的基区，在所述n-型硅基底(2)的下表面设置n-型硅基底电极(1)；在所述n-型硅基底(2)的上表面覆盖绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述n-型硅基底(2)面积的1/5到4/5，所述绝缘层(3)的边界不超出所述n-型硅基底(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖二硒化钯接触电极(4)，所述二硒化钯接触电极(4)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界；在所述二硒化钯接触电极(4)上铺设二硒化钯薄膜(5)，所述二硒化钯薄膜(5)一部分与二硒化钯接触电极(4)接触，剩余部分与n-型硅基底(2)上表面未覆盖绝缘层(3)的部分接触，所述二硒化钯薄膜(5)的边界不超出所述n-型硅基底(2)的边界；所述二硒化钯薄膜(5)与二硒化钯接触电极(4)为欧姆接触，所述二硒化钯薄膜(5)与n-型硅基底(2)形成异质结。2.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述绝缘层(3)以二氧化硅、氮化硅、氧化铝或者氧化铪为材料，所述绝缘层(3)的厚度为30-300nm。3.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述n-型硅基底电极(1)为In-Ga合金电极或者Ag电极，所述n-型硅基底电极(1)的厚度为30-500nm。4.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢超，王迪，马梦茹，罗林保，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34