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本发明公开了二硒化钯薄膜/n‑型硅异质结光电探测器及其制备方法，其是以n‑型硅基底为光电探测器的基区，在其下表面设置n‑型硅基底电极，在其上表面部分区域覆盖绝缘层；在绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，二硒化钯接触电极的边界不超过绝缘层的边界；在...
该专利属于合肥工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过合肥工业大学授权不得商用。

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