Activated ester resins with low curing shrinkage and low dielectric loss tangent of cured products, curable resin compositions containing them, cured products, printed circuit substrates and semiconductor sealing materials are provided. Activated ester resins, curable resin compositions containing them, cured products thereof, printed circuit substrates and semiconductor sealing materials are characterized by taking phenolic hydroxyl compounds (A), polynaphthol resins (B), and aromatic polycarboxylic acids or their acyl halides (C) as necessary reaction raw materials. The polynaphthol resins (B) have naphthol compounds (b) consisting of aromatic rings or aromatic halides. The molecular structure of the aliphatic ring is formed by the structural part (a) of the aliphatic ring.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】活性酯树脂和其固化物
本专利技术涉及固化收缩率低、并且固化物的介质损耗角正切低的活性酯树脂、含有其的固化性树脂组合物、其固化物、印刷电路基板及半导体密封材料。
技术介绍
半导体、多层印刷基板等中使用的绝缘材料的
中,随着各种电子构件的薄型化、信号的高速化及高频化,要求符合这些市场动向的新的树脂材料的开发。例如,伴随电子构件的薄型化,由热导致的构件的“翘曲”显著化,为了抑制该翘曲,正在进行固化收缩率低、尺寸稳定性高的树脂材料的开发。另外,对于信号的高速化及高频化,为了减少由发热等导致的能量损失,正在进行固化物的介电常数和介质损耗角正切这两个值都低的树脂材料的开发。作为固化物的介电常数和介质损耗角正切较低的树脂材料,已知有使用将二环戊二烯酚醛树脂和α-萘酚用邻苯二甲酰氯酯化而得到的活性酯树脂作为环氧树脂的固化剂的技术(参照下述专利文献1)。专利文献1中记载的活性酯树脂与使用了苯酚酚醛清漆树脂这样的以往类型的固化剂的情况相比,具有固化物的介电常数、介质损耗角正切低的特征,但也不满足当今的市场要求水平,特别是对于介质损耗角正切的值,要求进一步的减小。另外,对于固化收缩率要求进一步的降低。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-169021号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题因此,本专利技术要解决的问题在于,提供固化收缩率低、并且固化物的介质损耗角正切低的活性酯树脂、含有其的固化性树脂组合物、其固化物、印刷电路基板及半导体密封材料。用于解决问题的方案本专利技术人等为了解决前述问题进行了深入研究,结果发现下述活性酯树脂的固化收缩率低、并且固化物的介质 ...
【技术保护点】
1.一种活性酯树脂,其特征在于,将含酚羟基化合物(A)、聚萘酚树脂(B)、及芳香族多羧酸或其酰卤化物(C)作为必需的反应原料,所述聚萘酚树脂(B)具有萘酚化合物(b)由含有芳香环或脂肪环的结构部位(α)连接而成的分子结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.06 JP 2016-134227;2016.07.15 JP 2016-140411.一种活性酯树脂,其特征在于,将含酚羟基化合物(A)、聚萘酚树脂(B)、及芳香族多羧酸或其酰卤化物(C)作为必需的反应原料,所述聚萘酚树脂(B)具有萘酚化合物(b)由含有芳香环或脂肪环的结构部位(α)连接而成的分子结构。2.根据权利要求1所述的活性酯树脂,其中,所述聚萘酚树脂(B)具有下述结构式(1)所示的分子结构,式(1)中,X为含有芳香环或脂肪环的结构部位(α),R1各自独立地为脂肪族烃基、烷氧基、卤素原子、芳基、芳烷基、或下述结构式(2)所示的结构部位(β)中的任意者,并任选与形成萘环的任意碳原子键合,m为0或1~4的整数,n为1~10的整数,式(2)中,X为含有芳香核或脂肪环的结构部位(α),R1各自独立地为脂肪族烃基、烷氧基、卤素原子、芳基、芳烷基、或结构式(2)所示的结构部位(β)中的任意者,并任选与形成萘环的任意碳原子键合,m为0或1~4的整数,n为1~10的整数。3.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤泰,冈本竜也,河崎显人,
申请(专利权)人:DIC株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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