基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，它包括多层陶瓷基板、LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间；银胶导电线路设置在透光荧光陶瓷层的正面上；LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，LED芯片均与银胶导电线路电性连接，所述荧光胶层盖设在LED芯片上。本实用新型专利技术可使得LED芯片工作时产生的热量比较充分均匀地传递到多层陶瓷基板上，显著降低了LED芯片工作结点温度，从而提升了LED芯片的发光效率，以有效地实现热传导和转移，从而可以有效解决多个密集排布的LED芯片的散热问题。

Structure of LED Light Source for Reducing Junction Temperature of LED Chips Based on COB Packaging

The utility model discloses an LED light source structure for lowering the junction temperature of LED chips based on COB package, which comprises a multilayer ceramic substrate, an array of LED chips, a conductive silver glue circuit and a fluorescent glue layer, a multilayer ceramic substrate including a transparent and pressure-resisting ceramic layer, a transparent and heat-conducting ceramic layer and a transparent and fluorescent ceramic layer, and a transparent and heat-conducting ceramic layer arranged in a transparent and pressure-resisting ceramic layer and a transparent fluorescent ceramic layer. The silver glue conductive circuit is arranged on the front of the transparent fluorescent ceramic layer; the LED chip array includes several uniformly spaced LED chips, all of which are electrically connected with the silver glue conductive circuit, and the fluorescent glue layer is covered on the LED chip. The utility model can make the heat generated by the working of the LED chip fully and evenly transfer to the multi-layer ceramic substrate, significantly reduce the working node temperature of the LED chip, thereby improving the luminous efficiency of the LED chip, effectively realizing heat conduction and transfer, thereby effectively solving the heat dissipation problem of multiple densely arranged LED chips.

【技术实现步骤摘要】
基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构
本技术涉及一种LED光源结构，具体来说，涉及一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构。
技术介绍
随着LED技术的快速发展，其发光效率不断提高，以及价格不断下降，白光LED制备技术已日趋成熟，LED光源因具有光通量高、寿命长、结构小以及安全、高效、节能等诸多优点，已成为替代传统照明光源的最佳光源选择。传统的基于COB封装结构的LED光源，通常是将LED芯片直接固晶在高反光率的镜面金属基板上或普通陶瓷基板上，然后通过打金线等方法将LED芯片形成串、并联连接，最后在LED芯片上方通过点胶方式点荧光胶。然而，LED芯片的光电转换效率一般为30％至50％，其在发光时将伴随产生大量的热，从而使得LED芯片周围的温度会到达150℃至200℃。其主要存在以下不足之处：一是LED芯片的使用寿命与出光光效是由其芯片的PN结温度决定的，如果不能及时将LED芯片周围的热量及时散发出去，使得温度降低到LED芯片工作的“舒适温度”，就会造成LED芯片的光效造成断崖式的快速衰减，而影响LED芯片的使用寿命与出光性能，如产生色漂移，出光不均匀等现象本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：它包括多层陶瓷基板、设置在多层陶瓷基板上的LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，所述多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设置在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间，透光高导热陶瓷层的反面贴合在透光耐压陶瓷层的正面上，所述透光高导热陶瓷层的正面贴合在透光荧光陶瓷层的反面上；所述银胶导电线路设置在所述透光荧光陶瓷层的正面上；所述LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，所述LED芯片以阵列形式密集排布于透光荧光陶瓷层的正面上且对应于银胶导电线路的位置，每一所述LED芯片均与银...

【技术特征摘要】
1.一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：它包括多层陶瓷基板、设置在多层陶瓷基板上的LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，所述多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设置在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间，透光高导热陶瓷层的反面贴合在透光耐压陶瓷层的正面上，所述透光高导热陶瓷层的正面贴合在透光荧光陶瓷层的反面上；所述银胶导电线路设置在所述透光荧光陶瓷层的正面上；所述LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，所述LED芯片以阵列形式密集排布于透光荧光陶瓷层的正面上且对应于银胶导电线路的位置，每一所述LED芯片均与银胶导电线路电性连接；所述荧光胶层盖设在所述LED芯片上。2.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光高导热陶瓷层的导热率大于100W/mK。3.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光荧光陶瓷层的厚度为50～200um。4.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光高导热陶瓷层的厚度为200～500um。5.根据权利要求1所述的基于COB封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎兆早，赖志文，翟永刚，
申请(专利权)人：广州东有电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44