包括加热元件的芯片结构制造技术

提供了一种芯片结构和芯片结构操作方法。芯片结构包括：第一下芯片结构；和上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于第一下半导体衬底的第二侧上，第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且加热元件与第二侧布线位于相同平面上，并且加热元件的长度大于第二侧布线的长度。

Chip structure including heating elements

A chip structure and a chip structure operation method are provided. The chip structure includes the first lower chip structure and the upper chip structure, which is located on the first lower chip structure and has a pixel array area. The first lower chip structure includes: the first lower semiconductor substrate, which has opposite first and second sides; the first part, which is located on the first side of the first lower semiconductor substrate; and the second part, which is located on the second side of the first lower semiconductor substrate; the first part of the first lower chip structure includes gate wiring; the second part of the first lower chip structure includes the second part. The side wiring and the heating element are located on the same plane as the second wiring, and the length of the heating element is longer than that of the second wiring.

【技术实现步骤摘要】
包括加热元件的芯片结构相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0103828的优先权的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本专利技术构思涉及一种芯片结构，并且更具体地说，涉及一种包括能够加热图像传感器的像素阵列区的加热元件的芯片结构。
技术介绍
将入射光转换为电信号以形成图像数据的图像传感器不仅可用于诸如数码相机、移动电话的相机、便携式摄像机等的普通消费者的电子装置中，而且可用于安装在车辆、安全装置、机器人等上的相机中。因为图像传感器可被小型化，并且具有高分辨率，因此进行致力于满足这种图像传感器的小型化和高分辨率的需求的各种研究。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面可提供一种包括多个芯片的芯片结构。本专利技术构思的一方面可提供一种包括加热元件的芯片结构。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种芯片结构。该芯片结构包括：第一下芯片结构；以及上芯片结构，其位于第一下芯片结构上并且具有像素阵列区。第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构，包括：第一下芯片结构；以及上芯片结构，其位于所述第一下芯片结构上并且具有像素阵列区，所述第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于所述第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于所述第一下半导体衬底的第二侧上，其中，所述第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，所述第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上，并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。

【技术特征摘要】
2017.08.16 KR 10-2017-01038281.一种芯片结构，包括：第一下芯片结构；以及上芯片结构，其位于所述第一下芯片结构上并且具有像素阵列区，所述第一下芯片结构包括：第一下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于所述第一下半导体衬底的第一侧上；以及第二部分，其位于所述第一下半导体衬底的第二侧上，其中，所述第一下芯片结构的第一部分包括栅极布线，所述第一下芯片结构的第二部分包括第二侧布线和加热元件，并且所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上，并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第一下芯片结构包括下穿通电极，所述下穿通电极电连接至所述第二侧布线和所述加热元件同时穿过所述第一下半导体衬底。3.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第二侧布线包括具有第一布线接触区的第一表面和具有第二布线接触区并且与所述第一表面相对的第二表面，并且所述加热元件包括具有第一加热元件接触区和第二加热元件接触区的第一加热元件侧和与所述第一加热元件侧相对的第二加热元件侧。4.根据权利要求3所述的芯片结构，还包括：第一加热元件电极，其电连接至所述第一加热元件接触区；第二加热元件电极，其电连接至所述第二加热元件接触区；第一布线电极，其电连接至所述第一布线接触区；以及第二布线电极，其电连接至所述第二布线接触区。5.根据权利要求4所述的芯片结构，其中，所述第一加热元件电极、所述第二加热元件电极和所述第一布线电极是穿过所述第一下半导体衬底的穿通电极。6.根据权利要求3所述的芯片结构，其中，所述第一加热元件接触区与所述第二加热元件接触区之间的长度大于所述第一布线接触区与所述第二布线接触区之间的长度。7.根据权利要求3所述的芯片结构，其中，所述第一表面和所述第一加热元件侧实质上彼此共面。8.根据权利要求1所述的芯片结构，其中，所述第一下芯片结构还包括温度传感器。9.根据权利要求8所述的芯片结构，其中，所述温度传感器与所述第二侧布线和所述加热元件实质上在同一平面上。10.根据权利要求1所述的芯片结构，还包括第二下芯片结构，所述第一下芯片结构在所述上芯片结构与所述第二下芯片结构之间，其中，所述第二下芯片结构、所述第一下芯片结构和所述上芯片结构彼此电连接，所述第二侧布线电连接至所述第二下芯片结构，并且所述加热元件与所述第二下芯片结构绝缘。11.一种芯片结构，包括：下半导体衬底，其具有彼此相对的第一侧和第二侧；第一部分，其位于所述下半导体衬底的第一侧上，并且具有栅极布线；以及第二部分，其位于所述下半导体衬底的第二侧上，并且具有第二侧布线和加热元件，其中，所述加热元件与所述第二侧布线在同一平面上，并且所述加热元件的长度大于所述第二侧布线的长度。12.根据权利要求11所述的芯片结构，其中，所述第一部分包括第一布线区和第二布线区，所述第二布线区是其中栅极布线的排列密度高于所述第一布线区中的栅极布线的排列密度的区，所述第二部分包括与所述第一布线区相对的第一加热区和与所述第二布线区相对的第二加热区，并且所述第二加热区是其中加热元件的排列密度低于所述第一加热区中的加热元件的排列密度的区。13.根据权利要求11所述的芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴佑炫，金载春，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR