一种多晶硅熔丝结构的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。

A Manufacturing Method of Polycrystalline Silicon Fuse Structure

The invention provides a manufacturing method of a polycrystalline silicon fuse structure, which includes: providing a substrate and forming a shallow groove isolation groove on the surface of the substrate; forming a shallow groove isolation structure in the shallow groove isolation groove, the top surface of the shallow groove isolation structure is higher than the upper surface of the substrate; forming a groove in the shallow groove isolation structure, and the depth of the groove. A programmable fuse is formed on the upper surface of the shallow groove isolation structure and in the groove. The programmable fuse comprises two first electrodes, two first vertical parts connecting two first electrodes respectively, and the first horizontal part connecting two first vertical parts. The isolation material is deposited in the groove to form the isolation material. An isolating material layer covering at least the first horizontal part.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅熔丝结构的制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件领域，尤指涉及一种多晶硅熔丝结构的制造方法。
技术介绍
常规的多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的熔丝结构。该方法形成的熔丝结构，首先，不利于控制熔断的具体位置，可能会导致在衬底上的熔断，由于过热会影响衬底上其他器件的正常工作；其次，熔丝占用的衬底表面积较大，不利于高密度化的器件集成，且多个平行的熔丝间的电容电感较大，容易互相串扰。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度钧小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分。根据本专利技术的实施例，形成所述隔离材料层包括覆盖所述第一水平部分以及所述两个第一垂直部分的一部分。根据本专利技术的实施例，还包括在所述隔离材料层上形成另一可编程熔丝，所述另一可编程熔丝包括两第二电极、分别连接两第二电极的两个第二垂直部分以及连接两个第二垂直部分的第二水平部分；其中，两第二电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的另一两端，两个第二垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第二深度。根据本专利技术的实施例，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。根据本专利技术的实施例，还包括在所述凹槽中进一步沉积所述隔离结构，以完全填充满所述凹槽。根据本专利技术的实施例，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。根据本专利技术的实施例，所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度相同。根据本专利技术的实施例，所浅沟槽隔离结构的隔离材料为氧化硅。根据本专利技术的实施例，所述熔丝结构的材料为多晶硅。本专利技术的技术方案，利用浅沟槽隔离结构中设置熔丝结构，节省衬底表面的占用面积，且利用浅沟槽隔离结构的隔离结构进行多个熔丝结构的互相隔离，简单易行；此外，多个熔丝结构在投影上具有一定的夹角，不会平行，干扰较小，并且，利用垂直部分的多晶硅的厚度较薄，电阻较大的特性，控制在此进行电熔断，实现精确控制熔断位置，避免对衬底的高温影响。附图说明图1为本专利技术可编程熔丝结构的剖面图；图2为本专利技术可编程熔丝结构的俯视图；图3-8位本专利技术的可编程熔丝的制造方法的流程示意图。具体实施方式参见图1和2，本专利技术提供了一种可编程熔丝结构，包括：衬底1，一般而言，该衬底1为硅衬底，当然也可能是其他半导体衬底；在所述衬底1上表面的浅沟槽隔离结构2，所述浅沟槽隔离结构2具有氧化物隔离材料，且所述浅沟槽隔离结构2的顶面高于所述衬底1的上表面；位于浅沟槽隔离结构2中的一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度。还包括另一熔丝结构，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。其中，所述第二深度大于所述第一深度，所述第二长度大于所述第一长度，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夹角。所述两第一和第二电极的宽度大于所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度。所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的宽度相同。根据本专利技术的实施例，根据本专利技术的实施例，还包括在浅沟槽隔离结构中的多个其他熔丝结构，所述多个其他熔丝结构与所述熔丝结构相同，与之不同的是，水平部分的深度不同，具有不同在沟槽隔离结构中的深度。其具体的制造方法可参见图3-8，包括：（1）参见图3，提供一衬底1，并在该衬底1上表面形成浅沟槽隔离沟槽8；（2）参见图4，在所述浅沟槽隔离沟槽8中形成浅沟槽隔离结构9，所述浅沟槽隔离结构9的顶面高于所述衬底1的上表面；（3）参见图5，在所述浅沟槽隔离结构9中形成一凹槽10，所述凹槽10的深度、宽度和长度均小于所述浅沟槽隔离结构8；（4）参见图6，在所述浅沟槽隔离结9构的上表面以及凹槽10中形成一可编程熔丝，所述熔丝结构为多晶硅熔丝结构；所述可编程熔丝包括两第一电极3a和4a、分别连接两第一电极3a和4a的两个第一垂直部分6a和7a以及连接两个第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，两第一电极3a和4a位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的两端，两个第一垂直部分6a和7a沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分5a被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第一深度；（5）参见图7，在所述凹槽10中沉积所述隔离材料形成一隔离材料,11，所述隔离材料层11至少覆盖所述第一水平部分5a。具体的，形成所述隔离材料层11包括覆盖所述第一水平部分5a以及所述两个第一垂直部分6a和7a的一部分，即不完全填充所述凹槽10。（6）参见图7，所述述另一可编程熔丝包括两第二电极3b和4b、分别连接两第二电极3b和4b的两个第二垂直部分6b和7b以及连接两个第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，两第二电极3b和4b位于所述浅沟槽隔离结构2的上表面的另一两端，两个第二垂直部分6b和7b沿着所述浅沟槽隔离结构2的深度方向具有第二长度，所述第二水平部分5b被浅沟槽隔离结构2的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构2中具有第二深度。（7）参见图8，在所述凹槽10中进一步沉积所述隔离结构以形成隔离材料层12，以完全填充满所述凹槽，最终形成浅沟槽隔离结构2和两熔丝结构。最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度均小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其中，两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端，两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度，所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖，且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度；在所述凹槽中沉积所述隔离材料形成一隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述第一水平部分；形成所述隔离材料层包括覆盖所述第一水平部分以及所述两个第一垂直部分的一部分，所述两第一电极的宽度大于所述第一垂直部分和所述第一水平部分的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅熔丝结构的制造方法，包括：提供一衬底，并在该衬底上表面形成浅沟槽隔离沟槽；在所述浅沟槽隔离沟槽中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面；在所述浅沟槽隔离结构中形成一凹槽，所述凹槽的深度、宽度和长度均小于所述浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构的上表面以及凹槽中形成一可编程熔丝，所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分；其...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：乐清市风杰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33